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CSD17304Q3 TI晶体管 FET-MOSFET单


来源: | 时间:2019年03月11日

图像 制造商零件编号 制造商 描述 现有数量
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最低订购数量
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包装 系列 零件状态 FET 类型 技术 漏源电压(Vdss) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) Vgs(最大值) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) FET 功能 功率耗散(最大值) 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳
CSD17304Q3 - Texas Instruments CSD17304Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),56A(Tc) 3V,8V 7.5 毫欧 @ 17A,8V 1.8V @ 250µA 6.6nC @ 4.5V +10V,-8V 955pF @ 15V
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2.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD17304Q3 - Texas Instruments CSD17304Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 9,792 - 立即发货 可供应: 9,792 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),56A(Tc) 3V,8V 7.5 毫欧 @ 17A,8V 1.8V @ 250µA 6.6nC @ 4.5V +10V,-8V 955pF @ 15V
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2.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD17304Q3 - Texas Instruments CSD17304Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 9,792 - 立即发货 可供应: 9,792 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),56A(Tc) 3V,8V 7.5 毫欧 @ 17A,8V 1.8V @ 250µA 6.6nC @ 4.5V +10V,-8V 955pF @ 15V
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2.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD18543Q3A - Texas Instruments CSD18543Q3A Texas Instruments 60V N CH MOSFET 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售
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4.5V,10V
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±20V
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表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
CSD18543Q3A - Texas Instruments CSD18543Q3A Texas Instruments 60V N CH MOSFET 23,170 - 立即发货 可供应: 23,170 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V 2.7V @ 250µA 14.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 30V
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66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
CSD18543Q3A - Texas Instruments CSD18543Q3A Texas Instruments 60V N CH MOSFET 23,170 - 立即发货 可供应: 23,170 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V 2.7V @ 250µA 14.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 30V
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66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
SI7619DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK 84,000 - 立即发货 可供应: 84,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 24A(Tc) 4.5V,10V 21 毫欧 @ 10.5A,10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V ±20V 1350pF @ 15V
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3.5W(Ta),27.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7619DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK 85,675 - 立即发货 可供应: 85,675 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 24A(Tc) 4.5V,10V 21 毫欧 @ 10.5A,10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V ±20V 1350pF @ 15V
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3.5W(Ta),27.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7619DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK 85,675 - 立即发货 可供应: 85,675 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 24A(Tc) 4.5V,10V 21 毫欧 @ 10.5A,10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V ±20V 1350pF @ 15V
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3.5W(Ta),27.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SQ2310ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 66,000 - 立即发货 可供应: 66,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 6A(Tc) 1.5V,4.5V 30 毫欧 @ 5A,4.5V 1V @ 250µA 8.5nC @ 4.5V ±8V 485pF @ 10V
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2W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-236 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SQ2310ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 66,268 - 立即发货 可供应: 66,268 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 6A(Tc) 1.5V,4.5V 30 毫欧 @ 5A,4.5V 1V @ 250µA 8.5nC @ 4.5V ±8V 485pF @ 10V
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2W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-236 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SQ2310ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 66,268 - 立即发货 可供应: 66,268 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 6A(Tc) 1.5V,4.5V 30 毫欧 @ 5A,4.5V 1V @ 250µA 8.5nC @ 4.5V ±8V 485pF @ 10V
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2W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-236 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI3410DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP 54,000 - 立即发货 可供应: 54,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 19.5 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V ±20V 1295pF @ 15V
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2W(Ta),4.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3410DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP 55,316 - 立即发货 可供应: 55,316 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 19.5 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V ±20V 1295pF @ 15V
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2W(Ta),4.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3410DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP 55,316 - 立即发货 可供应: 55,316 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 19.5 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V ±20V 1295pF @ 15V
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2W(Ta),4.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
FDS6375 - ON Semiconductor FDS6375 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 8A(Ta) 2.5V,4.5V 24 毫欧 @ 8A,4.5V 1.5V @ 250µA 36nC @ 4.5V ±8V 2694pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6375 - ON Semiconductor FDS6375 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC 7,640 - 立即发货 可供应: 7,640 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 8A(Ta) 2.5V,4.5V 24 毫欧 @ 8A,4.5V 1.5V @ 250µA 36nC @ 4.5V ±8V 2694pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6375 - ON Semiconductor FDS6375 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC 7,640 - 立即发货 可供应: 7,640 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 8A(Ta) 2.5V,4.5V 24 毫欧 @ 8A,4.5V 1.5V @ 250µA 36nC @ 4.5V ±8V 2694pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SPD09P06PLGBTMA1 - Infineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 27,500 - 立即发货 可供应: 27,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
SIPMOS® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.7A(Tc) 4.5V,10V 250 毫欧 @ 6.8A,10V 2V @ 250µA 21nC @ 10V ±20V 450pF @ 25V
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42W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SPD09P06PLGBTMA1 - Infineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 28,840 - 立即发货 可供应: 28,840 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
SIPMOS® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.7A(Tc) 4.5V,10V 250 毫欧 @ 6.8A,10V 2V @ 250µA 21nC @ 10V ±20V 450pF @ 25V
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42W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SPD09P06PLGBTMA1 - Infineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 28,840 - 立即发货 可供应: 28,840 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
SIPMOS® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.7A(Tc) 4.5V,10V 250 毫欧 @ 6.8A,10V 2V @ 250µA 21nC @ 10V ±20V 450pF @ 25V
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42W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
DMP6023LE-13 - Diodes Incorporated DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7A(Ta), 18.2A(Tc) 4.5V,10V 28 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 53.1nC @ 10V ±20V 2569pF @ 30V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
DMP6023LE-13 - Diodes Incorporated DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 17,472 - 立即发货 可供应: 17,472 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7A(Ta), 18.2A(Tc) 4.5V,10V 28 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 53.1nC @ 10V ±20V 2569pF @ 30V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
DMP6023LE-13 - Diodes Incorporated DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 17,472 - 立即发货 可供应: 17,472 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7A(Ta), 18.2A(Tc) 4.5V,10V 28 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 53.1nC @ 10V ±20V 2569pF @ 30V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
PSMN011-60MLX - Nexperia USA Inc. PSMN011-60MLX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK33 19,500 - 立即发货 可供应: 19,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 61A(Tc) 4.5V,10V 11.3 毫欧 @ 15A,10V 2.45V @ 1mA 37.2nC @ 10V ±20V 2191pF @ 30V
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91W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK33 SOT-1210,8-LFPAK33
PSMN011-60MLX - Nexperia USA Inc. PSMN011-60MLX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK33 20,437 - 立即发货 可供应: 20,437 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 61A(Tc) 4.5V,10V 11.3 毫欧 @ 15A,10V 2.45V @ 1mA 37.2nC @ 10V ±20V 2191pF @ 30V
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91W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK33 SOT-1210,8-LFPAK33
PSMN011-60MLX - Nexperia USA Inc. PSMN011-60MLX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK33 20,437 - 立即发货 可供应: 20,437 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 61A(Tc) 4.5V,10V 11.3 毫欧 @ 15A,10V 2.45V @ 1mA 37.2nC @ 10V ±20V 2191pF @ 30V
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91W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK33 SOT-1210,8-LFPAK33
IRFL9014TRPBF - Vishay Siliconix IRFL9014TRPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 50,000 - 立即发货 可供应: 50,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1.8A(Tc) 10V 500 毫欧 @ 1.1A,10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 270pF @ 25V
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2W(Ta),3.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRFL9014TRPBF - Vishay Siliconix IRFL9014TRPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 50,362 - 立即发货 可供应: 50,362 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1.8A(Tc) 10V 500 毫欧 @ 1.1A,10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 270pF @ 25V
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2W(Ta),3.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRFL9014TRPBF - Vishay Siliconix IRFL9014TRPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 50,362 - 立即发货 可供应: 50,362 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1.8A(Tc) 10V 500 毫欧 @ 1.1A,10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 270pF @ 25V
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2W(Ta),3.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
SI9435BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI9435BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC 37,500 - 立即发货 可供应: 37,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 4.1A(Ta) 4.5V,10V 42 毫欧 @ 5.7A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V ±20V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI9435BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI9435BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC 38,287 - 立即发货 可供应: 38,287 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 4.1A(Ta) 4.5V,10V 42 毫欧 @ 5.7A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V ±20V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI9435BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI9435BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC 38,287 - 立即发货 可供应: 38,287 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 4.1A(Ta) 4.5V,10V 42 毫欧 @ 5.7A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V ±20V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
NTHS4101PT1G - ON Semiconductor NTHS4101PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 4.8A(Tj) 1.8V,4.5V 34 毫欧 @ 4.8A,4.5V 1.5V @ 250µA 35nC @ 4.5V ±8V 2100pF @ 16V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 ChipFET™ 8-SMD,扁平引线
NTHS4101PT1G - ON Semiconductor NTHS4101PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 21,484 - 立即发货 可供应: 21,484 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 4.8A(Tj) 1.8V,4.5V 34 毫欧 @ 4.8A,4.5V 1.5V @ 250µA 35nC @ 4.5V ±8V 2100pF @ 16V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 ChipFET™ 8-SMD,扁平引线
NTHS4101PT1G - ON Semiconductor NTHS4101PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 21,484 - 立即发货 可供应: 21,484 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 4.8A(Tj) 1.8V,4.5V 34 毫欧 @ 4.8A,4.5V 1.5V @ 250µA 35nC @ 4.5V ±8V 2100pF @ 16V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 ChipFET™ 8-SMD,扁平引线
IRFR9120NTRPBF - Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK 0 可供应: 0 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 6.6A(Tc) 10V 480 毫欧 @ 3.9A,10V 4V @ 250µA 27nC @ 10V ±20V 350pF @ 25V
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40W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR9120NTRPBF - Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK 1,670 - 立即发货 可供应: 1,670 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 6.6A(Tc) 10V 480 毫欧 @ 3.9A,10V 4V @ 250µA 27nC @ 10V ±20V 350pF @ 25V
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40W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR9120NTRPBF - Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK 1,670 - 立即发货 可供应: 1,670 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 6.6A(Tc) 10V 480 毫欧 @ 3.9A,10V 4V @ 250µA 27nC @ 10V ±20V 350pF @ 25V
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40W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTTFS5116PLTAG - ON Semiconductor NTTFS5116PLTAG ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN 40,500 - 立即发货 可供应: 40,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.7A(Ta) 4.5V,10V 52 毫欧 @ 6A,10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V ±20V 1258pF @ 30V
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3.2W(Ta),40W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
NTTFS5116PLTAG - ON Semiconductor NTTFS5116PLTAG ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN 41,025 - 立即发货 可供应: 41,025 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.7A(Ta) 4.5V,10V 52 毫欧 @ 6A,10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V ±20V 1258pF @ 30V
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3.2W(Ta),40W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
NTTFS5116PLTAG - ON Semiconductor NTTFS5116PLTAG ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN 41,025 - 立即发货 可供应: 41,025 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.7A(Ta) 4.5V,10V 52 毫欧 @ 6A,10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V ±20V 1258pF @ 30V
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3.2W(Ta),40W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
STN2NF10 - STMicroelectronics STN2NF10 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
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STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 2.4A(Tc) 10V 260 毫欧 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V ±20V 280pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN2NF10 - STMicroelectronics STN2NF10 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 13,489 - 立即发货 可供应: 13,489 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 2.4A(Tc) 10V 260 毫欧 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V ±20V 280pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN2NF10 - STMicroelectronics STN2NF10 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 13,489 - 立即发货 可供应: 13,489 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 2.4A(Tc) 10V 260 毫欧 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V ±20V 280pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
BSZ036NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 16A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 3.6 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 16nC @ 10V ±20V 1200pF @ 12V
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2.1W(Ta),37W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ036NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 35,921 - 立即发货 可供应: 35,921 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 16A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 3.6 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 16nC @ 10V ±20V 1200pF @ 12V
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2.1W(Ta),37W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ036NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 35,921 - 立即发货 可供应: 35,921 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 16A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 3.6 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 16nC @ 10V ±20V 1200pF @ 12V
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2.1W(Ta),37W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
NVF3055L108T1G - ON Semiconductor NVF3055L108T1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 33,000 - 立即发货 可供应: 33,000
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带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 3A(Ta) 5V 120 毫欧 @ 1.5A,5V 2V @ 250µA 15nC @ 5V ±15V 440pF @ 25V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
NVF3055L108T1G - ON Semiconductor NVF3055L108T1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 33,491 - 立即发货 可供应: 33,491
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剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 3A(Ta) 5V 120 毫欧 @ 1.5A,5V 2V @ 250µA 15nC @ 5V ±15V 440pF @ 25V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
NVF3055L108T1G - ON Semiconductor NVF3055L108T1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 33,491 - 立即发货 可供应: 33,491
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Digi-Reel®?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 3A(Ta) 5V 120 毫欧 @ 1.5A,5V 2V @ 250µA 15nC @ 5V ±15V 440pF @ 25V
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1.3W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
CSD18537NQ5A - Texas Instruments CSD18537NQ5A Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 11A(Ta),50A(Tc) 6V,10V 13 毫欧 @ 12A、 10V 3.5V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 1480pF @ 30V
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3.2W(Ta),75W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18537NQ5A - Texas Instruments CSD18537NQ5A Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 24,468 - 立即发货
2,005 - 厂方库存 ?
可供应: 24,468
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 11A(Ta),50A(Tc) 6V,10V 13 毫欧 @ 12A、 10V 3.5V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 1480pF @ 30V
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3.2W(Ta),75W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18537NQ5A - Texas Instruments CSD18537NQ5A Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 24,468 - 立即发货
2,005 - 厂方库存 ?
可供应: 24,468
1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 11A(Ta),50A(Tc) 6V,10V 13 毫欧 @ 12A、 10V 3.5V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 1480pF @ 30V
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3.2W(Ta),75W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
SI4425DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC 52,500 - 立即发货 可供应: 52,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 19.7A(Tc) 4.5V,10V 9.8 毫欧 @ 13A,10V 2.5V @ 250µA 80nC @ 10V ±20V 2610pF @ 15V
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2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4425DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC 54,597 - 立即发货 可供应: 54,597 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 19.7A(Tc) 4.5V,10V 9.8 毫欧 @ 13A,10V 2.5V @ 250µA 80nC @ 10V ±20V 2610pF @ 15V
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2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4425DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC 54,597 - 立即发货 可供应: 54,597 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 19.7A(Tc) 4.5V,10V 9.8 毫欧 @ 13A,10V 2.5V @ 250µA 80nC @ 10V ±20V 2610pF @ 15V
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2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
NTD2955T4G - ON Semiconductor NTD2955T4G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A DPAK 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta) 10V 180 毫欧 @ 6A,10V 4V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 750pF @ 25V
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55W(Tj) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTD2955T4G - ON Semiconductor NTD2955T4G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A DPAK 45,985 - 立即发货 可供应: 45,985 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta) 10V 180 毫欧 @ 6A,10V 4V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 750pF @ 25V
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55W(Tj) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTD2955T4G - ON Semiconductor NTD2955T4G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A DPAK 45,985 - 立即发货 可供应: 45,985 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta) 10V 180 毫欧 @ 6A,10V 4V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 750pF @ 25V
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55W(Tj) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDT457N - ON Semiconductor FDT457N ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5A(Ta) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 5.9nC @ 5V ±20V 235pF @ 15V
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3W(Ta) -65°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
FDT457N - ON Semiconductor FDT457N ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 11,738 - 立即发货 可供应: 11,738 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5A(Ta) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 5.9nC @ 5V ±20V 235pF @ 15V
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3W(Ta) -65°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
FDT457N - ON Semiconductor FDT457N ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 11,738 - 立即发货 可供应: 11,738 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5A(Ta) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 5.9nC @ 5V ±20V 235pF @ 15V
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3W(Ta) -65°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
AON7528 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7528 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN 27,000 - 立即发货 可供应: 27,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 45A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 2 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2895pF @ 15V
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6.2W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(3x3) 8-PowerVDFN
AON7528 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7528 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN 27,357 - 立即发货 可供应: 27,357 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 45A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 2 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2895pF @ 15V
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6.2W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(3x3) 8-PowerVDFN
AON7528 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7528 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN 27,357 - 立即发货 可供应: 27,357 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 45A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 2 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2895pF @ 15V
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6.2W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(3x3) 8-PowerVDFN
ZXMN7A11GTA - Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 7,000 - 立即发货 可供应: 7,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 70V 2.7A(Ta) 4.5V,10V 130 毫欧 @ 4.4A,10V 1V @ 250µA 7.4nC @ 10V ±20V 298pF @ 40V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZXMN7A11GTA - Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 7,338 - 立即发货 可供应: 7,338 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 70V 2.7A(Ta) 4.5V,10V 130 毫欧 @ 4.4A,10V 1V @ 250µA 7.4nC @ 10V ±20V 298pF @ 40V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZXMN7A11GTA - Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 7,338 - 立即发货 可供应: 7,338 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 70V 2.7A(Ta) 4.5V,10V 130 毫欧 @ 4.4A,10V 1V @ 250µA 7.4nC @ 10V ±20V 298pF @ 40V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
FQD11P06TM - ON Semiconductor FQD11P06TM ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK 57,500 - 立即发货 可供应: 57,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
QFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.4A(Tc) 10V 185 毫欧 @ 4.7A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±30V 550pF @ 25V
-
2.5W(Ta),38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD11P06TM - ON Semiconductor FQD11P06TM ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK 58,836 - 立即发货 可供应: 58,836 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
QFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.4A(Tc) 10V 185 毫欧 @ 4.7A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±30V 550pF @ 25V
-
2.5W(Ta),38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD11P06TM - ON Semiconductor FQD11P06TM ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK 58,836 - 立即发货 可供应: 58,836 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
QFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.4A(Tc) 10V 185 毫欧 @ 4.7A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±30V 550pF @ 25V
-
2.5W(Ta),38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
CSD25402Q3A - Texas Instruments CSD25402Q3A Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 76A 8SON 340,000 - 立即发货 可供应: 340,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 76A(Tc) 1.8V,4.5V 8.9 毫欧 @ 10A,4.5V 1.15V @ 250µA 9.7nC @ 4.5V ±12V 1790pF @ 10V
-
2.8W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
CSD25402Q3A - Texas Instruments CSD25402Q3A Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 76A 8SON 340,937 - 立即发货 可供应: 340,937 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 76A(Tc) 1.8V,4.5V 8.9 毫欧 @ 10A,4.5V 1.15V @ 250µA 9.7nC @ 4.5V ±12V 1790pF @ 10V
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2.8W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
CSD25402Q3A - Texas Instruments CSD25402Q3A Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 76A 8SON 340,937 - 立即发货 可供应: 340,937 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 76A(Tc) 1.8V,4.5V 8.9 毫欧 @ 10A,4.5V 1.15V @ 250µA 9.7nC @ 4.5V ±12V 1790pF @ 10V
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2.8W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
SI4401DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16.1A(Tc) 4.5V,10V 15 毫欧 @ 10.2A,10V 2.5V @ 250µA 95nC @ 10V ±20V 3007pF @ 20V
-
2.5W(Ta),6.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4401DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC 9,368 - 立即发货 可供应: 9,368 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16.1A(Tc) 4.5V,10V 15 毫欧 @ 10.2A,10V 2.5V @ 250µA 95nC @ 10V ±20V 3007pF @ 20V
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2.5W(Ta),6.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4401DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC 9,368 - 立即发货 可供应: 9,368 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16.1A(Tc) 4.5V,10V 15 毫欧 @ 10.2A,10V 2.5V @ 250µA 95nC @ 10V ±20V 3007pF @ 20V
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2.5W(Ta),6.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ZXMN6A11ZTA - Diodes Incorporated ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 22,000 - 立即发货 可供应: 22,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 2.7A(Ta) 4.5V,10V 120 毫欧 @ 2.5A,10V 1V @ 250µA 5.7nC @ 10V ±20V 330pF @ 40V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
ZXMN6A11ZTA - Diodes Incorporated ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 22,245 - 立即发货 可供应: 22,245 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 2.7A(Ta) 4.5V,10V 120 毫欧 @ 2.5A,10V 1V @ 250µA 5.7nC @ 10V ±20V 330pF @ 40V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
ZXMN6A11ZTA - Diodes Incorporated ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 22,245 - 立即发货 可供应: 22,245 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 2.7A(Ta) 4.5V,10V 120 毫欧 @ 2.5A,10V 1V @ 250µA 5.7nC @ 10V ±20V 330pF @ 40V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
AOD409 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD409 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 60V 26A TO252 212,500 - 立即发货 可供应: 212,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 26A(Tc) 4.5V,10V 40 毫欧 @ 20A,10V 2.4V @ 250µA 54nC @ 10V ±20V 3600pF @ 30V
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2.5W(Ta),60W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
AOD409 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD409 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 60V 26A TO252 214,443 - 立即发货 可供应: 214,443 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 26A(Tc) 4.5V,10V 40 毫欧 @ 20A,10V 2.4V @ 250µA 54nC @ 10V ±20V 3600pF @ 30V
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2.5W(Ta),60W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
AOD409 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD409 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 60V 26A TO252 214,443 - 立即发货 可供应: 214,443 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 26A(Tc) 4.5V,10V 40 毫欧 @ 20A,10V 2.4V @ 250µA 54nC @ 10V ±20V 3600pF @ 30V
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2.5W(Ta),60W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZXMN6A08E6TA - Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 2.8A(Ta) 4.5V,10V 80 毫欧 @ 4.8A,10V 1V @ 250µA 5.8nC @ 10V ±20V 459pF @ 40V
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1.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-26 SOT-23-6
ZXMN6A08E6TA - Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 48,247 - 立即发货 可供应: 48,247 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 2.8A(Ta) 4.5V,10V 80 毫欧 @ 4.8A,10V 1V @ 250µA 5.8nC @ 10V ±20V 459pF @ 40V
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1.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-26 SOT-23-6
ZXMN6A08E6TA - Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 48,247 - 立即发货 可供应: 48,247 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 2.8A(Ta) 4.5V,10V 80 毫欧 @ 4.8A,10V 1V @ 250µA 5.8nC @ 10V ±20V 459pF @ 40V
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1.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-26 SOT-23-6
ZXMN3A03E6TA - Diodes Incorporated ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 18,000 - 立即发货
6,000 - 厂方库存 ?
可供应: 18,000
3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 3.7A(Ta) 4.5V,10V 50 毫欧 @ 7.8A,10V 1V @ 250µA 12.6nC @ 10V ±20V 600pF @ 25V
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1.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXMN3A03E6TA - Diodes Incorporated ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 21,302 - 立即发货
6,000 - 厂方库存 ?
可供应: 21,302
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 3.7A(Ta) 4.5V,10V 50 毫欧 @ 7.8A,10V 1V @ 250µA 12.6nC @ 10V ±20V 600pF @ 25V
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1.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-6 SOT-23-6
IRFR024NTRPBF - Infineon Technologies IRFR024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 17A(Tc) 10V 75 毫欧 @ 10A,10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 370pF @ 25V
-
45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR024NTRPBF - Infineon Technologies IRFR024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 8,079 - 立即发货 可供应: 8,079 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 17A(Tc) 10V 75 毫欧 @ 10A,10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 370pF @ 25V
-
45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR024NTRPBF - Infineon Technologies IRFR024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 8,079 - 立即发货 可供应: 8,079 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 17A(Tc) 10V 75 毫欧 @ 10A,10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 370pF @ 25V
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45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDS6679AZ - ON Semiconductor FDS6679AZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 9.3 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 96nC @ 10V ±25V 3845pF @ 15V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6679AZ - ON Semiconductor FDS6679AZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC 31,330 - 立即发货 可供应: 31,330 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 9.3 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 96nC @ 10V ±25V 3845pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6679AZ - ON Semiconductor FDS6679AZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC 31,330 - 立即发货 可供应: 31,330 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 9.3 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 96nC @ 10V ±25V 3845pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
BSZ0902NSATMA1 - Infineon Technologies BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 19A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 2.6 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 26nC @ 10V ±20V 1700pF @ 15V
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2.1W(Ta),48W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ0902NSATMA1 - Infineon Technologies BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 16,016 - 立即发货 可供应: 16,016 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 19A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 2.6 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 26nC @ 10V ±20V 1700pF @ 15V
-
2.1W(Ta),48W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ0902NSATMA1 - Infineon Technologies BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 16,016 - 立即发货 可供应: 16,016 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 19A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 2.6 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 26nC @ 10V ±20V 1700pF @ 15V
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2.1W(Ta),48W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
TN2404K-T1-E3 - Vishay Siliconix TN2404K-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 240V 200mA(Ta) 2.5V,10V 4 欧姆 @ 300mA,10V 2V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TN2404K-T1-E3 - Vishay Siliconix TN2404K-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 45,890 - 立即发货 可供应: 45,890 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 240V 200mA(Ta) 2.5V,10V 4 欧姆 @ 300mA,10V 2V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TN2404K-T1-E3 - Vishay Siliconix TN2404K-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 45,890 - 立即发货 可供应: 45,890 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 240V 200mA(Ta) 2.5V,10V 4 欧姆 @ 300mA,10V 2V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FDMA8051L - ON Semiconductor FDMA8051L ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 6-MLP 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10A(Tc) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 10A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 1260pF @ 20V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-WDFN 裸露焊盘
FDMA8051L - ON Semiconductor FDMA8051L ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 6-MLP 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10A(Tc) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 10A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 1260pF @ 20V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-WDFN 裸露焊盘
FDMA8051L - ON Semiconductor FDMA8051L ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 6-MLP 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10A(Tc) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 10A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 1260pF @ 20V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-WDFN 裸露焊盘
NTF6P02T3G - ON Semiconductor NTF6P02T3G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 10A(Ta) 2.5V,4.5V 50 毫欧 @ 6A,4.5V 1V @ 250µA 20nC @ 4.5V ±8V 1200pF @ 16V
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8.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
NTF6P02T3G - ON Semiconductor NTF6P02T3G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 4,838 - 立即发货 可供应: 4,838 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 10A(Ta) 2.5V,4.5V 50 毫欧 @ 6A,4.5V 1V @ 250µA 20nC @ 4.5V ±8V 1200pF @ 16V
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8.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
NTF6P02T3G - ON Semiconductor NTF6P02T3G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 4,838 - 立即发货 可供应: 4,838 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 10A(Ta) 2.5V,4.5V 50 毫欧 @ 6A,4.5V 1V @ 250µA 20nC @ 4.5V ±8V 1200pF @ 16V
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8.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
BSZ440N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 5.3A(Ta),18A(Tc) 6V,10V 44 毫欧 @ 12A,10V 2.7V @ 12µA 9.1nC @ 10V ±20V 640pF @ 50V
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29W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ440N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 40,579 - 立即发货 可供应: 40,579 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 5.3A(Ta),18A(Tc) 6V,10V 44 毫欧 @ 12A,10V 2.7V @ 12µA 9.1nC @ 10V ±20V 640pF @ 50V
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29W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ440N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 40,579 - 立即发货 可供应: 40,579 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 5.3A(Ta),18A(Tc) 6V,10V 44 毫欧 @ 12A,10V 2.7V @ 12µA 9.1nC @ 10V ±20V 640pF @ 50V
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29W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
PSMN020-100YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK 13,500 - 立即发货 可供应: 13,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 43A(Tc) 10V 20.5 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 41nC @ 10V ±20V 2210pF @ 50V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN020-100YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK 15,711 - 立即发货 可供应: 15,711 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 43A(Tc) 10V 20.5 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 41nC @ 10V ±20V 2210pF @ 50V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN020-100YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK 15,711 - 立即发货 可供应: 15,711 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 43A(Tc) 10V 20.5 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 41nC @ 10V ±20V 2210pF @ 50V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN2R4-30MLDX - Nexperia USA Inc. PSMN2R4-30MLDX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 70A(Tc) 4.5V,10V 2.4 毫欧 @ 25A,10V 2.2V @ 1mA 51nC @ 10V ±20V 3264pF @ 15V
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91W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK33 SOT-1210,8-LFPAK33
PSMN2R4-30MLDX - Nexperia USA Inc. PSMN2R4-30MLDX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 7,532 - 立即发货 可供应: 7,532 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 70A(Tc) 4.5V,10V 2.4 毫欧 @ 25A,10V 2.2V @ 1mA 51nC @ 10V ±20V 3264pF @ 15V
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91W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK33 SOT-1210,8-LFPAK33
PSMN2R4-30MLDX - Nexperia USA Inc. PSMN2R4-30MLDX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 7,532 - 立即发货 可供应: 7,532 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 70A(Tc) 4.5V,10V 2.4 毫欧 @ 25A,10V 2.2V @ 1mA 51nC @ 10V ±20V 3264pF @ 15V
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91W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK33 SOT-1210,8-LFPAK33
ZVN2106GTA - Diodes Incorporated ZVN2106GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 710mA(Ta) 10V 2 欧姆 @ 1A,10V 2.4V @ 1mA
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±20V 75pF @ 18V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVN2106GTA - Diodes Incorporated ZVN2106GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 10,374 - 立即发货 可供应: 10,374 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 710mA(Ta) 10V 2 欧姆 @ 1A,10V 2.4V @ 1mA
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±20V 75pF @ 18V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVN2106GTA - Diodes Incorporated ZVN2106GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 10,374 - 立即发货 可供应: 10,374 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 710mA(Ta) 10V 2 欧姆 @ 1A,10V 2.4V @ 1mA
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±20V 75pF @ 18V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRLL024NTRPBF - Infineon Technologies IRLL024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 112,500 - 立即发货 可供应: 112,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 3.1A(Ta) 4V,10V 65 毫欧 @ 3.1A,10V 2V @ 250µA 15.6nC @ 5V ±16V 510pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRLL024NTRPBF - Infineon Technologies IRLL024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 117,081 - 立即发货 可供应: 117,081 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 3.1A(Ta) 4V,10V 65 毫欧 @ 3.1A,10V 2V @ 250µA 15.6nC @ 5V ±16V 510pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRLL024NTRPBF - Infineon Technologies IRLL024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 117,081 - 立即发货 可供应: 117,081 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 3.1A(Ta) 4V,10V 65 毫欧 @ 3.1A,10V 2V @ 250µA 15.6nC @ 5V ±16V 510pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
FDMC6679AZ - ON Semiconductor FDMC6679AZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V POWER33 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 11.5A(Ta),20A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 11.5A,10V 3V @ 250µA 91nC @ 10V ±25V 3970pF @ 15V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC6679AZ - ON Semiconductor FDMC6679AZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V POWER33 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 11.5A(Ta),20A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 11.5A,10V 3V @ 250µA 91nC @ 10V ±25V 3970pF @ 15V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC6679AZ - ON Semiconductor FDMC6679AZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V POWER33 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 11.5A(Ta),20A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 11.5A,10V 3V @ 250µA 91nC @ 10V ±25V 3970pF @ 15V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
SI3460BDV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP 57,000 - 立即发货 可供应: 57,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 8A(Tc) 1.8V,4.5V 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V ±8V 860pF @ 10V
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2W(Ta),3.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3460BDV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP 57,889 - 立即发货 可供应: 57,889 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 8A(Tc) 1.8V,4.5V 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V ±8V 860pF @ 10V
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2W(Ta),3.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3460BDV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP 57,889 - 立即发货 可供应: 57,889 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 8A(Tc) 1.8V,4.5V 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V ±8V 860pF @ 10V
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2W(Ta),3.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
FQD5P20TM - ON Semiconductor FQD5P20TM ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
QFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 3.7A(Tc) 10V 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V 5V @ 250µA 13nC @ 10V ±30V 430pF @ 25V
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2.5W(Ta),45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD5P20TM - ON Semiconductor FQD5P20TM ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK 20,358 - 立即发货 可供应: 20,358 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
QFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 3.7A(Tc) 10V 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V 5V @ 250µA 13nC @ 10V ±30V 430pF @ 25V
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2.5W(Ta),45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD5P20TM - ON Semiconductor FQD5P20TM ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK 20,358 - 立即发货 可供应: 20,358 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
QFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 3.7A(Tc) 10V 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V 5V @ 250µA 13nC @ 10V ±30V 430pF @ 25V
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2.5W(Ta),45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SI4056DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 11.1A(Tc) 4.5V,10V 23 毫欧 @ 15A,10V 2.8V @ 250µA 29.5nC @ 10V ±20V 900pF @ 50V
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2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4056DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC 11,935 - 立即发货 可供应: 11,935 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 11.1A(Tc) 4.5V,10V 23 毫欧 @ 15A,10V 2.8V @ 250µA 29.5nC @ 10V ±20V 900pF @ 50V
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2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4056DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC 11,935 - 立即发货 可供应: 11,935 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 11.1A(Tc) 4.5V,10V 23 毫欧 @ 15A,10V 2.8V @ 250µA 29.5nC @ 10V ±20V 900pF @ 50V
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2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9328TRPBF - Infineon Technologies IRF9328TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 12A(Tc) 4.5V,10V 11.9 毫欧 @ 12A,10V 2.4V @ 25µA 52nC @ 10V ±20V 1680pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9328TRPBF - Infineon Technologies IRF9328TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 19,765 - 立即发货 可供应: 19,765 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 12A(Tc) 4.5V,10V 11.9 毫欧 @ 12A,10V 2.4V @ 25µA 52nC @ 10V ±20V 1680pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9328TRPBF - Infineon Technologies IRF9328TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 19,765 - 立即发货 可供应: 19,765 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 12A(Tc) 4.5V,10V 11.9 毫欧 @ 12A,10V 2.4V @ 25µA 52nC @ 10V ±20V 1680pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4435DY - ON Semiconductor SI4435DY ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8.8A(Ta) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 8.8A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 5V ±20V 1604pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4435DY - ON Semiconductor SI4435DY ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC 14,189 - 立即发货 可供应: 14,189 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8.8A(Ta) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 8.8A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 5V ±20V 1604pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4435DY - ON Semiconductor SI4435DY ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC 14,189 - 立即发货 可供应: 14,189 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8.8A(Ta) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 8.8A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 5V ±20V 1604pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7465TRPBF - Infineon Technologies IRF7465TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.9A(Ta) 10V 280 毫欧 @ 1.14A,10V 5.5V @ 250µA 15nC @ 10V ±30V 330pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7465TRPBF - Infineon Technologies IRF7465TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC 12,735 - 立即发货 可供应: 12,735 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.9A(Ta) 10V 280 毫欧 @ 1.14A,10V 5.5V @ 250µA 15nC @ 10V ±30V 330pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7465TRPBF - Infineon Technologies IRF7465TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC 12,735 - 立即发货 可供应: 12,735 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.9A(Ta) 10V 280 毫欧 @ 1.14A,10V 5.5V @ 250µA 15nC @ 10V ±30V 330pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
NTF2955T1G - ON Semiconductor NTF2955T1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 2,000 - 立即发货 可供应: 2,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1.7A(Ta) 10V 185 毫欧 @ 2.4A,10V 4V @ 1mA 14.3nC @ 10V ±20V 492pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
NTF2955T1G - ON Semiconductor NTF2955T1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 3,487 - 立即发货 可供应: 3,487 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1.7A(Ta) 10V 185 毫欧 @ 2.4A,10V 4V @ 1mA 14.3nC @ 10V ±20V 492pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
NTF2955T1G - ON Semiconductor NTF2955T1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 3,487 - 立即发货 可供应: 3,487 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1.7A(Ta) 10V 185 毫欧 @ 2.4A,10V 4V @ 1mA 14.3nC @ 10V ±20V 492pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
SI3437DV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3437DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.4A(Tc) 6V,10V 750 毫欧 @ 1.4A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 510pF @ 50V
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2W(Ta),3.2W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3437DV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3437DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP 18,273 - 立即发货 可供应: 18,273 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.4A(Tc) 6V,10V 750 毫欧 @ 1.4A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 510pF @ 50V
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2W(Ta),3.2W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3437DV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3437DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP 18,273 - 立即发货 可供应: 18,273 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.4A(Tc) 6V,10V 750 毫欧 @ 1.4A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 510pF @ 50V
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2W(Ta),3.2W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
FDN86246 - ON Semiconductor FDN86246 ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.6A(Ta) 6V,10V 261 毫欧 @ 1.6A,10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V ±20V 225pF @ 75V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FDN86246 - ON Semiconductor FDN86246 ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT 7,049 - 立即发货 可供应: 7,049 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.6A(Ta) 6V,10V 261 毫欧 @ 1.6A,10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V ±20V 225pF @ 75V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FDN86246 - ON Semiconductor FDN86246 ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT 7,049 - 立即发货 可供应: 7,049 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.6A(Ta) 6V,10V 261 毫欧 @ 1.6A,10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V ±20V 225pF @ 75V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PSMN7R5-60YLX - Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK56 25,500 - 立即发货 可供应: 25,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 86A(Tc) 5V,10V 7.5 毫欧 @ 20A,10V 2.1V @ 1mA 31nC @ 5V ±20V 4570pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN7R5-60YLX - Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK56 26,746 - 立即发货 可供应: 26,746 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 86A(Tc) 5V,10V 7.5 毫欧 @ 20A,10V 2.1V @ 1mA 31nC @ 5V ±20V 4570pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN7R5-60YLX - Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK56 26,746 - 立即发货 可供应: 26,746 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 86A(Tc) 5V,10V 7.5 毫欧 @ 20A,10V 2.1V @ 1mA 31nC @ 5V ±20V 4570pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BSZ110N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 40A(Tc) 6V,10V 11 毫欧 @ 20A,10V 3.8V @ 22µA 18.5nC @ 10V ±20V 1300pF @ 40V
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50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ110N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 40A(Tc) 6V,10V 11 毫欧 @ 20A,10V 3.8V @ 22µA 18.5nC @ 10V ±20V 1300pF @ 40V
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50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ110N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 40A(Tc) 6V,10V 11 毫欧 @ 20A,10V 3.8V @ 22µA 18.5nC @ 10V ±20V 1300pF @ 40V
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50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ100N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 11A(Ta),20A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 23µA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V
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2.1W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerVDFN
BSZ100N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 44,559 - 立即发货 可供应: 44,559 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 11A(Ta),20A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 23µA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V
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2.1W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerVDFN
BSZ100N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 44,559 - 立即发货 可供应: 44,559 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 11A(Ta),20A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 23µA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V
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2.1W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerVDFN
FDS6294 - ON Semiconductor FDS6294 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 11.3 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 14nC @ 5V ±20V 1205pF @ 15V
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3W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6294 - ON Semiconductor FDS6294 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC 39,800 - 立即发货 可供应: 39,800 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 11.3 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 14nC @ 5V ±20V 1205pF @ 15V
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3W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6294 - ON Semiconductor FDS6294 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC 39,800 - 立即发货 可供应: 39,800 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 11.3 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 14nC @ 5V ±20V 1205pF @ 15V
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3W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 72mA(Tj) 0V 35 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 120pF @ 25V 耗尽模式 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 23,981 - 立即发货 可供应: 23,981 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 72mA(Tj) 0V 35 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 120pF @ 25V 耗尽模式 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 23,981 - 立即发货 可供应: 23,981 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 72mA(Tj) 0V 35 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 120pF @ 25V 耗尽模式 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI4431BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5.7A(Ta) 4.5V,10V 30 毫欧 @ 7.5A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 5V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4431BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC 19,545 - 立即发货 可供应: 19,545 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5.7A(Ta) 4.5V,10V 30 毫欧 @ 7.5A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 5V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4431BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC 19,545 - 立即发货 可供应: 19,545 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5.7A(Ta) 4.5V,10V 30 毫欧 @ 7.5A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 5V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PSMN2R2-25YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN2R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 100A(Tc) 4.5V,10V 2.4 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 39nC @ 10V ±20V 2542pF @ 12V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN2R2-25YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN2R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 10,697 - 立即发货 可供应: 10,697 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 100A(Tc) 4.5V,10V 2.4 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 39nC @ 10V ±20V 2542pF @ 12V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN2R2-25YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN2R2-25YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 10,697 - 立即发货 可供应: 10,697 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 100A(Tc) 4.5V,10V 2.4 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 39nC @ 10V ±20V 2542pF @ 12V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
AO4425 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4425 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC 63,000 - 立即发货 可供应: 63,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 38V 14A(Ta) 10V,20V 10 毫欧 @ 14A,20V 3.5V @ 250µA 63nC @ 10V ±25V 3800pF @ 20V
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3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
AO4425 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4425 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC 65,425 - 立即发货 可供应: 65,425 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 38V 14A(Ta) 10V,20V 10 毫欧 @ 14A,20V 3.5V @ 250µA 63nC @ 10V ±25V 3800pF @ 20V
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3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
AO4425 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4425 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC 65,425 - 立即发货 可供应: 65,425 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 38V 14A(Ta) 10V,20V 10 毫欧 @ 14A,20V 3.5V @ 250µA 63nC @ 10V ±25V 3800pF @ 20V
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3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDMA910PZ - ON Semiconductor FDMA910PZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 9.4A(Ta) 1.8V,4.5V 20 毫欧 @ 9.4A,4.5V 1.5V @ 250µA 29nC @ 4.5V ±8V 2805pF @ 10V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘
FDMA910PZ - ON Semiconductor FDMA910PZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET 27,439 - 立即发货 可供应: 27,439 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 9.4A(Ta) 1.8V,4.5V 20 毫欧 @ 9.4A,4.5V 1.5V @ 250µA 29nC @ 4.5V ±8V 2805pF @ 10V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘
FDMA910PZ - ON Semiconductor FDMA910PZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET 27,439 - 立即发货 可供应: 27,439 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 9.4A(Ta) 1.8V,4.5V 20 毫欧 @ 9.4A,4.5V 1.5V @ 250µA 29nC @ 4.5V ±8V 2805pF @ 10V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘
FDS4685 - ON Semiconductor FDS4685 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 8.2A(Ta) 4.5V,10V 27 毫欧 @ 8.2A,10V 3V @ 250µA 27nC @ 5V ±20V 1872pF @ 20V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS4685 - ON Semiconductor FDS4685 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC 37,099 - 立即发货 可供应: 37,099 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 8.2A(Ta) 4.5V,10V 27 毫欧 @ 8.2A,10V 3V @ 250µA 27nC @ 5V ±20V 1872pF @ 20V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS4685 - ON Semiconductor FDS4685 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC 37,099 - 立即发货 可供应: 37,099 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 8.2A(Ta) 4.5V,10V 27 毫欧 @ 8.2A,10V 3V @ 250µA 27nC @ 5V ±20V 1872pF @ 20V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SUD09P10-195-GE3 - Vishay Siliconix SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK 94,000 - 立即发货 可供应: 94,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 8.8A(Tc) 4.5V,10V 195 毫欧 @ 3.6A,10V 2.5V @ 250µA 34.8nC @ 10V ±20V 1055pF @ 50V
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2.5W(Ta),32.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SUD09P10-195-GE3 - Vishay Siliconix SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK 96,002 - 立即发货 可供应: 96,002 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 8.8A(Tc) 4.5V,10V 195 毫欧 @ 3.6A,10V 2.5V @ 250µA 34.8nC @ 10V ±20V 1055pF @ 50V
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2.5W(Ta),32.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SUD09P10-195-GE3 - Vishay Siliconix SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK 96,002 - 立即发货 可供应: 96,002 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 8.8A(Tc) 4.5V,10V 195 毫欧 @ 3.6A,10V 2.5V @ 250µA 34.8nC @ 10V ±20V 1055pF @ 50V
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2.5W(Ta),32.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BSC050NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 39A(Ta),58A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 30A,10V 2V @ 250µA 10.4nC @ 10V ±20V 760pF @ 12V
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2.5W(Ta),28W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC050NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 49,391 - 立即发货 可供应: 49,391 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 39A(Ta),58A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 30A,10V 2V @ 250µA 10.4nC @ 10V ±20V 760pF @ 12V
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2.5W(Ta),28W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC050NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 49,391 - 立即发货 可供应: 49,391 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 39A(Ta),58A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 30A,10V 2V @ 250µA 10.4nC @ 10V ±20V 760pF @ 12V
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2.5W(Ta),28W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
IRLR024NTRPBF - Infineon Technologies IRLR024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 17A(Tc) 4V,10V 65 毫欧 @ 10A,10V 2V @ 250µA 15nC @ 5V ±16V 480pF @ 25V
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45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR024NTRPBF - Infineon Technologies IRLR024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 20,676 - 立即发货 可供应: 20,676 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 17A(Tc) 4V,10V 65 毫欧 @ 10A,10V 2V @ 250µA 15nC @ 5V ±16V 480pF @ 25V
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45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR024NTRPBF - Infineon Technologies IRLR024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 20,676 - 立即发货 可供应: 20,676 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 17A(Tc) 4V,10V 65 毫欧 @ 10A,10V 2V @ 250µA 15nC @ 5V ±16V 480pF @ 25V
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45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8896 - ON Semiconductor FDD8896 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 94A DPAK 50,000 - 立即发货 可供应: 50,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 17A(Ta),94A(Tc) 4.5V,10V 5.7 毫欧 @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2525pF @ 15V
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80W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8896 - ON Semiconductor FDD8896 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 94A DPAK 52,569 - 立即发货 可供应: 52,569 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 17A(Ta),94A(Tc) 4.5V,10V 5.7 毫欧 @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2525pF @ 15V
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80W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8896 - ON Semiconductor FDD8896 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 94A DPAK 52,569 - 立即发货 可供应: 52,569 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 17A(Ta),94A(Tc) 4.5V,10V 5.7 毫欧 @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2525pF @ 15V
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80W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZXMP7A17KTC - Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 70V 3.8A(Ta) 4.5V,10V 160 毫欧 @ 2.1A,10V 1V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 635pF @ 40V
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2.11W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZXMP7A17KTC - Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK 40,645 - 立即发货 可供应: 40,645 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 70V 3.8A(Ta) 4.5V,10V 160 毫欧 @ 2.1A,10V 1V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 635pF @ 40V
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2.11W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZXMP7A17KTC - Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK 40,645 - 立即发货 可供应: 40,645 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 70V 3.8A(Ta) 4.5V,10V 160 毫欧 @ 2.1A,10V 1V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 635pF @ 40V
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2.11W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZVP4525E6TA - Diodes Incorporated ZVP4525E6TA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 250V 197mA(Ta) 3.5V,10V 14 欧姆 @ 200mA,10V 2V @ 1mA 3.45nC @ 10V ±40V 73pF @ 25V
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1.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-6 SOT-23-6
ZVP4525E6TA - Diodes Incorporated ZVP4525E6TA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 22,924 - 立即发货 可供应: 22,924 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 250V 197mA(Ta) 3.5V,10V 14 欧姆 @ 200mA,10V 2V @ 1mA 3.45nC @ 10V ±40V 73pF @ 25V
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1.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-6 SOT-23-6
DMP6023LFG-7 - Diodes Incorporated DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7.7A(Ta) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 53.1nC @ 10V ±20V 2569pF @ 30V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerDI3333-8 8-PowerWDFN
DMP6023LFG-7 - Diodes Incorporated DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 8,033 - 立即发货 可供应: 8,033 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7.7A(Ta) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 53.1nC @ 10V ±20V 2569pF @ 30V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerDI3333-8 8-PowerWDFN
DMP6023LFG-7 - Diodes Incorporated DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 8,033 - 立即发货 可供应: 8,033 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7.7A(Ta) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 53.1nC @ 10V ±20V 2569pF @ 30V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerDI3333-8 8-PowerWDFN
BSC050N04LSGATMA1 - Infineon Technologies BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 18A(Ta),85A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 50A,10V 2V @ 27µA 47nC @ 10V ±20V 3700pF @ 20V
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2.5W(Ta),57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC050N04LSGATMA1 - Infineon Technologies BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 14,660 - 立即发货 可供应: 14,660 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 18A(Ta),85A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 50A,10V 2V @ 27µA 47nC @ 10V ±20V 3700pF @ 20V
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2.5W(Ta),57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC050N04LSGATMA1 - Infineon Technologies BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 14,660 - 立即发货 可供应: 14,660 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 18A(Ta),85A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 50A,10V 2V @ 27µA 47nC @ 10V ±20V 3700pF @ 20V
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2.5W(Ta),57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
SUD08P06-155L-GE3 - Vishay Siliconix SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK 14,000 - 立即发货 可供应: 14,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 8.4A(Tc) 4.5V,10V 155 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 450pF @ 25V
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1.7W(Ta),20.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SUD08P06-155L-GE3 - Vishay Siliconix SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK 17,189 - 立即发货 可供应: 17,189 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 8.4A(Tc) 4.5V,10V 155 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 450pF @ 25V
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1.7W(Ta),20.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SUD08P06-155L-GE3 - Vishay Siliconix SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK 17,189 - 立即发货 可供应: 17,189 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 8.4A(Tc) 4.5V,10V 155 毫欧 @ 5A,10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 450pF @ 25V
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1.7W(Ta),20.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLL3303TRPBF - Infineon Technologies IRLL3303TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 4.6A(Ta) 4.5V,10V 31 毫欧 @ 4.6A,10V 1V @ 250µA 50nC @ 10V ±16V 840pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRLL3303TRPBF - Infineon Technologies IRLL3303TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 17,538 - 立即发货 可供应: 17,538 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 4.6A(Ta) 4.5V,10V 31 毫欧 @ 4.6A,10V 1V @ 250µA 50nC @ 10V ±16V 840pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRLL3303TRPBF - Infineon Technologies IRLL3303TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 17,538 - 立即发货 可供应: 17,538 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 4.6A(Ta) 4.5V,10V 31 毫欧 @ 4.6A,10V 1V @ 250µA 50nC @ 10V ±16V 840pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP0545GTA - Diodes Incorporated ZVP0545GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 450V 75mA(Ta) 10V 150 欧姆 @ 50mA,10V 4.5V @ 1mA
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±20V 120pF @ 25V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP0545GTA - Diodes Incorporated ZVP0545GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 35,491 - 立即发货 可供应: 35,491 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 450V 75mA(Ta) 10V 150 欧姆 @ 50mA,10V 4.5V @ 1mA
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±20V 120pF @ 25V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
BSZ068N06NSATMA1 - Infineon Technologies BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 40A(Tc) 6V,10V 6.8 毫欧 @ 20A,10V 3.3V @ 20µA 21nC @ 10V ±20V 1500pF @ 30V
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2.1W(Ta), 46W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ068N06NSATMA1 - Infineon Technologies BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 5,030 - 立即发货 可供应: 5,030 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 40A(Tc) 6V,10V 6.8 毫欧 @ 20A,10V 3.3V @ 20µA 21nC @ 10V ±20V 1500pF @ 30V
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2.1W(Ta), 46W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
BSZ068N06NSATMA1 - Infineon Technologies BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 5,030 - 立即发货 可供应: 5,030 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 40A(Tc) 6V,10V 6.8 毫欧 @ 20A,10V 3.3V @ 20µA 21nC @ 10V ±20V 1500pF @ 30V
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2.1W(Ta), 46W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8-FL 8-PowerTDFN
NTTFS5C673NLTAG - ON Semiconductor NTTFS5C673NLTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 13A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 9.3 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 250µA 9.5nC @ 10V ±20V 880pF @ 25V
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3.1W(Ta),46W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
NTTFS5C673NLTAG - ON Semiconductor NTTFS5C673NLTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 6,460 - 立即发货 可供应: 6,460 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 13A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 9.3 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 250µA 9.5nC @ 10V ±20V 880pF @ 25V
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3.1W(Ta),46W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
NTTFS5C673NLTAG - ON Semiconductor NTTFS5C673NLTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 6,460 - 立即发货 可供应: 6,460 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 13A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 9.3 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 250µA 9.5nC @ 10V ±20V 880pF @ 25V
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3.1W(Ta),46W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
CSD18504Q5A - Texas Instruments CSD18504Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 8SON 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 15A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 17A,10V 2.4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 1656pF @ 20V
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3.1W(Ta),77W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18504Q5A - Texas Instruments CSD18504Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 8SON 27,298 - 立即发货 可供应: 27,298 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 15A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 17A,10V 2.4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 1656pF @ 20V
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3.1W(Ta),77W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18504Q5A - Texas Instruments CSD18504Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 8SON 27,298 - 立即发货 可供应: 27,298 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 15A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 17A,10V 2.4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 1656pF @ 20V
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3.1W(Ta),77W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
BSZ22DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 7A(Tc) 10V 225 毫欧 @ 3.5A,10V 4V @ 13µA 5.6nC @ 10V ±20V 430pF @ 100V
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34W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ22DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 10,931 - 立即发货 可供应: 10,931 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 7A(Tc) 10V 225 毫欧 @ 3.5A,10V 4V @ 13µA 5.6nC @ 10V ±20V 430pF @ 100V
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34W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ22DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 10,931 - 立即发货 可供应: 10,931 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 7A(Tc) 10V 225 毫欧 @ 3.5A,10V 4V @ 13µA 5.6nC @ 10V ±20V 430pF @ 100V
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34W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
MIC94052YC6-TR - Microchip Technology MIC94052YC6-TR Microchip Technology MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 6V 2A(Ta) 1.8V,4.5V 84 毫欧 @ 100mA,4.5V 1.2V @ 250µA
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6V
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270mW(Ta) -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SC-70-6 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
MIC94052YC6-TR - Microchip Technology MIC94052YC6-TR Microchip Technology MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 7,744 - 立即发货 可供应: 7,744 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 6V 2A(Ta) 1.8V,4.5V 84 毫欧 @ 100mA,4.5V 1.2V @ 250µA
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6V
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270mW(Ta) -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SC-70-6 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
MIC94052YC6-TR - Microchip Technology MIC94052YC6-TR Microchip Technology MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 7,744 - 立即发货 可供应: 7,744 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 6V 2A(Ta) 1.8V,4.5V 84 毫欧 @ 100mA,4.5V 1.2V @ 250µA
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6V
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270mW(Ta) -40°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SC-70-6 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SI7617DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 12.3 毫欧 @ 13.9A,10V 2.5V @ 250µA 59nC @ 10V ±25V 1800pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7617DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK 5,367 - 立即发货 可供应: 5,367 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 12.3 毫欧 @ 13.9A,10V 2.5V @ 250µA 59nC @ 10V ±25V 1800pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7617DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK 5,367 - 立即发货 可供应: 5,367 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 12.3 毫欧 @ 13.9A,10V 2.5V @ 250µA 59nC @ 10V ±25V 1800pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
BSP130,115 - Nexperia USA Inc. BSP130,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 19,000 - 立即发货 可供应: 19,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 300V 350mA(Ta) 10V 6 欧姆 @ 250mA,10V 2V @ 1mA
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±20V 120pF @ 25V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SC-73 TO-261-4,TO-261AA
BSP130,115 - Nexperia USA Inc. BSP130,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 19,288 - 立即发货 可供应: 19,288 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 300V 350mA(Ta) 10V 6 欧姆 @ 250mA,10V 2V @ 1mA
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±20V 120pF @ 25V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SC-73 TO-261-4,TO-261AA
BSP130,115 - Nexperia USA Inc. BSP130,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 19,288 - 立即发货 可供应: 19,288 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 300V 350mA(Ta) 10V 6 欧姆 @ 250mA,10V 2V @ 1mA
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±20V 120pF @ 25V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SC-73 TO-261-4,TO-261AA
ZXMN4A06GTA - Diodes Incorporated ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 86,000 - 立即发货 可供应: 86,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 5A(Ta) 4.5V,10V 50 毫欧 @ 4.5A,10V 1V @ 250µA 18.2nC @ 10V ±20V 770pF @ 40V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZXMN4A06GTA - Diodes Incorporated ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 86,375 - 立即发货 可供应: 86,375 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 5A(Ta) 4.5V,10V 50 毫欧 @ 4.5A,10V 1V @ 250µA 18.2nC @ 10V ±20V 770pF @ 40V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
PSMN4R0-40YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 100A(Tc) 10V 4.2 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V ±20V 2410pF @ 20V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN4R0-40YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 23,323 - 立即发货 可供应: 23,323 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 100A(Tc) 10V 4.2 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V ±20V 2410pF @ 20V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN4R0-40YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 23,323 - 立即发货 可供应: 23,323 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 100A(Tc) 10V 4.2 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V ±20V 2410pF @ 20V
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106W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
CSD17551Q5A - Texas Instruments CSD17551Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 8SON 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000
-
带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 48A(Tc) 4.5V,10V 8.8 毫欧 @ 11A,10V 2.2V @ 250µA 7.2nC @ 4.5V ±20V 1272pF @ 15V
-
3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD17551Q5A - Texas Instruments CSD17551Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 8SON 27,494 - 立即发货 可供应: 27,494
-
剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 48A(Tc) 4.5V,10V 8.8 毫欧 @ 11A,10V 2.2V @ 250µA 7.2nC @ 4.5V ±20V 1272pF @ 15V
-
3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD17551Q5A - Texas Instruments CSD17551Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 8SON 27,494 - 立即发货 可供应: 27,494
-
Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 48A(Tc) 4.5V,10V 8.8 毫欧 @ 11A,10V 2.2V @ 250µA 7.2nC @ 4.5V ±20V 1272pF @ 15V
-
3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
IRF9317TRPBF - Infineon Technologies IRF9317TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 16A(Ta) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 16A,10V 2.4V @ 50µA 92nC @ 10V ±20V 2820pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9317TRPBF - Infineon Technologies IRF9317TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC 19,213 - 立即发货 可供应: 19,213 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 16A(Ta) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 16A,10V 2.4V @ 50µA 92nC @ 10V ±20V 2820pF @ 15V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9317TRPBF - Infineon Technologies IRF9317TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC 19,213 - 立即发货 可供应: 19,213 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 16A(Ta) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 16A,10V 2.4V @ 50µA 92nC @ 10V ±20V 2820pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7404TRPBF - Infineon Technologies IRF7404TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 6.7A(Ta) 2.7V,4.5V 40 毫欧 @ 3.2A,4.5V 700mV @ 250µA 50nC @ 4.5V ±12V 1500pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7404TRPBF - Infineon Technologies IRF7404TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC 4,808 - 立即发货 可供应: 4,808 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 6.7A(Ta) 2.7V,4.5V 40 毫欧 @ 3.2A,4.5V 700mV @ 250µA 50nC @ 4.5V ±12V 1500pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7404TRPBF - Infineon Technologies IRF7404TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC 4,808 - 立即发货 可供应: 4,808 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 6.7A(Ta) 2.7V,4.5V 40 毫欧 @ 3.2A,4.5V 700mV @ 250µA 50nC @ 4.5V ±12V 1500pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS8447 - ON Semiconductor FDS8447 ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 12.8A(Ta) 4.5V,10V 10.5 毫欧 @ 12.8A,10V 3V @ 250µA 49nC @ 10V ±20V 2600pF @ 20V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS8447 - ON Semiconductor FDS8447 ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC 9,673 - 立即发货 可供应: 9,673 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 12.8A(Ta) 4.5V,10V 10.5 毫欧 @ 12.8A,10V 3V @ 250µA 49nC @ 10V ±20V 2600pF @ 20V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS8447 - ON Semiconductor FDS8447 ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC 9,673 - 立即发货 可供应: 9,673 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 12.8A(Ta) 4.5V,10V 10.5 毫欧 @ 12.8A,10V 3V @ 250µA 49nC @ 10V ±20V 2600pF @ 20V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IPD50P04P4L11ATMA1 - Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 50A(Tc) 4.5V,10V 10.6 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 85µA 59nC @ 10V ±16V 3900pF @ 25V
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58W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3-313 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD50P04P4L11ATMA1 - Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 18,383 - 立即发货 可供应: 18,383 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 50A(Tc) 4.5V,10V 10.6 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 85µA 59nC @ 10V ±16V 3900pF @ 25V
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58W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3-313 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD50P04P4L11ATMA1 - Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 18,383 - 立即发货 可供应: 18,383 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 50A(Tc) 4.5V,10V 10.6 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 85µA 59nC @ 10V ±16V 3900pF @ 25V
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58W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3-313 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
CSD19534Q5A - Texas Instruments CSD19534Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON 67,500 - 立即发货 可供应: 67,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 50A(Ta) 6V,10V 15.1 毫欧 @ 10A,10V 3.4V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1680pF @ 50V
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3.2W(Ta),63W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19534Q5A - Texas Instruments CSD19534Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON 68,308 - 立即发货 可供应: 68,308 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 50A(Ta) 6V,10V 15.1 毫欧 @ 10A,10V 3.4V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1680pF @ 50V
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3.2W(Ta),63W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19534Q5A - Texas Instruments CSD19534Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON 68,308 - 立即发货 可供应: 68,308 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 50A(Ta) 6V,10V 15.1 毫欧 @ 10A,10V 3.4V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1680pF @ 50V
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3.2W(Ta),63W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
FDMA86251 - ON Semiconductor FDMA86251 ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 2.4A(Ta) 6V,10V 175m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 5.8nC @ 10V ±20V 363pF @ 75V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-WDFN 裸露焊盘
FDMA86251 - ON Semiconductor FDMA86251 ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP 31,743 - 立即发货 可供应: 31,743 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 2.4A(Ta) 6V,10V 175m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 5.8nC @ 10V ±20V 363pF @ 75V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-WDFN 裸露焊盘
FDMA86251 - ON Semiconductor FDMA86251 ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP 31,743 - 立即发货 可供应: 31,743 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 2.4A(Ta) 6V,10V 175m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 5.8nC @ 10V ±20V 363pF @ 75V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-WDFN 裸露焊盘
ZVN4525ZTA - Diodes Incorporated ZVN4525ZTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 29,000 - 立即发货
43,000 - 厂方库存 ?
可供应: 29,000
1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 250V 240mA(Ta) 2.4V,10V 8.5 欧姆 @ 500mA,10V 1.8V @ 1mA 3.65nC @ 10V ±40V 72pF @ 25V
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1.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
ZVN4525ZTA - Diodes Incorporated ZVN4525ZTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 29,025 - 立即发货
43,000 - 厂方库存 ?
可供应: 29,025
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 250V 240mA(Ta) 2.4V,10V 8.5 欧姆 @ 500mA,10V 1.8V @ 1mA 3.65nC @ 10V ±40V 72pF @ 25V
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1.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
ZVN4525ZTA - Diodes Incorporated ZVN4525ZTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 29,025 - 立即发货
43,000 - 厂方库存 ?
可供应: 29,025
1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 250V 240mA(Ta) 2.4V,10V 8.5 欧姆 @ 500mA,10V 1.8V @ 1mA 3.65nC @ 10V ±40V 72pF @ 25V
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1.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
CSD17575Q3 - Texas Instruments CSD17575Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 60A(Ta) 4.5V,10V 2.3 毫欧 @ 25A,10V 1.8V @ 250µA 30nC @ 4.5V ±20V 4420pF @ 15V
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2.8W(Ta),108W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD17575Q3 - Texas Instruments CSD17575Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 12,769 - 立即发货 可供应: 12,769 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 60A(Ta) 4.5V,10V 2.3 毫欧 @ 25A,10V 1.8V @ 250µA 30nC @ 4.5V ±20V 4420pF @ 15V
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2.8W(Ta),108W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD17575Q3 - Texas Instruments CSD17575Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 12,769 - 立即发货 可供应: 12,769 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 60A(Ta) 4.5V,10V 2.3 毫欧 @ 25A,10V 1.8V @ 250µA 30nC @ 4.5V ±20V 4420pF @ 15V
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2.8W(Ta),108W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
STD12NF06T4 - STMicroelectronics STD12NF06T4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Tc) 10V 100 毫欧 @ 6A,10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 315pF @ 25V
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30W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD12NF06T4 - STMicroelectronics STD12NF06T4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 2,599 - 立即发货 可供应: 2,599 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Tc) 10V 100 毫欧 @ 6A,10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 315pF @ 25V
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30W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD12NF06T4 - STMicroelectronics STD12NF06T4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 2,599 - 立即发货 可供应: 2,599 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Tc) 10V 100 毫欧 @ 6A,10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 315pF @ 25V
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30W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STN1HNK60 - STMicroelectronics STN1HNK60 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
SuperMESH™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 400mA(Tc) 10V 8.5 欧姆 @ 500mA,10V 3.7V @ 250µA 10nC @ 10V ±30V 156pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN1HNK60 - STMicroelectronics STN1HNK60 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 14,266 - 立即发货 可供应: 14,266 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
SuperMESH™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 400mA(Tc) 10V 8.5 欧姆 @ 500mA,10V 3.7V @ 250µA 10nC @ 10V ±30V 156pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN1HNK60 - STMicroelectronics STN1HNK60 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 14,266 - 立即发货 可供应: 14,266 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
SuperMESH™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 400mA(Tc) 10V 8.5 欧姆 @ 500mA,10V 3.7V @ 250µA 10nC @ 10V ±30V 156pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
SI7655ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 40A(Tc) 2.5V,10V 3.6 毫欧 @ 20A,10V 1.1V @ 250µA 225nC @ 10V ±12V 6600pF @ 10V
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4.8W(Ta),57W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
SI7655ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 40A(Tc) 2.5V,10V 3.6 毫欧 @ 20A,10V 1.1V @ 250µA 225nC @ 10V ±12V 6600pF @ 10V
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4.8W(Ta),57W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
SI7655ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 40A(Tc) 2.5V,10V 3.6 毫欧 @ 20A,10V 1.1V @ 250µA 225nC @ 10V ±12V 6600pF @ 10V
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4.8W(Ta),57W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
AON6512 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6512 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN 54,000 - 立即发货 可供应: 54,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 54A(Ta),150A(Tc) 4.5V,10V 1.7 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 64nC @ 10V ±20V 3430pF @ 15V
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7.4W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
AON6512 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6512 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN 54,796 - 立即发货 可供应: 54,796 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 54A(Ta),150A(Tc) 4.5V,10V 1.7 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 64nC @ 10V ±20V 3430pF @ 15V
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7.4W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
AON6512 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6512 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN 54,796 - 立即发货 可供应: 54,796 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 54A(Ta),150A(Tc) 4.5V,10V 1.7 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 64nC @ 10V ±20V 3430pF @ 15V
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7.4W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
IPD90N04S404ATMA1 - Infineon Technologies IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 90A(Tc) 10V 4.1 毫欧 @ 90A,10V 4V @ 35.2mA 43nC @ 10V ±20V 3440pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3-313 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD90N04S404ATMA1 - Infineon Technologies IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 6,100 - 立即发货 可供应: 6,100 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 90A(Tc) 10V 4.1 毫欧 @ 90A,10V 4V @ 35.2mA 43nC @ 10V ±20V 3440pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3-313 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD90N04S404ATMA1 - Infineon Technologies IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 6,100 - 立即发货 可供应: 6,100 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 90A(Tc) 10V 4.1 毫欧 @ 90A,10V 4V @ 35.2mA 43nC @ 10V ±20V 3440pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3-313 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDS86106 - ON Semiconductor FDS86106 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.4A(Ta) 6V,10V 105 毫欧 @ 3.4A,10V 4V @ 250µA 4nC @ 10V ±20V 208pF @ 50V
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5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS86106 - ON Semiconductor FDS86106 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC 27,338 - 立即发货 可供应: 27,338 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.4A(Ta) 6V,10V 105 毫欧 @ 3.4A,10V 4V @ 250µA 4nC @ 10V ±20V 208pF @ 50V
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5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS86106 - ON Semiconductor FDS86106 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC 27,338 - 立即发货 可供应: 27,338 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.4A(Ta) 6V,10V 105 毫欧 @ 3.4A,10V 4V @ 250µA 4nC @ 10V ±20V 208pF @ 50V
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5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ZXMP4A16GTA - Diodes Incorporated ZXMP4A16GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 37,000 - 立即发货 可供应: 37,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 4.6A(Ta) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 3.8A,10V 1V @ 250µA 26.1nC @ 10V ±20V 1007pF @ 20V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZXMP4A16GTA - Diodes Incorporated ZXMP4A16GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 37,889 - 立即发货 可供应: 37,889 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 4.6A(Ta) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 3.8A,10V 1V @ 250µA 26.1nC @ 10V ±20V 1007pF @ 20V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZXMP4A16GTA - Diodes Incorporated ZXMP4A16GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 37,889 - 立即发货 可供应: 37,889 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 4.6A(Ta) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 3.8A,10V 1V @ 250µA 26.1nC @ 10V ±20V 1007pF @ 20V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
SI4435DYTRPBF - Infineon Technologies SI4435DYTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2320pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4435DYTRPBF - Infineon Technologies SI4435DYTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC 25,511 - 立即发货 可供应: 25,511 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2320pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4435DYTRPBF - Infineon Technologies SI4435DYTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC 25,511 - 立即发货 可供应: 25,511 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA 60nC @ 10V ±20V 2320pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IPD088N06N3GBTMA1 - Infineon Technologies IPD088N06N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 27,500 - 立即发货 可供应: 27,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 50A(Tc) 10V 8.8 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 34µA 48nC @ 10V ±20V 3900pF @ 30V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD088N06N3GBTMA1 - Infineon Technologies IPD088N06N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 29,571 - 立即发货 可供应: 29,571 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 50A(Tc) 10V 8.8 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 34µA 48nC @ 10V ±20V 3900pF @ 30V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD088N06N3GBTMA1 - Infineon Technologies IPD088N06N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 29,571 - 立即发货 可供应: 29,571 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 50A(Tc) 10V 8.8 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 34µA 48nC @ 10V ±20V 3900pF @ 30V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD079N06L3GBTMA1 - Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 50A(Tc) 4.5V,10V 7.9 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 34µA 29nC @ 4.5V ±20V 4900pF @ 30V
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79W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD079N06L3GBTMA1 - Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 17,117 - 立即发货 可供应: 17,117 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 50A(Tc) 4.5V,10V 7.9 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 34µA 29nC @ 4.5V ±20V 4900pF @ 30V
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79W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD079N06L3GBTMA1 - Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 17,117 - 立即发货 可供应: 17,117 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 50A(Tc) 4.5V,10V 7.9 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 34µA 29nC @ 4.5V ±20V 4900pF @ 30V
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79W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SIA413DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 12V 12A(Tc) 1.5V,4.5V 29 毫欧 @ 6.7A,4.5V 1V @ 250µA 57nC @ 8V ±8V 1800pF @ 10V
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3.5W(Ta),19W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 单 PowerPAK® SC-70-6
SIA413DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 31,380 - 立即发货 可供应: 31,380 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 12V 12A(Tc) 1.5V,4.5V 29 毫欧 @ 6.7A,4.5V 1V @ 250µA 57nC @ 8V ±8V 1800pF @ 10V
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3.5W(Ta),19W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 单 PowerPAK® SC-70-6
SIA413DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 31,380 - 立即发货 可供应: 31,380 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 12V 12A(Tc) 1.5V,4.5V 29 毫欧 @ 6.7A,4.5V 1V @ 250µA 57nC @ 8V ±8V 1800pF @ 10V
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3.5W(Ta),19W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 单 PowerPAK® SC-70-6
IRF7413TRPBF - Infineon Technologies IRF7413TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 11 毫欧 @ 7.3A,10V 3V @ 250µA 79nC @ 10V ±20V 1800pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7413TRPBF - Infineon Technologies IRF7413TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 4,096 - 立即发货 可供应: 4,096 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 11 毫欧 @ 7.3A,10V 3V @ 250µA 79nC @ 10V ±20V 1800pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7413TRPBF - Infineon Technologies IRF7413TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 4,096 - 立即发货 可供应: 4,096 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 13A(Ta) 4.5V,10V 11 毫欧 @ 7.3A,10V 3V @ 250µA 79nC @ 10V ±20V 1800pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies IRLL2705TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 3.8A(Ta) 4V,10V 40 毫欧 @ 3.8A,10V 2V @ 250µA 48nC @ 10V ±16V 870pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies IRLL2705TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 32,825 - 立即发货 可供应: 32,825 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 3.8A(Ta) 4V,10V 40 毫欧 @ 3.8A,10V 2V @ 250µA 48nC @ 10V ±16V 870pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies IRLL2705TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 32,825 - 立即发货 可供应: 32,825 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 3.8A(Ta) 4V,10V 40 毫欧 @ 3.8A,10V 2V @ 250µA 48nC @ 10V ±16V 870pF @ 25V
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1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
AON7421 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7421 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 30A(Ta),50A(Tc) 2.5V,10V 4.6 毫欧 @ 20A,10V 1.2V @ 250µA 114nC @ 10V ±12V 4550pF @ 10V
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6.2W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN-EP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
AON7421 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7421 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN 22,920 - 立即发货 可供应: 22,920 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 30A(Ta),50A(Tc) 2.5V,10V 4.6 毫欧 @ 20A,10V 1.2V @ 250µA 114nC @ 10V ±12V 4550pF @ 10V
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6.2W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN-EP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
AON7421 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7421 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN 22,920 - 立即发货 可供应: 22,920 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 30A(Ta),50A(Tc) 2.5V,10V 4.6 毫欧 @ 20A,10V 1.2V @ 250µA 114nC @ 10V ±12V 4550pF @ 10V
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6.2W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN-EP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
NDT452AP - ON Semiconductor NDT452AP ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5A(Ta) 4.5V,10V 65 毫欧 @ 5A,10V 2.8V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 690pF @ 15V
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3W(Ta) -65°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
NDT452AP - ON Semiconductor NDT452AP ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 18,245 - 立即发货 可供应: 18,245 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5A(Ta) 4.5V,10V 65 毫欧 @ 5A,10V 2.8V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 690pF @ 15V
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3W(Ta) -65°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
NDT452AP - ON Semiconductor NDT452AP ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 18,245 - 立即发货 可供应: 18,245 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 5A(Ta) 4.5V,10V 65 毫欧 @ 5A,10V 2.8V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 690pF @ 15V
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3W(Ta) -65°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
BUK7Y14-80EX - Nexperia USA Inc. BUK7Y14-80EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 65A(Tc) 10V 14 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 44.8nC @ 10V ±20V 3155pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BUK7Y14-80EX - Nexperia USA Inc. BUK7Y14-80EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK 22,930 - 立即发货 可供应: 22,930 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 65A(Tc) 10V 14 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 44.8nC @ 10V ±20V 3155pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BUK7Y14-80EX - Nexperia USA Inc. BUK7Y14-80EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK 22,930 - 立即发货 可供应: 22,930 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 65A(Tc) 10V 14 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 44.8nC @ 10V ±20V 3155pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BUK9Y14-80E,115 - Nexperia USA Inc. BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V LFPAK 1,500 - 立即发货 可供应: 1,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
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汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 62A(Tc) 5V 14 毫欧 @ 15A,10V 2.1V @ 1mA 28.9nC @ 5V ±10V 4640pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BUK9Y14-80E,115 - Nexperia USA Inc. BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V LFPAK 3,393 - 立即发货 可供应: 3,393 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 62A(Tc) 5V 14 毫欧 @ 15A,10V 2.1V @ 1mA 28.9nC @ 5V ±10V 4640pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BUK9Y14-80E,115 - Nexperia USA Inc. BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V LFPAK 3,393 - 立即发货 可供应: 3,393 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 62A(Tc) 5V 14 毫欧 @ 15A,10V 2.1V @ 1mA 28.9nC @ 5V ±10V 4640pF @ 25V
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147W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
CSD16323Q3 - Texas Instruments CSD16323Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 42,500 - 立即发货 可供应: 42,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 21A(Ta),60A(Tc) 3V,8V 4.5 毫欧 @ 24A,8V 1.4V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V +10V,-8V 1300pF @ 12.5V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD16323Q3 - Texas Instruments CSD16323Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 44,271 - 立即发货 可供应: 44,271 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 21A(Ta),60A(Tc) 3V,8V 4.5 毫欧 @ 24A,8V 1.4V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V +10V,-8V 1300pF @ 12.5V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD16323Q3 - Texas Instruments CSD16323Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 44,271 - 立即发货 可供应: 44,271 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 21A(Ta),60A(Tc) 3V,8V 4.5 毫欧 @ 24A,8V 1.4V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V +10V,-8V 1300pF @ 12.5V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
SQS401EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 16A 174,000 - 立即发货 可供应: 174,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16A(Tc) 4.5V,10V 29 毫欧 @ 12A,10V 2.5V @ 250µA 21.2nC @ 4.5V ±20V 1875pF @ 20V
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62.5W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SQS401EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 16A 176,794 - 立即发货 可供应: 176,794 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16A(Tc) 4.5V,10V 29 毫欧 @ 12A,10V 2.5V @ 250µA 21.2nC @ 4.5V ±20V 1875pF @ 20V
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62.5W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SQS401EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 16A 176,794 - 立即发货 可供应: 176,794 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16A(Tc) 4.5V,10V 29 毫欧 @ 12A,10V 2.5V @ 250µA 21.2nC @ 4.5V ±20V 1875pF @ 20V
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62.5W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
IRFR9024NTRPBF - Infineon Technologies IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 11A DPAK 26,000 - 立即发货 可供应: 26,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 11A(Tc) 10V 175 毫欧 @ 6.6A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 350pF @ 25V
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38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR9024NTRPBF - Infineon Technologies IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 11A DPAK 28,557 - 立即发货 可供应: 28,557 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 11A(Tc) 10V 175 毫欧 @ 6.6A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 350pF @ 25V
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38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR9024NTRPBF - Infineon Technologies IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 11A DPAK 28,557 - 立即发货 可供应: 28,557 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 11A(Tc) 10V 175 毫欧 @ 6.6A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 350pF @ 25V
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38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTD6416ANLT4G - ON Semiconductor NTD6416ANLT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 19A DPAK 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 19A(Tc) 4.5V,10V 74 毫欧 @ 19A,10V 2.2V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 1000pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTD6416ANLT4G - ON Semiconductor NTD6416ANLT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 19A DPAK 24,971 - 立即发货 可供应: 24,971 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 19A(Tc) 4.5V,10V 74 毫欧 @ 19A,10V 2.2V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 1000pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTD6416ANLT4G - ON Semiconductor NTD6416ANLT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 19A DPAK 24,971 - 立即发货 可供应: 24,971 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 19A(Tc) 4.5V,10V 74 毫欧 @ 19A,10V 2.2V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 1000pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
DMP3010LK3Q-13 - Diodes Incorporated DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 17A TO252 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 17A(Ta) 4.5V,10V 8 毫欧 @ 10A,10V 2.1V @ 250µA 59.2nC @ 4.5V ±20V 6234pF @ 15V
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1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
DMP3010LK3Q-13 - Diodes Incorporated DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 17A TO252 15,028 - 立即发货 可供应: 15,028 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 17A(Ta) 4.5V,10V 8 毫欧 @ 10A,10V 2.1V @ 250µA 59.2nC @ 4.5V ±20V 6234pF @ 15V
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1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
DMP3010LK3Q-13 - Diodes Incorporated DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 17A TO252 15,028 - 立即发货 可供应: 15,028 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 17A(Ta) 4.5V,10V 8 毫欧 @ 10A,10V 2.1V @ 250µA 59.2nC @ 4.5V ±20V 6234pF @ 15V
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1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZVN4206GVTA - Diodes Incorporated ZVN4206GVTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 17,000 - 立即发货 可供应: 17,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1A(Ta) 5V,10V 1 欧姆 @ 1.5A,10V 3V @ 1mA
-
±20V 100pF @ 25V
-
2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVN4206GVTA - Diodes Incorporated ZVN4206GVTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 17,860 - 立即发货 可供应: 17,860 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 1A(Ta) 5V,10V 1 欧姆 @ 1.5A,10V 3V @ 1mA
-
±20V 100pF @ 25V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
CSD16406Q3 - Texas Instruments CSD16406Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 19A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 5.3 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 8.1nC @ 4.5V +16V,-12V 1100pF @ 12.5V
-
2.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD16406Q3 - Texas Instruments CSD16406Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 28,638 - 立即发货 可供应: 28,638 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 19A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 5.3 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 8.1nC @ 4.5V +16V,-12V 1100pF @ 12.5V
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2.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD16406Q3 - Texas Instruments CSD16406Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 28,638 - 立即发货 可供应: 28,638 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 19A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 5.3 毫欧 @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 8.1nC @ 4.5V +16V,-12V 1100pF @ 12.5V
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2.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD19538Q3AT - Texas Instruments CSD19538Q3AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 14,250 - 立即发货 可供应: 14,250 250 最低订购数量 : 250 带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 15A(Ta) 6V,10V 59 毫欧 @ 5A,10V 3.8V @ 250µA 4.3nC @ 10V ±20V 454pF @ 50V
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2.8W(Ta), 23W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(3x3.15) 8-PowerVDFN
CSD19538Q3AT - Texas Instruments CSD19538Q3AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 14,444 - 立即发货
250 - 厂方库存 ?
可供应: 14,444
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 15A(Ta) 6V,10V 59 毫欧 @ 5A,10V 3.8V @ 250µA 4.3nC @ 10V ±20V 454pF @ 50V
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2.8W(Ta), 23W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(3x3.15) 8-PowerVDFN
CSD19538Q3AT - Texas Instruments CSD19538Q3AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 14,444 - 立即发货
250 - 厂方库存 ?
可供应: 14,444
1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 15A(Ta) 6V,10V 59 毫欧 @ 5A,10V 3.8V @ 250µA 4.3nC @ 10V ±20V 454pF @ 50V
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2.8W(Ta), 23W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(3x3.15) 8-PowerVDFN
IRF7416TRPBF - Infineon Technologies IRF7416TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 10A(Ta) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 5.6A,10V 1V @ 250µA 92nC @ 10V ±20V 1700pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7416TRPBF - Infineon Technologies IRF7416TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 12,483 - 立即发货 可供应: 12,483 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 10A(Ta) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 5.6A,10V 1V @ 250µA 92nC @ 10V ±20V 1700pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7416TRPBF - Infineon Technologies IRF7416TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 12,483 - 立即发货 可供应: 12,483 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 10A(Ta) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 5.6A,10V 1V @ 250µA 92nC @ 10V ±20V 1700pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
CSD17309Q3 - Texas Instruments CSD17309Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 60A 8SON 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Ta),60A(Tc) 3V,8V 5.4 毫欧 @ 18A,8V 1.7V @ 250µA 10nC @ 4.5V +10V,-8V 1440pF @ 15V
-
2.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD17309Q3 - Texas Instruments CSD17309Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 60A 8SON 24,410 - 立即发货 可供应: 24,410 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Ta),60A(Tc) 3V,8V 5.4 毫欧 @ 18A,8V 1.7V @ 250µA 10nC @ 4.5V +10V,-8V 1440pF @ 15V
-
2.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD17309Q3 - Texas Instruments CSD17309Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 60A 8SON 24,410 - 立即发货 可供应: 24,410 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Ta),60A(Tc) 3V,8V 5.4 毫欧 @ 18A,8V 1.7V @ 250µA 10nC @ 4.5V +10V,-8V 1440pF @ 15V
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2.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
BSZ035N03MSGATMA1 - Infineon Technologies BSZ035N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 18A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 3.5 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 74nC @ 10V ±20V 5700pF @ 15V
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2.1W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ035N03MSGATMA1 - Infineon Technologies BSZ035N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 55,004 - 立即发货 可供应: 55,004 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 18A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 3.5 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 74nC @ 10V ±20V 5700pF @ 15V
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2.1W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ035N03MSGATMA1 - Infineon Technologies BSZ035N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 55,004 - 立即发货 可供应: 55,004 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 18A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 3.5 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 74nC @ 10V ±20V 5700pF @ 15V
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2.1W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
CSD16340Q3 - Texas Instruments CSD16340Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 52,500 - 立即发货 可供应: 52,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 21A(Ta),60A(Tc) 2.5V,8V 4.5 毫欧 @ 20A,8V 1.1V @ 250µA 9.2nC @ 4.5V +10V,-8V 1350pF @ 12.5V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD16340Q3 - Texas Instruments CSD16340Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 53,498 - 立即发货 可供应: 53,498 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 21A(Ta),60A(Tc) 2.5V,8V 4.5 毫欧 @ 20A,8V 1.1V @ 250µA 9.2nC @ 4.5V +10V,-8V 1350pF @ 12.5V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
CSD16340Q3 - Texas Instruments CSD16340Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 53,498 - 立即发货 可供应: 53,498 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 21A(Ta),60A(Tc) 2.5V,8V 4.5 毫欧 @ 20A,8V 1.1V @ 250µA 9.2nC @ 4.5V +10V,-8V 1350pF @ 12.5V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PowerTDFN
FDMA7632 - ON Semiconductor FDMA7632 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 90,000 - 立即发货 可供应: 90,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 9A(Ta) 4.5V,10V 19 毫欧 @ 9A,10V 3V @ 250µA 13nC @ 10V ±20V 760pF @ 15V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘
FDMA7632 - ON Semiconductor FDMA7632 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 92,024 - 立即发货 可供应: 92,024 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 9A(Ta) 4.5V,10V 19 毫欧 @ 9A,10V 3V @ 250µA 13nC @ 10V ±20V 760pF @ 15V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘
FDMA7632 - ON Semiconductor FDMA7632 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 92,024 - 立即发货 可供应: 92,024 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 9A(Ta) 4.5V,10V 19 毫欧 @ 9A,10V 3V @ 250µA 13nC @ 10V ±20V 760pF @ 15V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘
PSMN7R0-60YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK 43,500 - 立即发货 可供应: 43,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 89A(Tc) 10V 6.4 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±20V 2712pF @ 30V
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117W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN7R0-60YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK 46,218 - 立即发货 可供应: 46,218 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 89A(Tc) 10V 6.4 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±20V 2712pF @ 30V
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117W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN7R0-60YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V LFPAK 46,218 - 立即发货 可供应: 46,218 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 89A(Tc) 10V 6.4 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±20V 2712pF @ 30V
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117W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
SI8429DB-T1-E1 - Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 8V 11.7A(Tc) 1.2V,4.5V 35 毫欧 @ 1A,4.5V 800mV @ 250µA 26nC @ 5V ±5V 1640pF @ 4V
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2.77W(Ta),6.25W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 4-Microfoot 4-XFBGA,CSPBGA
SI8429DB-T1-E1 - Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP 15,835 - 立即发货 可供应: 15,835 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 8V 11.7A(Tc) 1.2V,4.5V 35 毫欧 @ 1A,4.5V 800mV @ 250µA 26nC @ 5V ±5V 1640pF @ 4V
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2.77W(Ta),6.25W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 4-Microfoot 4-XFBGA,CSPBGA
SI8429DB-T1-E1 - Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP 15,835 - 立即发货 可供应: 15,835 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 8V 11.7A(Tc) 1.2V,4.5V 35 毫欧 @ 1A,4.5V 800mV @ 250µA 26nC @ 5V ±5V 1640pF @ 4V
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2.77W(Ta),6.25W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 4-Microfoot 4-XFBGA,CSPBGA
PSMN3R3-40YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V LFPAK 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 100A(Tc) 10V 3.3 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 49nC @ 10V ±20V 2754pF @ 20V
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117W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN3R3-40YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V LFPAK 12,501 - 立即发货 可供应: 12,501 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 100A(Tc) 10V 3.3 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 49nC @ 10V ±20V 2754pF @ 20V
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117W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN3R3-40YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V LFPAK 12,501 - 立即发货 可供应: 12,501 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 100A(Tc) 10V 3.3 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 49nC @ 10V ±20V 2754pF @ 20V
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117W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
LND150N8-G - Microchip Technology LND150N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 500V 30mA(Tj) 0V 1000 欧姆 @ 500µA,0V
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±20V 10pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
LND150N8-G - Microchip Technology LND150N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 16,302 - 立即发货 可供应: 16,302 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 500V 30mA(Tj) 0V 1000 欧姆 @ 500µA,0V
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±20V 10pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
LND150N8-G - Microchip Technology LND150N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 16,302 - 立即发货 可供应: 16,302 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 500V 30mA(Tj) 0V 1000 欧姆 @ 500µA,0V
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±20V 10pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-89-3 TO-243AA
BSZ040N04LSGATMA1 - Infineon Technologies BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 18A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 36µA 64nC @ 10V ±20V 5100pF @ 20V
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2.1W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ040N04LSGATMA1 - Infineon Technologies BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 21,170 - 立即发货 可供应: 21,170 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 18A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 36µA 64nC @ 10V ±20V 5100pF @ 20V
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2.1W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ040N04LSGATMA1 - Infineon Technologies BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 21,170 - 立即发货 可供应: 21,170 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 18A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 36µA 64nC @ 10V ±20V 5100pF @ 20V
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2.1W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
STN3NF06 - STMicroelectronics STN3NF06 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 4A(Tc) 10V 100 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 13nC @ 10V ±20V 315pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN3NF06 - STMicroelectronics STN3NF06 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 7,888 - 立即发货 可供应: 7,888 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 4A(Tc) 10V 100 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 13nC @ 10V ±20V 315pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN3NF06 - STMicroelectronics STN3NF06 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 7,888 - 立即发货 可供应: 7,888 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 4A(Tc) 10V 100 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 13nC @ 10V ±20V 315pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
2N7000 - ON Semiconductor 2N7000 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 96,697 - 立即发货 可供应: 96,697 1 最低订购数量 : 1 散装?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 200mA(Ta) 4.5V,10V 5 欧姆 @ 500mA,10V 3V @ 1mA
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±20V 50pF @ 25V
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400mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 通孔 TO-92-3 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
SQJ457EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 36A(Tc) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 100nC @ 10V ±20V 3400pF @ 25V
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68W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SQJ457EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8 45,980 - 立即发货 可供应: 45,980 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 36A(Tc) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 100nC @ 10V ±20V 3400pF @ 25V
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68W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SQJ457EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8 45,980 - 立即发货 可供应: 45,980 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 36A(Tc) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 100nC @ 10V ±20V 3400pF @ 25V
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68W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
IRF7420TRPBF - Infineon Technologies IRF7420TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 12V 11.5A(Tc) 1.8V,4.5V 14 毫欧 @ 11.5A,4.5V 900mV @ 250µA 38nC @ 4.5V ±8V 3529pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7420TRPBF - Infineon Technologies IRF7420TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC 5,840 - 立即发货 可供应: 5,840 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 12V 11.5A(Tc) 1.8V,4.5V 14 毫欧 @ 11.5A,4.5V 900mV @ 250µA 38nC @ 4.5V ±8V 3529pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7420TRPBF - Infineon Technologies IRF7420TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC 5,840 - 立即发货 可供应: 5,840 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 12V 11.5A(Tc) 1.8V,4.5V 14 毫欧 @ 11.5A,4.5V 900mV @ 250µA 38nC @ 4.5V ±8V 3529pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
NTTFS5C454NLTAG - ON Semiconductor NTTFS5C454NLTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8 25,500 - 立即发货 可供应: 25,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 20A(Ta),85A(Tc) 4.5V,10V 3.8 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 1600pF @ 25V
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3.2W(Ta), 55W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
NTTFS5C454NLTAG - ON Semiconductor NTTFS5C454NLTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8 25,584 - 立即发货 可供应: 25,584 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 20A(Ta),85A(Tc) 4.5V,10V 3.8 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 1600pF @ 25V
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3.2W(Ta), 55W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
NTTFS5C454NLTAG - ON Semiconductor NTTFS5C454NLTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8 25,584 - 立即发货 可供应: 25,584 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 20A(Ta),85A(Tc) 4.5V,10V 3.8 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V 1600pF @ 25V
-
3.2W(Ta), 55W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
SI3483CDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3483CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP 372,000 - 立即发货 可供应: 372,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 34 毫欧 @ 6.1A,10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V ±20V 1000pF @ 15V
-
2W(Ta),4.2W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3483CDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3483CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP 372,673 - 立即发货 可供应: 372,673 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 34 毫欧 @ 6.1A,10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V ±20V 1000pF @ 15V
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2W(Ta),4.2W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3483CDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3483CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP 372,673 - 立即发货 可供应: 372,673 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 8A(Tc) 4.5V,10V 34 毫欧 @ 6.1A,10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V ±20V 1000pF @ 15V
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2W(Ta),4.2W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI2325DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 69,000 - 立即发货 可供应: 69,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 530mA(Ta) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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750mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2325DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 72,278 - 立即发货 可供应: 72,278 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 530mA(Ta) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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750mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2325DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 72,278 - 立即发货 可供应: 72,278 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 530mA(Ta) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
-
750mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SIA421DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 12A(Tc) 4.5V,10V 35 毫欧 @ 5.3A,10V 3V @ 250µA 29nC @ 10V ±20V 950pF @ 15V
-
3.5W(Ta),19W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 单 PowerPAK® SC-70-6
SIA421DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 26,247 - 立即发货 可供应: 26,247 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 12A(Tc) 4.5V,10V 35 毫欧 @ 5.3A,10V 3V @ 250µA 29nC @ 10V ±20V 950pF @ 15V
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3.5W(Ta),19W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 单 PowerPAK® SC-70-6
SIA421DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 26,247 - 立即发货 可供应: 26,247 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 12A(Tc) 4.5V,10V 35 毫欧 @ 5.3A,10V 3V @ 250µA 29nC @ 10V ±20V 950pF @ 15V
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3.5W(Ta),19W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 单 PowerPAK® SC-70-6
SI2325DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 530mA(Ta) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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750mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2325DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 25,254 - 立即发货 可供应: 25,254 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 530mA(Ta) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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750mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2325DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 25,254 - 立即发货 可供应: 25,254 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 530mA(Ta) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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750mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 2.2A(Tc) 6V,10V 270 毫欧 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 500pF @ 40V
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760mW(Ta),2.5W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 22,662 - 立即发货 可供应: 22,662 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 2.2A(Tc) 6V,10V 270 毫欧 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 500pF @ 40V
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760mW(Ta),2.5W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 22,662 - 立即发货 可供应: 22,662 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 2.2A(Tc) 6V,10V 270 毫欧 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 500pF @ 40V
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760mW(Ta),2.5W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SIS407DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 25A(Tc) 1.8V,4.5V 9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V 1V @ 250µA 93.8nC @ 8V ±8V 2760pF @ 10V
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3.6W(Ta),33W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SIS407DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK 16,407 - 立即发货 可供应: 16,407 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 25A(Tc) 1.8V,4.5V 9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V 1V @ 250µA 93.8nC @ 8V ±8V 2760pF @ 10V
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3.6W(Ta),33W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SIS407DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK 16,407 - 立即发货 可供应: 16,407 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 25A(Tc) 1.8V,4.5V 9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V 1V @ 250µA 93.8nC @ 8V ±8V 2760pF @ 10V
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3.6W(Ta),33W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
IRF7478TRPBF - Infineon Technologies IRF7478TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7A(Ta) 4.5V,10V 26 毫欧 @ 4.2A,10V 3V @ 250µA 31nC @ 4.5V ±20V 1740pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7478TRPBF - Infineon Technologies IRF7478TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC 12,090 - 立即发货 可供应: 12,090 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7A(Ta) 4.5V,10V 26 毫欧 @ 4.2A,10V 3V @ 250µA 31nC @ 4.5V ±20V 1740pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7478TRPBF - Infineon Technologies IRF7478TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC 12,090 - 立即发货 可供应: 12,090 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 7A(Ta) 4.5V,10V 26 毫欧 @ 4.2A,10V 3V @ 250µA 31nC @ 4.5V ±20V 1740pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DN3135N8-G - Microchip Technology DN3135N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 135mA(Tj) 0V 35 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 120pF @ 25V 耗尽模式 1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN3135N8-G - Microchip Technology DN3135N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 9,975 - 立即发货 可供应: 9,975 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 135mA(Tj) 0V 35 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 120pF @ 25V 耗尽模式 1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN3135N8-G - Microchip Technology DN3135N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 9,975 - 立即发货 可供应: 9,975 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 135mA(Tj) 0V 35 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 120pF @ 25V 耗尽模式 1.3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
SI7716ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 16A(Tc) 4.5V,10V 13.5 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 23nC @ 10V ±20V 846pF @ 15V
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3.5W(Ta),27.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7716ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 18,046 - 立即发货 可供应: 18,046 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 16A(Tc) 4.5V,10V 13.5 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 23nC @ 10V ±20V 846pF @ 15V
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3.5W(Ta),27.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7716ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 18,046 - 立即发货 可供应: 18,046 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 16A(Tc) 4.5V,10V 13.5 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 23nC @ 10V ±20V 846pF @ 15V
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3.5W(Ta),27.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
BSC100N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 23µA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V
-
2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC100N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 22,890 - 立即发货 可供应: 22,890 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 23µA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V
-
2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC100N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 22,890 - 立即发货 可供应: 22,890 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 10 毫欧 @ 50A,10V 2.2V @ 23µA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BUK7227-100B,118 - Nexperia USA Inc. BUK7227-100B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 48A DPAK 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 48A(Tc) 10V 27 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 37nC @ 10V ±20V 2789pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK7227-100B,118 - Nexperia USA Inc. BUK7227-100B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 48A DPAK 16,947 - 立即发货 可供应: 16,947 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 48A(Tc) 10V 27 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 37nC @ 10V ±20V 2789pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK7227-100B,118 - Nexperia USA Inc. BUK7227-100B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 48A DPAK 16,947 - 立即发货 可供应: 16,947 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 48A(Tc) 10V 27 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 37nC @ 10V ±20V 2789pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK9217-75B,118 - Nexperia USA Inc. BUK9217-75B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 75V 64A DPAK 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 64A(Tc) 5V,10V 15 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 1mA 35nC @ 5V ±15V 4029pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK9217-75B,118 - Nexperia USA Inc. BUK9217-75B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 75V 64A DPAK 11,066 - 立即发货 可供应: 11,066 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 64A(Tc) 5V,10V 15 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 1mA 35nC @ 5V ±15V 4029pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK9217-75B,118 - Nexperia USA Inc. BUK9217-75B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 75V 64A DPAK 11,066 - 立即发货 可供应: 11,066 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 64A(Tc) 5V,10V 15 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 1mA 35nC @ 5V ±15V 4029pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SQ7415AENW-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 16A(Tc) 4.5V,10V 65 毫欧 @ 5.7A,10V 2.5V @ 250µA 38nC @ 10V ±20V 1385pF @ 25V
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53W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SQ7415AENW-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 4,723 - 立即发货 可供应: 4,723 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 16A(Tc) 4.5V,10V 65 毫欧 @ 5.7A,10V 2.5V @ 250µA 38nC @ 10V ±20V 1385pF @ 25V
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53W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SQ7415AENW-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 4,723 - 立即发货 可供应: 4,723 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 16A(Tc) 4.5V,10V 65 毫欧 @ 5.7A,10V 2.5V @ 250µA 38nC @ 10V ±20V 1385pF @ 25V
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53W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
IRFR5505TRPBF - Infineon Technologies IRFR5505TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 58,000 - 立即发货 可供应: 58,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 18A(Tc) 10V 110 毫欧 @ 9.6A,10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 650pF @ 25V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR5505TRPBF - Infineon Technologies IRFR5505TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 58,764 - 立即发货 可供应: 58,764 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 18A(Tc) 10V 110 毫欧 @ 9.6A,10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 650pF @ 25V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR5505TRPBF - Infineon Technologies IRFR5505TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 58,764 - 立即发货 可供应: 58,764 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 18A(Tc) 10V 110 毫欧 @ 9.6A,10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 650pF @ 25V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD3N60CTM-WS - ON Semiconductor FQD3N60CTM-WS ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 2.4A(Tc) 10V 3.4 欧姆 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V ±30V 565pF @ 25V
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50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD3N60CTM-WS - ON Semiconductor FQD3N60CTM-WS ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK 14,445 - 立即发货 可供应: 14,445 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 2.4A(Tc) 10V 3.4 欧姆 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V ±30V 565pF @ 25V
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50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD3N60CTM-WS - ON Semiconductor FQD3N60CTM-WS ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK 14,445 - 立即发货 可供应: 14,445 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 2.4A(Tc) 10V 3.4 欧姆 @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V ±30V 565pF @ 25V
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50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK7240-100A,118 - Nexperia USA Inc. BUK7240-100A,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 34A DPAK 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 34A(Tc) 10V 40 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA
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±20V 2293pF @ 25V
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114W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK7240-100A,118 - Nexperia USA Inc. BUK7240-100A,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 34A DPAK 17,390 - 立即发货 可供应: 17,390 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 34A(Tc) 10V 40 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA
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±20V 2293pF @ 25V
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114W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK7240-100A,118 - Nexperia USA Inc. BUK7240-100A,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 34A DPAK 17,390 - 立即发货 可供应: 17,390 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 34A(Tc) 10V 40 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA
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±20V 2293pF @ 25V
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114W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
CSD17527Q5A - Texas Instruments CSD17527Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 42,500 - 立即发货 可供应: 42,500
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带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 65A(Tc) 4.5V,10V 10.8 毫欧 @ 11A,10V 2V @ 250µA 3.4nC @ 4.5V ±20V 506pF @ 15V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD17527Q5A - Texas Instruments CSD17527Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 44,300 - 立即发货 可供应: 44,300
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剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 65A(Tc) 4.5V,10V 10.8 毫欧 @ 11A,10V 2V @ 250µA 3.4nC @ 4.5V ±20V 506pF @ 15V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD17527Q5A - Texas Instruments CSD17527Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 44,300 - 立即发货 可供应: 44,300
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Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 65A(Tc) 4.5V,10V 10.8 毫欧 @ 11A,10V 2V @ 250µA 3.4nC @ 4.5V ±20V 506pF @ 15V
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3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
STN1NK80Z - STMicroelectronics STN1NK80Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
SuperMESH™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 250mA(Tc) 10V 16 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 50µA 7.7nC @ 10V ±30V 160pF @ 25V
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2.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN1NK80Z - STMicroelectronics STN1NK80Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 6,437 - 立即发货 可供应: 6,437 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
SuperMESH™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 250mA(Tc) 10V 16 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 50µA 7.7nC @ 10V ±30V 160pF @ 25V
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2.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN1NK80Z - STMicroelectronics STN1NK80Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 6,437 - 立即发货 可供应: 6,437 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
SuperMESH™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 250mA(Tc) 10V 16 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 50µA 7.7nC @ 10V ±30V 160pF @ 25V
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2.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
BUK9209-40B,118 - Nexperia USA Inc. BUK9209-40B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 75A DPAK 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 75A(Tc) 5V,10V 7 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 1mA 32nC @ 5V ±15V 3619pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK9209-40B,118 - Nexperia USA Inc. BUK9209-40B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 75A DPAK 14,199 - 立即发货 可供应: 14,199 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 75A(Tc) 5V,10V 7 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 1mA 32nC @ 5V ±15V 3619pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK9209-40B,118 - Nexperia USA Inc. BUK9209-40B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 75A DPAK 14,199 - 立即发货 可供应: 14,199 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 75A(Tc) 5V,10V 7 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 1mA 32nC @ 5V ±15V 3619pF @ 25V
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167W(Tc) -55°C ~ 185°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SIR426DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 30A(Tc) 4.5V,10V 10.5 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 31nC @ 10V ±20V 1160pF @ 20V
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4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SIR426DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 15,076 - 立即发货 可供应: 15,076 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 30A(Tc) 4.5V,10V 10.5 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 31nC @ 10V ±20V 1160pF @ 20V
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4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SIR426DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 15,076 - 立即发货 可供应: 15,076 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 30A(Tc) 4.5V,10V 10.5 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 31nC @ 10V ±20V 1160pF @ 20V
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4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
AOD403 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD403 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 15A TO252 117,500 - 立即发货 可供应: 117,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),70A(Tc) 10V,20V 6 毫欧 @ 20A,20V 3.5V @ 250µA 120nC @ 10V ±25V 5300pF @ 15V
-
2.5W(Ta),90W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
AOD403 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD403 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 15A TO252 119,574 - 立即发货 可供应: 119,574 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),70A(Tc) 10V,20V 6 毫欧 @ 20A,20V 3.5V @ 250µA 120nC @ 10V ±25V 5300pF @ 15V
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2.5W(Ta),90W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
AOD403 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD403 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 15A TO252 119,574 - 立即发货 可供应: 119,574 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),70A(Tc) 10V,20V 6 毫欧 @ 20A,20V 3.5V @ 250µA 120nC @ 10V ±25V 5300pF @ 15V
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2.5W(Ta),90W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZVP2110GTA - Diodes Incorporated ZVP2110GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 9,000 - 立即发货
53,000 - 厂方库存 ?
可供应: 9,000
1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 310mA(Ta) 10V 8 欧姆 @ 375mA,10V 3.5V @ 1mA
-
±20V 100pF @ 25V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP2110GTA - Diodes Incorporated ZVP2110GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 9,850 - 立即发货
53,000 - 厂方库存 ?
可供应: 9,850
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 310mA(Ta) 10V 8 欧姆 @ 375mA,10V 3.5V @ 1mA
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±20V 100pF @ 25V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP2110GTA - Diodes Incorporated ZVP2110GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 9,850 - 立即发货
53,000 - 厂方库存 ?
可供应: 9,850
1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 310mA(Ta) 10V 8 欧姆 @ 375mA,10V 3.5V @ 1mA
-
±20V 100pF @ 25V
-
2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
BSC030N04NSGATMA1 - Infineon Technologies BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 23A(Ta),100A(Tc) 10V 3 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 49µA 61nC @ 10V ±20V 4900pF @ 20V
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2.5W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC030N04NSGATMA1 - Infineon Technologies BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 17,639 - 立即发货 可供应: 17,639 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 23A(Ta),100A(Tc) 10V 3 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 49µA 61nC @ 10V ±20V 4900pF @ 20V
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2.5W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
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