BSM150GB170DLC英飞凌
英飞凌BSM150GB170DLC
产品性能和作用
英飞凌BSM150GB170DLC IGBT模块是先进的第三代功率模块具有电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它同领域的功率器件。
英飞凌BSM150GB170DLC基本参数：IGBT模块，1700V/150A DUAL
英飞凌BSM150GB170DLC 封装尺寸和结构图
英飞凌BSM150GB170DLC 产品参数
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 品牌和型号 | 英飞凌BSM150GB170DLC |
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 300 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 200 nA |
| 功率耗散： | 1.25 kW |
| 最大工作温度： | + 125 C |
| 封装 / 箱体： | 62 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 产品报价和资料 | 联系外面索取和咨询 |
| 工厂包装数量： | 500 |
英飞凌BSM150GB170DLC 等效电路图
英飞凌BSM150GB170DLC IGBT模块使用注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
