DF400R07PE4R_B英飞凌

英飞凌DF400R07PE4R_B6

产品性能和作用

英飞凌DF400R07PE4R_B6是采用EconoPACK™4封装的带有温度检测NTC的沟槽型英飞凌第四代IGBT模块，随着最近几年，工业驱动、感应加热、电焊机、UPS和太阳能逆变器等应用对IGBT的需求大幅提高。所有这些产品都需要具有特定优化特性的功率开关。以英飞凌DF400R07PE4R_B6为代表的新一代突破性IGBT针对高频应用进行优化，具备最低的开关损耗并提高了系统效率.

英飞凌DF400R07PE4R_B6 产品特性

电气特性

• 增加阻断电压至650V

• 提高工作结温

• 沟槽栅IGBT4

• Tvjop=150°C

• VCEsat带正温度系数

机械特性

• 2.5kV交流1分钟绝缘

• 高机械坚固性

• 集成NTC温度传感器

• 绝缘的基板

• 标封装

英飞凌DF400R07PE4R_B6基本参数：IGBT模块，400A/650V EconoPACK™4封装。

英飞凌DF400R07PE4R_B6 封装尺寸和外形结构图 (mm)

英飞凌DF400R07PE4R_B6 产品参数（Tc=25℃）

产品：IGBT模块

品牌和型号：英飞凌DF400R07PE4R_B6

集电极-发射极电流：650V

连续集电极直流电流：450A

总功率损耗：1100W

栅极－发射极峰值电压:+/-20V

集电极－发射极饱和电压：1.96V

产品封装：出厂原装

产品报价和资料：联系我们咨询和索取

深圳库存：50个以上

英飞凌DF400R07PE4R_B6 等效电路图

英飞凌DF400R07PE4R_B6 IGBT在电磁炉中的运用

IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。