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FP25R12KE3英飞凌


来源: | 时间:2016年06月11日

FP25R12KE3英飞凌

英飞凌FP25R12KE3产品图
英飞凌FP25R12KE3

产品性能和作用

 英飞凌FP25R12KE3 是由高速低功耗的IGBT管芯和优化的栅极驱动电路以及快速保护电路组成的英飞凌第三代智能PIM模块。模块内部不仅把IGBT功率开关器件和驱动电路集成在一起,而且还具有过电流和过热等故障检测电路,即使发生负载短路或过热事故,也可以保护IPM不受损坏。 英飞凌FP25R12KE3里面有6支整流管。一个制动IGBT管,6支逆变IGBT,带温度检测。这些管子都需要外接驱动电路和主回路,英飞凌FP25R12KE3主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。

 英飞凌FP25R12KE3产品参数

产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
品牌和型号 英飞凌FP25R12KE3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 150 W
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: EconoPIM2
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
产品价格和资料 联系外面索取和咨询
深圳亨力拓库存 40块以上
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500

 英飞凌FP25R12KE3 外形封装尺寸和结构图 .mm

 英飞凌FP25R12KE3 外形封装尺寸和结构图

 英飞凌FP25R12KE3 等效电路图

英飞凌FP25R12KE3 等效电路图
  英飞凌FP25R12KE3在万用表测量数值:触发后为C、E极间电阻为200K左右; 触发端子电容正测为6.9nF,反测为12.3nF(用于IGBT模块的检修场合)。

  英飞凌FP25R12KE3PIM功率模块的运用优势

  英飞凌FP25R12KE3是先进的混合集成功率器件,将IGBT、驱动电路、保护电路集成化,因此具有高速、高效、低耗、和优化门极驱动及保护电路,欠压锁定,用电流传感功能芯片,对过流和短路保护,更为优越的,整体的可靠性大为提高。IPM有四种电路形式:单管封装(H),双管封装(D),六合一封装(C),七合一封装(R)。由于IPM通态损耗和开关损耗都比较低,可使散热器减小,因而整机尺寸亦可减小,又有自保护能力,减低了在开发和使用中过载情况下损坏的机率,国内外55KW以下的变频器多数采用IPM模块,亦是理所当然的。结温还是125℃,栅控13.5-16.5V之间,就可安全地工作。IPM有:短路保护(SC),过流保护(OC),欠压保护(UV),过热保护(OT),过压保护(OV)等较完全的。

 


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