1MBI30L-060 FUJI

富士1MBI30L-060

产品性能和作用

富士1MBI30L-060将功率器件，控制用的集成电路，或再加上脉宽调制的集成电路，按电源设计的需要，用富士的封装技术组合在同一个器件中。这种多芯片的器件大大简化了电源设计人员的工作。减小了元件数及所占的面积，性能上也有了很多改进。经过多年的发展富士1MBI30L-060已经广泛运用到下一代计算机开发、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统等领域中。

富士1MBI30L-060基本参数：IGBT模块 30A/600V

富士1MBI30L-060 外形封装尺寸和结构图（mm）

富士1MBI30L-060产品参数：

集电极-发射极电压：600V

栅极-发射极电压：+/-20V

集电极-连续极电流：30A

总功率损耗：120W

最大工作温度：150℃

集电极－发射极饱和电压:3.5V

产品封装：出场原装

深圳亨力拓库存：80个以上

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富士1MBI30L-060 等效电路图

富士1MBI30L-060 IGBT模块的使用规范

　由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：　　
1.在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。　　
2. 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。　　
3.在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。　　
4.在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。