FF300R07ME4_B11英飞凌
英飞凌FF300R07ME4_B11
产品性能和作用
英飞凌FF300R07ME4_B11是采用采用第四代沟槽栅/场终止技术带有温度检测NTC EconoDUAL™3模块，经过优化，英飞凌FF300R07ME4_B11适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。 低电压器件改进后的频谱性能和更低的开关损耗，使得UPS系统或太阳能逆变器等需要滤波器的产品受益匪浅。
英飞凌FF300R07ME4_B11产品特性
电气特性
• 增加阻断电压至650V
• 增加直流母线电压
• 高短路能力，自限制短路电流
• 沟槽栅IGBT4
• Tvjop=150°C
机械特性
• 集成NTC温度传感器
• 绝缘的基板
• 铜基板
• PressFIT压接技术
• 坚固的自成型PressFIT压接安装
• 标封装
英飞凌FF300R07ME4_B11基本参数：沟槽栅IGBT4模块390A/650V, EconoDUAL™3封装
英飞凌FF300R07ME4_B11 封装尺寸和外形结构图（mm）
英飞凌FF300R07ME4_B11 产品参数
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌FF300R07ME4_B11 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 390 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 100 nA |
| 功率耗散： | 1100 W |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | Module |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 产品价格和资料 | 联系外面索取和咨询 |
| 深圳库存： | 28个 |
英飞凌FF300R07ME4_B11 等效电路图
英飞凌FF300R07ME4_B11 IGBT在三电平系统中的运用
为了使设计更加容易并且确保器件在应用中具有更高的裕量，这些模块采用了增强型IGBT和二极管芯片，耐压达到650V。这些新的芯片与众所周知的600V IGBT3器件一样，具有相同的导通特性和开关特性；而且可靠性也没有发生改变(如SOA、RBSOA、SCSOA)。这些通过最新的IGBT和二极管终端结构的开发得以实现，并确保了超薄的70?m芯片厚度不发生改变。因此，650V IGBT的集电极－发射极饱和电压VCE_SAT在25°C仍然保持在极低的1.45V水平(150°C时为1.70V)。器件的开关损耗较低，当开关频率为16kHz时，损耗仅占逆变器总损耗的三分之一。此外，该IGBT还具备非常平滑的电流拖尾特性，即使在恶劣的条件下，也不会造成电压过冲。二极管的VF-Qrr 关系也作了优化，正向压降极在25°C条件下为1.55V((150°C时为1.45V)，并保持器软关断特性。
