SKM75GB128D西门康
赛米控SKM75GB128D
产品性能和作用
赛米控SKM75GB128D SPT IGBT模块产品体系建立在高可靠应用方面(如牵引)耐用的新基准上。其具有很强的耐用性说明了其有更高的安全工作区和在关断时低的门极驱动电阻。反过来,允许更低的关断损耗。利用SPT(软穿通)芯片技术,赛米控SKM75GB128D模块的开关过程更平滑,使得用户设计使用时更加自由,不必过分考虑在关断时的dv/dt或尖峰电压限制。赛米控SKM75GB128D是变频器最常用的模块之一。
与传统同级别可用的模块相比,有双重的优点:首先,系统可以有更大的安全工作区。其次,赛米控SKM75GB128D提供了新的范围更大的参数限定。为了使IGBT和二极管达到很好的静态和动态特性,最新的IGBT和二极管技术采用了软穿通的概念。这种方法与从前的技术相比,大大的减少了整体元件的损耗。
赛米控SKM75GB128D 基本参数:SPT IGBT模块,75A/1200V,深圳亨力拓电子存货量60块以上。
赛米控SKM75GB128D 外形封装尺寸和结构图.mm

赛米控SKM75GB128D 等效电路图

赛米控SKM75GB128D IGBT模块的结构优势
赛米控SKM75GB128D 增加了一个深的、低掺杂的SPT缓冲层,使元件与NPT结构设计相比,总厚度减薄了20%。SPT缓冲层能确保像这样的元件维持软关断的特性。当芯片使用在大电流模块中这是必须的。大功率、高电压电路不可避免的有很大的寄生电感,它将在元件关断的时候引起电压尖峰和大的振荡,并诱发电磁干扰(EMI)。SPT除了这些明显的优点外,还表明SPT技术可以使IGBT和二极管的SOA均有大的增加。HV-IGBT的设计平台利用一个先进的、极为可靠的平面单元设计,防止了闩锁效应,使SOA增加。SPT IGBT的输入电容设计可以提供对开通di/dt很好的控制,di/dt是门极电阻的函数,在门极-发射极端不需要额外的电容。这一点使IGBT的通态电压延迟更短,其开通损耗大大的降低。 . IGBT芯片与高压快速和软恢复SPT二极管一起使用,共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极,与低浓度P型阳极二极管相比, SOA特性更好,更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间,在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度,使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA,通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法,适当的分布了电子-空穴等离子浓度。最终,在大的电流模块中,并联芯片的均流很好,在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。