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CM100DU-24H三菱


来源: | 时间:2016年06月12日

CM100DU-24H三菱

三菱CM100DU-24H产品图
三菱CM100DU-24H

  产品性能和运用

  三菱CM100DU-24H IGBT模块内部集成的驱动和保护电路可简化系统设计,其自我保护功能可使功率模块在测试及现场应用中损坏的可能性大大降低。采用IPM后系统的综合性能极大提高,其性价比已经超过IGBT管,有很好的经济性。三菱CM100DU-24H 主要运用在UPS 、数控机床、交流传动控制、伺服、焊工,CM100DU-24H是变频器最常用的几块模块之一。 变频器已应用于各行各业的多种设备,并成为当今节电,改造传统工业,改善工艺流程,提高生产过程自动化水平,提高产品质量,改善环境的主要技术之一。 
  三菱CM100DU-24H基本参数:IGBT模块,100A/1200V 两单元中的一包

  三菱CM100DU-24H 外形封装尺寸和结构图  .mm

三菱CM100DU-24H 外形封装尺寸和结构图

  三菱CM100DU-24H 产品参数

类别: 分立式导体产品
家庭: IGBT - 模块
系列: IGBTMOD™
配置: 半桥
品牌和型号 三菱CM100DU-24H
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on): 3.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100A
电流 - 集电极截止(最大值): 1mA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies): 15nF @ 10V
功率 - 最大值: 600W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
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  三菱CM100DU-24H  等效电路图

三菱CM100DU-24H 等效电路图

  变频器中三菱CM100DU-24H 模块损坏检修方法

  将单/双管模块脱开电路后(或为新购进的模块〕,可采用测量场效应晶体管(MOS-FET)的方法来测试该模块。MOSFET的栅-阴极间有一个结电容存在,故由此决定了极高的输入阻抗和电荷保持功能。对于IGBT存在一个G、E极间的结电容和C、E极之间的结电容,利用其G、E极之间的结电容的充电、电荷保持、放电特性,可有效检测IGBT的好坏。
  方法是将指针式万用表拨到RX10、档,黑表笔接C极,红表笔接E极,此时所测量电阻值近乎无穷大;搭好表笔不动,用手指将C极与G极碰一下并拿开,指示由无穷大阻值降为200K左右;过一、二十秒钟后,再测一下G、E极间电阻〔仍是黑表笔接(:极,红表笔接2极),仍能维持200K左右的电阻不变;搭好表笔不动,用手指短接一下G、E极,C,E极之间的电阻又重新变为接近无穷大。
   实际上,用手指碰一下C、E极,是经人体电阻给栅、阴结电容充电,拿开手指后,因此电容无放电回路,故电容上的电荷能保持一段时间。此电容上的充电电压,为正向激励电压,使IGBT出现微导通,C、E极之间的电阻减小;第二次用手指短接G、E极时,提供了电容的放电通路,随着电荷的泄放,IGBT的激励电压消失,管子变为截止,C、E极之间的电阻又趋于无穷大。
  手指相当于一只阻值为数K级的电阻,提供栅阴极结电容充、放电的通路;因IGBT的导通需较髙的正向激励电压(10V以上),所以使用指针式用万表的RX10K档(此档位内部电池供电为9V或12V),以满足IGBT激励电压的幅度。指针式万用表的电阻档,黑表笔接内部电池的正极,红表笔接内部电池的负极,因而黑表笔为正,红表笔为负。这种测量方法只能采用指针式万用表。
对触发端子的测量,还可以配合电容表测其容量,以增加判断的准确度。往往功率容量大的模块,两端子间的电容值也稍大。
  CM100DU-24H模块:主端子C1,C2,E1,E2;触发端子G1,E1,G2,E2;触发后C、E极间电阻为250K;用电容表200nF档测量触发端子电容为36.7nF,反测(黑表笔搭G极,红表笔搭E极)为50nF。

 


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