| 图像 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | 现有数量  |
最低订购数量 |
包装 | 系列 | 零件状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | Vgs（最大值） | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | FET 功能 | 功率耗散（最大值） | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
_tmb.jpg "CSD17304Q3 - Texas Instruments") |
CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 56A 8SON | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），56A（Tc） | 3V，8V | 7.5 毫欧 @ 17A，8V | 1.8V @ 250µA | 6.6nC @ 4.5V | +10V，-8V | 955pF @ 15V |
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2.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 56A 8SON | 9,792 - 立即发货 可供应: 9,792 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），56A（Tc） | 3V，8V | 7.5 毫欧 @ 17A，8V | 1.8V @ 250µA | 6.6nC @ 4.5V | +10V，-8V | 955pF @ 15V |
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2.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 56A 8SON | 9,792 - 立即发货 可供应: 9,792 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），56A（Tc） | 3V，8V | 7.5 毫欧 @ 17A，8V | 1.8V @ 250µA | 6.6nC @ 4.5V | +10V，-8V | 955pF @ 15V |
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2.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD18543Q3A | Texas Instruments | 60V N CH MOSFET | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 |
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4.5V，10V |
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±20V |
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表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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CSD18543Q3A | Texas Instruments | 60V N CH MOSFET | 23,170 - 立即发货 可供应: 23,170 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 15.6 毫欧 @ 12A，4.5V | 2.7V @ 250µA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 1150pF @ 30V |
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66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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CSD18543Q3A | Texas Instruments | 60V N CH MOSFET | 23,170 - 立即发货 可供应: 23,170 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 15.6 毫欧 @ 12A，4.5V | 2.7V @ 250µA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 1150pF @ 30V |
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66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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SI7619DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK | 84,000 - 立即发货 可供应: 84,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 24A（Tc） | 4.5V，10V | 21 毫欧 @ 10.5A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 15V |
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3.5W（Ta），27.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SI7619DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK | 85,675 - 立即发货 可供应: 85,675 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 24A（Tc） | 4.5V，10V | 21 毫欧 @ 10.5A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 15V |
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3.5W（Ta），27.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SI7619DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK | 85,675 - 立即发货 可供应: 85,675 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 24A（Tc） | 4.5V，10V | 21 毫欧 @ 10.5A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 15V |
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3.5W（Ta），27.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 | 66,000 - 立即发货 可供应: 66,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 6A（Tc） | 1.5V，4.5V | 30 毫欧 @ 5A，4.5V | 1V @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | ±8V | 485pF @ 10V |
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2W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 | 66,268 - 立即发货 可供应: 66,268 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 6A（Tc） | 1.5V，4.5V | 30 毫欧 @ 5A，4.5V | 1V @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | ±8V | 485pF @ 10V |
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2W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 | 66,268 - 立即发货 可供应: 66,268 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 6A（Tc） | 1.5V，4.5V | 30 毫欧 @ 5A，4.5V | 1V @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | ±8V | 485pF @ 10V |
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2W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SI3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP | 54,000 - 立即发货 可供应: 54,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 19.5 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 33nC @ 10V | ±20V | 1295pF @ 15V |
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2W（Ta），4.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP | 55,316 - 立即发货 可供应: 55,316 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 19.5 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 33nC @ 10V | ±20V | 1295pF @ 15V |
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2W（Ta），4.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP | 55,316 - 立即发货 可供应: 55,316 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 19.5 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 33nC @ 10V | ±20V | 1295pF @ 15V |
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2W（Ta），4.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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FDS6375 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 8A（Ta） | 2.5V，4.5V | 24 毫欧 @ 8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 36nC @ 4.5V | ±8V | 2694pF @ 10V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS6375 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | 7,640 - 立即发货 可供应: 7,640 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 8A（Ta） | 2.5V，4.5V | 24 毫欧 @ 8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 36nC @ 4.5V | ±8V | 2694pF @ 10V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS6375 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | 7,640 - 立即发货 可供应: 7,640 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 8A（Ta） | 2.5V，4.5V | 24 毫欧 @ 8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 36nC @ 4.5V | ±8V | 2694pF @ 10V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SPD09P06PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 | 27,500 - 立即发货 可供应: 27,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.7A（Tc） | 4.5V，10V | 250 毫欧 @ 6.8A，10V | 2V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 450pF @ 25V |
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42W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SPD09P06PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 | 28,840 - 立即发货 可供应: 28,840 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.7A（Tc） | 4.5V，10V | 250 毫欧 @ 6.8A，10V | 2V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 450pF @ 25V |
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42W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SPD09P06PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 | 28,840 - 立即发货 可供应: 28,840 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.7A（Tc） | 4.5V，10V | 250 毫欧 @ 6.8A，10V | 2V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 450pF @ 25V |
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42W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7A（Ta）， 18.2A（Tc） | 4.5V，10V | 28 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 53.1nC @ 10V | ±20V | 2569pF @ 30V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 | 17,472 - 立即发货 可供应: 17,472 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7A（Ta）， 18.2A（Tc） | 4.5V，10V | 28 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 53.1nC @ 10V | ±20V | 2569pF @ 30V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 | 17,472 - 立即发货 可供应: 17,472 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7A（Ta）， 18.2A（Tc） | 4.5V，10V | 28 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 53.1nC @ 10V | ±20V | 2569pF @ 30V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | 19,500 - 立即发货 可供应: 19,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 61A（Tc） | 4.5V，10V | 11.3 毫欧 @ 15A，10V | 2.45V @ 1mA | 37.2nC @ 10V | ±20V | 2191pF @ 30V |
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91W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK33 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
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PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | 20,437 - 立即发货 可供应: 20,437 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 61A（Tc） | 4.5V，10V | 11.3 毫欧 @ 15A，10V | 2.45V @ 1mA | 37.2nC @ 10V | ±20V | 2191pF @ 30V |
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91W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK33 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
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PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | 20,437 - 立即发货 可供应: 20,437 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 61A（Tc） | 4.5V，10V | 11.3 毫欧 @ 15A，10V | 2.45V @ 1mA | 37.2nC @ 10V | ±20V | 2191pF @ 30V |
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91W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK33 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
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IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | 50,000 - 立即发货 可供应: 50,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1.8A（Tc） | 10V | 500 毫欧 @ 1.1A，10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 270pF @ 25V |
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2W（Ta），3.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | 50,362 - 立即发货 可供应: 50,362 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1.8A（Tc） | 10V | 500 毫欧 @ 1.1A，10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 270pF @ 25V |
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2W（Ta），3.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | 50,362 - 立即发货 可供应: 50,362 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1.8A（Tc） | 10V | 500 毫欧 @ 1.1A，10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 270pF @ 25V |
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2W（Ta），3.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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SI9435BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC | 37,500 - 立即发货 可供应: 37,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 4.1A（Ta） | 4.5V，10V | 42 毫欧 @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 10V | ±20V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI9435BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC | 38,287 - 立即发货 可供应: 38,287 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 4.1A（Ta） | 4.5V，10V | 42 毫欧 @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 10V | ±20V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI9435BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC | 38,287 - 立即发货 可供应: 38,287 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 4.1A（Ta） | 4.5V，10V | 42 毫欧 @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 10V | ±20V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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NTHS4101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 4.8A（Tj） | 1.8V，4.5V | 34 毫欧 @ 4.8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 35nC @ 4.5V | ±8V | 2100pF @ 16V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | ChipFET™ | 8-SMD，扁平引线 |
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NTHS4101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET | 21,484 - 立即发货 可供应: 21,484 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 4.8A（Tj） | 1.8V，4.5V | 34 毫欧 @ 4.8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 35nC @ 4.5V | ±8V | 2100pF @ 16V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | ChipFET™ | 8-SMD，扁平引线 |
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NTHS4101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET | 21,484 - 立即发货 可供应: 21,484 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 4.8A（Tj） | 1.8V，4.5V | 34 毫欧 @ 4.8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 35nC @ 4.5V | ±8V | 2100pF @ 16V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | ChipFET™ | 8-SMD，扁平引线 |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | 0 可供应: 0 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6.6A（Tc） | 10V | 480 毫欧 @ 3.9A，10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | ±20V | 350pF @ 25V |
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40W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | 1,670 - 立即发货 可供应: 1,670 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6.6A（Tc） | 10V | 480 毫欧 @ 3.9A，10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | ±20V | 350pF @ 25V |
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40W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | 1,670 - 立即发货 可供应: 1,670 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6.6A（Tc） | 10V | 480 毫欧 @ 3.9A，10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | ±20V | 350pF @ 25V |
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40W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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NTTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN | 40,500 - 立即发货 可供应: 40,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.7A（Ta） | 4.5V，10V | 52 毫欧 @ 6A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1258pF @ 30V |
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3.2W（Ta），40W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN | 41,025 - 立即发货 可供应: 41,025 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.7A（Ta） | 4.5V，10V | 52 毫欧 @ 6A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1258pF @ 30V |
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3.2W（Ta），40W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN | 41,025 - 立即发货 可供应: 41,025 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.7A（Ta） | 4.5V，10V | 52 毫欧 @ 6A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1258pF @ 30V |
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3.2W（Ta），40W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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STN2NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 2.4A（Tc） | 10V | 260 毫欧 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±20V | 280pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN2NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 | 13,489 - 立即发货 可供应: 13,489 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 2.4A（Tc） | 10V | 260 毫欧 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±20V | 280pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN2NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 | 13,489 - 立即发货 可供应: 13,489 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 2.4A（Tc） | 10V | 260 毫欧 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±20V | 280pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 16A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 3.6 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 16nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 12V |
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2.1W（Ta），37W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | 35,921 - 立即发货 可供应: 35,921 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 16A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 3.6 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 16nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 12V |
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2.1W（Ta），37W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | 35,921 - 立即发货 可供应: 35,921 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 16A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 3.6 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 16nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 12V |
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2.1W（Ta），37W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | 33,000 - 立即发货 可供应: 33,000 |
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带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101 | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 3A（Ta） | 5V | 120 毫欧 @ 1.5A，5V | 2V @ 250µA | 15nC @ 5V | ±15V | 440pF @ 25V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | 33,491 - 立即发货 可供应: 33,491 |
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剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101 | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 3A（Ta） | 5V | 120 毫欧 @ 1.5A，5V | 2V @ 250µA | 15nC @ 5V | ±15V | 440pF @ 25V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | 33,491 - 立即发货 可供应: 33,491 |
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Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101 | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 3A（Ta） | 5V | 120 毫欧 @ 1.5A，5V | 2V @ 250µA | 15nC @ 5V | ±15V | 440pF @ 25V |
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1.3W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 50A 8SON | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 11A（Ta），50A（Tc） | 6V，10V | 13 毫欧 @ 12A、 10V | 3.5V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 1480pF @ 30V |
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3.2W（Ta），75W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 50A 8SON | 24,468 - 立即发货 2,005 - 厂方库存 可供应: 24,468 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 11A（Ta），50A（Tc） | 6V，10V | 13 毫欧 @ 12A、 10V | 3.5V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 1480pF @ 30V |
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3.2W（Ta），75W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 50A 8SON | 24,468 - 立即发货 2,005 - 厂方库存 可供应: 24,468 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 11A（Ta），50A（Tc） | 6V，10V | 13 毫欧 @ 12A、 10V | 3.5V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 1480pF @ 30V |
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3.2W（Ta），75W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC | 52,500 - 立即发货 可供应: 52,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 19.7A（Tc） | 4.5V，10V | 9.8 毫欧 @ 13A，10V | 2.5V @ 250µA | 80nC @ 10V | ±20V | 2610pF @ 15V |
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2.5W（Ta），5.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC | 54,597 - 立即发货 可供应: 54,597 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 19.7A（Tc） | 4.5V，10V | 9.8 毫欧 @ 13A，10V | 2.5V @ 250µA | 80nC @ 10V | ±20V | 2610pF @ 15V |
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2.5W（Ta），5.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC | 54,597 - 立即发货 可供应: 54,597 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 19.7A（Tc） | 4.5V，10V | 9.8 毫欧 @ 13A，10V | 2.5V @ 250µA | 80nC @ 10V | ±20V | 2610pF @ 15V |
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2.5W（Ta），5.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta） | 10V | 180 毫欧 @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 750pF @ 25V |
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55W（Tj） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 45,985 - 立即发货 可供应: 45,985 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta） | 10V | 180 毫欧 @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 750pF @ 25V |
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55W（Tj） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 45,985 - 立即发货 可供应: 45,985 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta） | 10V | 180 毫欧 @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 750pF @ 25V |
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55W（Tj） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDT457N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 5.9nC @ 5V | ±20V | 235pF @ 15V |
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3W（Ta） | -65°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
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FDT457N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 | 11,738 - 立即发货 可供应: 11,738 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 5.9nC @ 5V | ±20V | 235pF @ 15V |
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3W（Ta） | -65°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
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FDT457N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 | 11,738 - 立即发货 可供应: 11,738 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 5.9nC @ 5V | ±20V | 235pF @ 15V |
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3W（Ta） | -65°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
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AON7528 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN | 27,000 - 立即发货 可供应: 27,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 45A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2895pF @ 15V |
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6.2W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（3x3） | 8-PowerVDFN |
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AON7528 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN | 27,357 - 立即发货 可供应: 27,357 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 45A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2895pF @ 15V |
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6.2W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（3x3） | 8-PowerVDFN |
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AON7528 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN | 27,357 - 立即发货 可供应: 27,357 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 45A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2895pF @ 15V |
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6.2W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（3x3） | 8-PowerVDFN |
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ZXMN7A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 | 7,000 - 立即发货 可供应: 7,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 70V | 2.7A（Ta） | 4.5V，10V | 130 毫欧 @ 4.4A，10V | 1V @ 250µA | 7.4nC @ 10V | ±20V | 298pF @ 40V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMN7A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 | 7,338 - 立即发货 可供应: 7,338 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 70V | 2.7A（Ta） | 4.5V，10V | 130 毫欧 @ 4.4A，10V | 1V @ 250µA | 7.4nC @ 10V | ±20V | 298pF @ 40V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMN7A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 | 7,338 - 立即发货 可供应: 7,338 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 70V | 2.7A（Ta） | 4.5V，10V | 130 毫欧 @ 4.4A，10V | 1V @ 250µA | 7.4nC @ 10V | ±20V | 298pF @ 40V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | 57,500 - 立即发货 可供应: 57,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.4A（Tc） | 10V | 185 毫欧 @ 4.7A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±30V | 550pF @ 25V |
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2.5W（Ta），38W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | 58,836 - 立即发货 可供应: 58,836 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.4A（Tc） | 10V | 185 毫欧 @ 4.7A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±30V | 550pF @ 25V |
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2.5W（Ta），38W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | 58,836 - 立即发货 可供应: 58,836 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.4A（Tc） | 10V | 185 毫欧 @ 4.7A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±30V | 550pF @ 25V |
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2.5W（Ta），38W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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CSD25402Q3A | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 76A 8SON | 340,000 - 立即发货 可供应: 340,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 76A（Tc） | 1.8V，4.5V | 8.9 毫欧 @ 10A，4.5V | 1.15V @ 250µA | 9.7nC @ 4.5V | ±12V | 1790pF @ 10V |
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2.8W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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CSD25402Q3A | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 76A 8SON | 340,937 - 立即发货 可供应: 340,937 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 76A（Tc） | 1.8V，4.5V | 8.9 毫欧 @ 10A，4.5V | 1.15V @ 250µA | 9.7nC @ 4.5V | ±12V | 1790pF @ 10V |
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2.8W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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CSD25402Q3A | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 76A 8SON | 340,937 - 立即发货 可供应: 340,937 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 76A（Tc） | 1.8V，4.5V | 8.9 毫欧 @ 10A，4.5V | 1.15V @ 250µA | 9.7nC @ 4.5V | ±12V | 1790pF @ 10V |
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2.8W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16.1A（Tc） | 4.5V，10V | 15 毫欧 @ 10.2A，10V | 2.5V @ 250µA | 95nC @ 10V | ±20V | 3007pF @ 20V |
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2.5W（Ta），6.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC | 9,368 - 立即发货 可供应: 9,368 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16.1A（Tc） | 4.5V，10V | 15 毫欧 @ 10.2A，10V | 2.5V @ 250µA | 95nC @ 10V | ±20V | 3007pF @ 20V |
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2.5W（Ta），6.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC | 9,368 - 立即发货 可供应: 9,368 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16.1A（Tc） | 4.5V，10V | 15 毫欧 @ 10.2A，10V | 2.5V @ 250µA | 95nC @ 10V | ±20V | 3007pF @ 20V |
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2.5W（Ta），6.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 | 22,000 - 立即发货 可供应: 22,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 2.7A（Ta） | 4.5V，10V | 120 毫欧 @ 2.5A，10V | 1V @ 250µA | 5.7nC @ 10V | ±20V | 330pF @ 40V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 | 22,245 - 立即发货 可供应: 22,245 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 2.7A（Ta） | 4.5V，10V | 120 毫欧 @ 2.5A，10V | 1V @ 250µA | 5.7nC @ 10V | ±20V | 330pF @ 40V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 | 22,245 - 立即发货 可供应: 22,245 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 2.7A（Ta） | 4.5V，10V | 120 毫欧 @ 2.5A，10V | 1V @ 250µA | 5.7nC @ 10V | ±20V | 330pF @ 40V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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AOD409 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 60V 26A TO252 | 212,500 - 立即发货 可供应: 212,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 26A（Tc） | 4.5V，10V | 40 毫欧 @ 20A，10V | 2.4V @ 250µA | 54nC @ 10V | ±20V | 3600pF @ 30V |
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2.5W（Ta），60W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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AOD409 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 60V 26A TO252 | 214,443 - 立即发货 可供应: 214,443 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 26A（Tc） | 4.5V，10V | 40 毫欧 @ 20A，10V | 2.4V @ 250µA | 54nC @ 10V | ±20V | 3600pF @ 30V |
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2.5W（Ta），60W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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AOD409 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 60V 26A TO252 | 214,443 - 立即发货 可供应: 214,443 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 26A（Tc） | 4.5V，10V | 40 毫欧 @ 20A，10V | 2.4V @ 250µA | 54nC @ 10V | ±20V | 3600pF @ 30V |
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2.5W（Ta），60W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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ZXMN6A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 2.8A（Ta） | 4.5V，10V | 80 毫欧 @ 4.8A，10V | 1V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | ±20V | 459pF @ 40V |
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1.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-26 | SOT-23-6 |
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ZXMN6A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | 48,247 - 立即发货 可供应: 48,247 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 2.8A（Ta） | 4.5V，10V | 80 毫欧 @ 4.8A，10V | 1V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | ±20V | 459pF @ 40V |
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1.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-26 | SOT-23-6 |
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ZXMN6A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | 48,247 - 立即发货 可供应: 48,247 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 2.8A（Ta） | 4.5V，10V | 80 毫欧 @ 4.8A，10V | 1V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | ±20V | 459pF @ 40V |
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1.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-26 | SOT-23-6 |
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ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 | 18,000 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 可供应: 18,000 |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 3.7A（Ta） | 4.5V，10V | 50 毫欧 @ 7.8A，10V | 1V @ 250µA | 12.6nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 25V |
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1.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
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ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 | 21,302 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 可供应: 21,302 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 3.7A（Ta） | 4.5V，10V | 50 毫欧 @ 7.8A，10V | 1V @ 250µA | 12.6nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 25V |
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1.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
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IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 17A（Tc） | 10V | 75 毫欧 @ 10A，10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 370pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 8,079 - 立即发货 可供应: 8,079 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 17A（Tc） | 10V | 75 毫欧 @ 10A，10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 370pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 8,079 - 立即发货 可供应: 8,079 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 17A（Tc） | 10V | 75 毫欧 @ 10A，10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 370pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDS6679AZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 9.3 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 96nC @ 10V | ±25V | 3845pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS6679AZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC | 31,330 - 立即发货 可供应: 31,330 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 9.3 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 96nC @ 10V | ±25V | 3845pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS6679AZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC | 31,330 - 立即发货 可供应: 31,330 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 9.3 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 96nC @ 10V | ±25V | 3845pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 19A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.6 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 26nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 15V |
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2.1W（Ta），48W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | 16,016 - 立即发货 可供应: 16,016 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 19A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.6 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 26nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 15V |
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2.1W（Ta），48W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | 16,016 - 立即发货 可供应: 16,016 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 19A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.6 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 26nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 15V |
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2.1W（Ta），48W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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TN2404K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 240V | 200mA（Ta） | 2.5V，10V | 4 欧姆 @ 300mA，10V | 2V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
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360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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TN2404K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 | 45,890 - 立即发货 可供应: 45,890 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 240V | 200mA（Ta） | 2.5V，10V | 4 欧姆 @ 300mA，10V | 2V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
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360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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TN2404K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 | 45,890 - 立即发货 可供应: 45,890 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 240V | 200mA（Ta） | 2.5V，10V | 4 欧姆 @ 300mA，10V | 2V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
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360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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FDMA8051L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 6-MLP | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 10A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1260pF @ 20V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-WDFN 裸露焊盘 |
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FDMA8051L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 6-MLP | 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 10A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1260pF @ 20V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-WDFN 裸露焊盘 |
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FDMA8051L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 6-MLP | 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 10A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1260pF @ 20V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-WDFN 裸露焊盘 |
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NTF6P02T3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 10A（Ta） | 2.5V，4.5V | 50 毫欧 @ 6A，4.5V | 1V @ 250µA | 20nC @ 4.5V | ±8V | 1200pF @ 16V |
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8.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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NTF6P02T3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 | 4,838 - 立即发货 可供应: 4,838 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 10A（Ta） | 2.5V，4.5V | 50 毫欧 @ 6A，4.5V | 1V @ 250µA | 20nC @ 4.5V | ±8V | 1200pF @ 16V |
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8.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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NTF6P02T3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 | 4,838 - 立即发货 可供应: 4,838 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 10A（Ta） | 2.5V，4.5V | 50 毫欧 @ 6A，4.5V | 1V @ 250µA | 20nC @ 4.5V | ±8V | 1200pF @ 16V |
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8.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 | 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 5.3A（Ta），18A（Tc） | 6V，10V | 44 毫欧 @ 12A，10V | 2.7V @ 12µA | 9.1nC @ 10V | ±20V | 640pF @ 50V |
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29W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 | 40,579 - 立即发货 可供应: 40,579 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 5.3A（Ta），18A（Tc） | 6V，10V | 44 毫欧 @ 12A，10V | 2.7V @ 12µA | 9.1nC @ 10V | ±20V | 640pF @ 50V |
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29W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 | 40,579 - 立即发货 可供应: 40,579 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 5.3A（Ta），18A（Tc） | 6V，10V | 44 毫欧 @ 12A，10V | 2.7V @ 12µA | 9.1nC @ 10V | ±20V | 640pF @ 50V |
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29W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK | 13,500 - 立即发货 可供应: 13,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 43A（Tc） | 10V | 20.5 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 41nC @ 10V | ±20V | 2210pF @ 50V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK | 15,711 - 立即发货 可供应: 15,711 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 43A（Tc） | 10V | 20.5 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 41nC @ 10V | ±20V | 2210pF @ 50V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN020-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK | 15,711 - 立即发货 可供应: 15,711 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 43A（Tc） | 10V | 20.5 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 41nC @ 10V | ±20V | 2210pF @ 50V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN2R4-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 70A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 2.2V @ 1mA | 51nC @ 10V | ±20V | 3264pF @ 15V |
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91W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK33 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
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PSMN2R4-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | 7,532 - 立即发货 可供应: 7,532 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 70A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 2.2V @ 1mA | 51nC @ 10V | ±20V | 3264pF @ 15V |
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91W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK33 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
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PSMN2R4-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | 7,532 - 立即发货 可供应: 7,532 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 70A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 2.2V @ 1mA | 51nC @ 10V | ±20V | 3264pF @ 15V |
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91W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK33 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
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ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 710mA（Ta） | 10V | 2 欧姆 @ 1A，10V | 2.4V @ 1mA |
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±20V | 75pF @ 18V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 | 10,374 - 立即发货 可供应: 10,374 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 710mA（Ta） | 10V | 2 欧姆 @ 1A，10V | 2.4V @ 1mA |
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±20V | 75pF @ 18V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 | 10,374 - 立即发货 可供应: 10,374 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 710mA（Ta） | 10V | 2 欧姆 @ 1A，10V | 2.4V @ 1mA |
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±20V | 75pF @ 18V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 112,500 - 立即发货 可供应: 112,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 3.1A（Ta） | 4V，10V | 65 毫欧 @ 3.1A，10V | 2V @ 250µA | 15.6nC @ 5V | ±16V | 510pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 117,081 - 立即发货 可供应: 117,081 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 3.1A（Ta） | 4V，10V | 65 毫欧 @ 3.1A，10V | 2V @ 250µA | 15.6nC @ 5V | ±16V | 510pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 117,081 - 立即发货 可供应: 117,081 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 3.1A（Ta） | 4V，10V | 65 毫欧 @ 3.1A，10V | 2V @ 250µA | 15.6nC @ 5V | ±16V | 510pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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FDMC6679AZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V POWER33 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11.5A（Ta），20A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 11.5A，10V | 3V @ 250µA | 91nC @ 10V | ±25V | 3970pF @ 15V |
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2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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FDMC6679AZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V POWER33 | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11.5A（Ta），20A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 11.5A，10V | 3V @ 250µA | 91nC @ 10V | ±25V | 3970pF @ 15V |
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2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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FDMC6679AZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V POWER33 | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11.5A（Ta），20A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 11.5A，10V | 3V @ 250µA | 91nC @ 10V | ±25V | 3970pF @ 15V |
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2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | 57,000 - 立即发货 可供应: 57,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 8A（Tc） | 1.8V，4.5V | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V | 1V @ 250µA | 24nC @ 8V | ±8V | 860pF @ 10V |
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2W（Ta），3.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | 57,889 - 立即发货 可供应: 57,889 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 8A（Tc） | 1.8V，4.5V | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V | 1V @ 250µA | 24nC @ 8V | ±8V | 860pF @ 10V |
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2W（Ta），3.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | 57,889 - 立即发货 可供应: 57,889 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 8A（Tc） | 1.8V，4.5V | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V | 1V @ 250µA | 24nC @ 8V | ±8V | 860pF @ 10V |
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2W（Ta），3.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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FQD5P20TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 3.7A（Tc） | 10V | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±30V | 430pF @ 25V |
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2.5W（Ta），45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD5P20TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK | 20,358 - 立即发货 可供应: 20,358 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 3.7A（Tc） | 10V | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±30V | 430pF @ 25V |
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2.5W（Ta），45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD5P20TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK | 20,358 - 立即发货 可供应: 20,358 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 3.7A（Tc） | 10V | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±30V | 430pF @ 25V |
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2.5W（Ta），45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 11.1A（Tc） | 4.5V，10V | 23 毫欧 @ 15A，10V | 2.8V @ 250µA | 29.5nC @ 10V | ±20V | 900pF @ 50V |
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2.5W（Ta），5.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC | 11,935 - 立即发货 可供应: 11,935 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 11.1A（Tc） | 4.5V，10V | 23 毫欧 @ 15A，10V | 2.8V @ 250µA | 29.5nC @ 10V | ±20V | 900pF @ 50V |
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2.5W（Ta），5.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC | 11,935 - 立即发货 可供应: 11,935 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 11.1A（Tc） | 4.5V，10V | 23 毫欧 @ 15A，10V | 2.8V @ 250µA | 29.5nC @ 10V | ±20V | 900pF @ 50V |
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2.5W（Ta），5.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC | 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Tc） | 4.5V，10V | 11.9 毫欧 @ 12A，10V | 2.4V @ 25µA | 52nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC | 19,765 - 立即发货 可供应: 19,765 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Tc） | 4.5V，10V | 11.9 毫欧 @ 12A，10V | 2.4V @ 25µA | 52nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC | 19,765 - 立即发货 可供应: 19,765 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Tc） | 4.5V，10V | 11.9 毫欧 @ 12A，10V | 2.4V @ 25µA | 52nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4435DY | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8.8A（Ta） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 8.8A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 5V | ±20V | 1604pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4435DY | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 14,189 - 立即发货 可供应: 14,189 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8.8A（Ta） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 8.8A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 5V | ±20V | 1604pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4435DY | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 14,189 - 立即发货 可供应: 14,189 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8.8A（Ta） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 8.8A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 5V | ±20V | 1604pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7465TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.9A（Ta） | 10V | 280 毫欧 @ 1.14A，10V | 5.5V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±30V | 330pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7465TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC | 12,735 - 立即发货 可供应: 12,735 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.9A（Ta） | 10V | 280 毫欧 @ 1.14A，10V | 5.5V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±30V | 330pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7465TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC | 12,735 - 立即发货 可供应: 12,735 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.9A（Ta） | 10V | 280 毫欧 @ 1.14A，10V | 5.5V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±30V | 330pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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NTF2955T1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 | 2,000 - 立即发货 可供应: 2,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1.7A（Ta） | 10V | 185 毫欧 @ 2.4A，10V | 4V @ 1mA | 14.3nC @ 10V | ±20V | 492pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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NTF2955T1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 | 3,487 - 立即发货 可供应: 3,487 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1.7A（Ta） | 10V | 185 毫欧 @ 2.4A，10V | 4V @ 1mA | 14.3nC @ 10V | ±20V | 492pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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NTF2955T1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 | 3,487 - 立即发货 可供应: 3,487 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1.7A（Ta） | 10V | 185 毫欧 @ 2.4A，10V | 4V @ 1mA | 14.3nC @ 10V | ±20V | 492pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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SI3437DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.4A（Tc） | 6V，10V | 750 毫欧 @ 1.4A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 50V |
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2W（Ta），3.2W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3437DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP | 18,273 - 立即发货 可供应: 18,273 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.4A（Tc） | 6V，10V | 750 毫欧 @ 1.4A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 50V |
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2W（Ta），3.2W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3437DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP | 18,273 - 立即发货 可供应: 18,273 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.4A（Tc） | 6V，10V | 750 毫欧 @ 1.4A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 50V |
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2W（Ta），3.2W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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FDN86246 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.6A（Ta） | 6V，10V | 261 毫欧 @ 1.6A，10V | 4V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 225pF @ 75V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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FDN86246 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT | 7,049 - 立即发货 可供应: 7,049 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.6A（Ta） | 6V，10V | 261 毫欧 @ 1.6A，10V | 4V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 225pF @ 75V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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FDN86246 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT | 7,049 - 立即发货 可供应: 7,049 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.6A（Ta） | 6V，10V | 261 毫欧 @ 1.6A，10V | 4V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 225pF @ 75V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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PSMN7R5-60YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | 25,500 - 立即发货 可供应: 25,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 86A（Tc） | 5V，10V | 7.5 毫欧 @ 20A，10V | 2.1V @ 1mA | 31nC @ 5V | ±20V | 4570pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN7R5-60YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | 26,746 - 立即发货 可供应: 26,746 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 86A（Tc） | 5V，10V | 7.5 毫欧 @ 20A，10V | 2.1V @ 1mA | 31nC @ 5V | ±20V | 4570pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN7R5-60YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | 26,746 - 立即发货 可供应: 26,746 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 86A（Tc） | 5V，10V | 7.5 毫欧 @ 20A，10V | 2.1V @ 1mA | 31nC @ 5V | ±20V | 4570pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 40A（Tc） | 6V，10V | 11 毫欧 @ 20A，10V | 3.8V @ 22µA | 18.5nC @ 10V | ±20V | 1300pF @ 40V |
|
50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 40A（Tc） | 6V，10V | 11 毫欧 @ 20A，10V | 3.8V @ 22µA | 18.5nC @ 10V | ±20V | 1300pF @ 40V |
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50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 40A（Tc） | 6V，10V | 11 毫欧 @ 20A，10V | 3.8V @ 22µA | 18.5nC @ 10V | ±20V | 1300pF @ 40V |
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50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 11A（Ta），20A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 23µA | 45nC @ 10V | ±20V | 3500pF @ 30V |
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2.1W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerVDFN |
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BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | 44,559 - 立即发货 可供应: 44,559 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 11A（Ta），20A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 23µA | 45nC @ 10V | ±20V | 3500pF @ 30V |
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2.1W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerVDFN |
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BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | 44,559 - 立即发货 可供应: 44,559 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 11A（Ta），20A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 23µA | 45nC @ 10V | ±20V | 3500pF @ 30V |
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2.1W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerVDFN |
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FDS6294 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 11.3 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 14nC @ 5V | ±20V | 1205pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS6294 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | 39,800 - 立即发货 可供应: 39,800 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 11.3 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 14nC @ 5V | ±20V | 1205pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS6294 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | 39,800 - 立即发货 可供应: 39,800 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 11.3 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 14nC @ 5V | ±20V | 1205pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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DN3135K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 72mA（Tj） | 0V | 35 欧姆 @ 150mA，0V |
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±20V | 120pF @ 25V | 耗尽模式 | 360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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DN3135K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 | 23,981 - 立即发货 可供应: 23,981 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 72mA（Tj） | 0V | 35 欧姆 @ 150mA，0V |
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±20V | 120pF @ 25V | 耗尽模式 | 360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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DN3135K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 | 23,981 - 立即发货 可供应: 23,981 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 72mA（Tj） | 0V | 35 欧姆 @ 150mA，0V |
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±20V | 120pF @ 25V | 耗尽模式 | 360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SI4431BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC | 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5.7A（Ta） | 4.5V，10V | 30 毫欧 @ 7.5A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 5V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4431BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC | 19,545 - 立即发货 可供应: 19,545 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5.7A（Ta） | 4.5V，10V | 30 毫欧 @ 7.5A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 5V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4431BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC | 19,545 - 立即发货 可供应: 19,545 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5.7A（Ta） | 4.5V，10V | 30 毫欧 @ 7.5A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 5V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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PSMN2R2-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 39nC @ 10V | ±20V | 2542pF @ 12V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN2R2-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 10,697 - 立即发货 可供应: 10,697 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 39nC @ 10V | ±20V | 2542pF @ 12V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN2R2-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 10,697 - 立即发货 可供应: 10,697 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 39nC @ 10V | ±20V | 2542pF @ 12V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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AO4425 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 63,000 - 立即发货 可供应: 63,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 38V | 14A（Ta） | 10V，20V | 10 毫欧 @ 14A，20V | 3.5V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±25V | 3800pF @ 20V |
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3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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AO4425 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 65,425 - 立即发货 可供应: 65,425 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 38V | 14A（Ta） | 10V，20V | 10 毫欧 @ 14A，20V | 3.5V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±25V | 3800pF @ 20V |
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3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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AO4425 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 65,425 - 立即发货 可供应: 65,425 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 38V | 14A（Ta） | 10V，20V | 10 毫欧 @ 14A，20V | 3.5V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±25V | 3800pF @ 20V |
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3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDMA910PZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 9.4A（Ta） | 1.8V，4.5V | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 29nC @ 4.5V | ±8V | 2805pF @ 10V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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FDMA910PZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET | 27,439 - 立即发货 可供应: 27,439 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 9.4A（Ta） | 1.8V，4.5V | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 29nC @ 4.5V | ±8V | 2805pF @ 10V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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FDMA910PZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET | 27,439 - 立即发货 可供应: 27,439 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 9.4A（Ta） | 1.8V，4.5V | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 29nC @ 4.5V | ±8V | 2805pF @ 10V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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FDS4685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC | 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 8.2A（Ta） | 4.5V，10V | 27 毫欧 @ 8.2A，10V | 3V @ 250µA | 27nC @ 5V | ±20V | 1872pF @ 20V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS4685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC | 37,099 - 立即发货 可供应: 37,099 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 8.2A（Ta） | 4.5V，10V | 27 毫欧 @ 8.2A，10V | 3V @ 250µA | 27nC @ 5V | ±20V | 1872pF @ 20V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS4685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC | 37,099 - 立即发货 可供应: 37,099 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 8.2A（Ta） | 4.5V，10V | 27 毫欧 @ 8.2A，10V | 3V @ 250µA | 27nC @ 5V | ±20V | 1872pF @ 20V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
,%20SC-63_tmb.jpg "SUD09P10-195-GE3 - Vishay Siliconix") |
SUD09P10-195-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | 94,000 - 立即发货 可供应: 94,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8.8A（Tc） | 4.5V，10V | 195 毫欧 @ 3.6A，10V | 2.5V @ 250µA | 34.8nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 50V |
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2.5W（Ta），32.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | 96,002 - 立即发货 可供应: 96,002 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8.8A（Tc） | 4.5V，10V | 195 毫欧 @ 3.6A，10V | 2.5V @ 250µA | 34.8nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 50V |
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2.5W（Ta），32.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | 96,002 - 立即发货 可供应: 96,002 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8.8A（Tc） | 4.5V，10V | 195 毫欧 @ 3.6A，10V | 2.5V @ 250µA | 34.8nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 50V |
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2.5W（Ta），32.1W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BSC050NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 39A（Ta），58A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 12V |
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2.5W（Ta），28W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC050NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 49,391 - 立即发货 可供应: 49,391 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 39A（Ta），58A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 12V |
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2.5W（Ta），28W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC050NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 49,391 - 立即发货 可供应: 49,391 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 39A（Ta），58A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 12V |
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2.5W（Ta），28W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 17A（Tc） | 4V，10V | 65 毫欧 @ 10A，10V | 2V @ 250µA | 15nC @ 5V | ±16V | 480pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 20,676 - 立即发货 可供应: 20,676 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 17A（Tc） | 4V，10V | 65 毫欧 @ 10A，10V | 2V @ 250µA | 15nC @ 5V | ±16V | 480pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 20,676 - 立即发货 可供应: 20,676 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 17A（Tc） | 4V，10V | 65 毫欧 @ 10A，10V | 2V @ 250µA | 15nC @ 5V | ±16V | 480pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD8896 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK | 50,000 - 立即发货 可供应: 50,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 17A（Ta），94A（Tc） | 4.5V，10V | 5.7 毫欧 @ 35A，10V | 2.5V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2525pF @ 15V |
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80W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD8896 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK | 52,569 - 立即发货 可供应: 52,569 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 17A（Ta），94A（Tc） | 4.5V，10V | 5.7 毫欧 @ 35A，10V | 2.5V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2525pF @ 15V |
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80W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD8896 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK | 52,569 - 立即发货 可供应: 52,569 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 17A（Ta），94A（Tc） | 4.5V，10V | 5.7 毫欧 @ 35A，10V | 2.5V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2525pF @ 15V |
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80W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK | 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 70V | 3.8A（Ta） | 4.5V，10V | 160 毫欧 @ 2.1A，10V | 1V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 635pF @ 40V |
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2.11W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK | 40,645 - 立即发货 可供应: 40,645 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 70V | 3.8A（Ta） | 4.5V，10V | 160 毫欧 @ 2.1A，10V | 1V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 635pF @ 40V |
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2.11W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK | 40,645 - 立即发货 可供应: 40,645 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 70V | 3.8A（Ta） | 4.5V，10V | 160 毫欧 @ 2.1A，10V | 1V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 635pF @ 40V |
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2.11W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 250V | 197mA（Ta） | 3.5V，10V | 14 欧姆 @ 200mA，10V | 2V @ 1mA | 3.45nC @ 10V | ±40V | 73pF @ 25V |
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1.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
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ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 | 22,924 - 立即发货 可供应: 22,924 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 250V | 197mA（Ta） | 3.5V，10V | 14 欧姆 @ 200mA，10V | 2V @ 1mA | 3.45nC @ 10V | ±40V | 73pF @ 25V |
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1.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
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DMP6023LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7.7A（Ta） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 53.1nC @ 10V | ±20V | 2569pF @ 30V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerDI3333-8 | 8-PowerWDFN |
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DMP6023LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 | 8,033 - 立即发货 可供应: 8,033 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7.7A（Ta） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 53.1nC @ 10V | ±20V | 2569pF @ 30V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerDI3333-8 | 8-PowerWDFN |
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DMP6023LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 | 8,033 - 立即发货 可供应: 8,033 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7.7A（Ta） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 53.1nC @ 10V | ±20V | 2569pF @ 30V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerDI3333-8 | 8-PowerWDFN |
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BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 18A（Ta），85A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 27µA | 47nC @ 10V | ±20V | 3700pF @ 20V |
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2.5W（Ta），57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 | 14,660 - 立即发货 可供应: 14,660 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 18A（Ta），85A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 27µA | 47nC @ 10V | ±20V | 3700pF @ 20V |
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2.5W（Ta），57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 | 14,660 - 立即发货 可供应: 14,660 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 18A（Ta），85A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 27µA | 47nC @ 10V | ±20V | 3700pF @ 20V |
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2.5W（Ta），57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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SUD08P06-155L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | 14,000 - 立即发货 可供应: 14,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 8.4A（Tc） | 4.5V，10V | 155 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 450pF @ 25V |
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1.7W（Ta），20.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SUD08P06-155L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | 17,189 - 立即发货 可供应: 17,189 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 8.4A（Tc） | 4.5V，10V | 155 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 450pF @ 25V |
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1.7W（Ta），20.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SUD08P06-155L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | 17,189 - 立即发货 可供应: 17,189 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 8.4A（Tc） | 4.5V，10V | 155 毫欧 @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 450pF @ 25V |
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1.7W（Ta），20.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRLL3303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 4.6A（Ta） | 4.5V，10V | 31 毫欧 @ 4.6A，10V | 1V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±16V | 840pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRLL3303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | 17,538 - 立即发货 可供应: 17,538 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 4.6A（Ta） | 4.5V，10V | 31 毫欧 @ 4.6A，10V | 1V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±16V | 840pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRLL3303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | 17,538 - 立即发货 可供应: 17,538 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 4.6A（Ta） | 4.5V，10V | 31 毫欧 @ 4.6A，10V | 1V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±16V | 840pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVP0545GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 | 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 450V | 75mA（Ta） | 10V | 150 欧姆 @ 50mA，10V | 4.5V @ 1mA |
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±20V | 120pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVP0545GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 | 35,491 - 立即发货 可供应: 35,491 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 450V | 75mA（Ta） | 10V | 150 欧姆 @ 50mA，10V | 4.5V @ 1mA |
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±20V | 120pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 40A（Tc） | 6V，10V | 6.8 毫欧 @ 20A，10V | 3.3V @ 20µA | 21nC @ 10V | ±20V | 1500pF @ 30V |
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2.1W（Ta）, 46W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | 5,030 - 立即发货 可供应: 5,030 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 40A（Tc） | 6V，10V | 6.8 毫欧 @ 20A，10V | 3.3V @ 20µA | 21nC @ 10V | ±20V | 1500pF @ 30V |
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2.1W（Ta）, 46W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | 5,030 - 立即发货 可供应: 5,030 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 40A（Tc） | 6V，10V | 6.8 毫欧 @ 20A，10V | 3.3V @ 20µA | 21nC @ 10V | ±20V | 1500pF @ 30V |
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2.1W（Ta）, 46W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
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NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 13A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 9.3 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | ±20V | 880pF @ 25V |
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3.1W（Ta），46W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 | 6,460 - 立即发货 可供应: 6,460 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 13A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 9.3 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | ±20V | 880pF @ 25V |
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3.1W（Ta），46W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 | 6,460 - 立即发货 可供应: 6,460 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 13A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 9.3 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | ±20V | 880pF @ 25V |
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3.1W（Ta），46W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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CSD18504Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 15A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 17A，10V | 2.4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 1656pF @ 20V |
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3.1W（Ta），77W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD18504Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 27,298 - 立即发货 可供应: 27,298 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 15A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 17A，10V | 2.4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 1656pF @ 20V |
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3.1W（Ta），77W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD18504Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 27,298 - 立即发货 可供应: 27,298 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 15A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 17A，10V | 2.4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 1656pF @ 20V |
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3.1W（Ta），77W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 7A（Tc） | 10V | 225 毫欧 @ 3.5A，10V | 4V @ 13µA | 5.6nC @ 10V | ±20V | 430pF @ 100V |
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34W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON | 10,931 - 立即发货 可供应: 10,931 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 7A（Tc） | 10V | 225 毫欧 @ 3.5A，10V | 4V @ 13µA | 5.6nC @ 10V | ±20V | 430pF @ 100V |
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34W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON | 10,931 - 立即发货 可供应: 10,931 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 7A（Tc） | 10V | 225 毫欧 @ 3.5A，10V | 4V @ 13µA | 5.6nC @ 10V | ±20V | 430pF @ 100V |
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34W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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MIC94052YC6-TR | Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 6V | 2A（Ta） | 1.8V，4.5V | 84 毫欧 @ 100mA，4.5V | 1.2V @ 250µA |
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6V |
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270mW（Ta） | -40°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SC-70-6 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
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MIC94052YC6-TR | Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 | 7,744 - 立即发货 可供应: 7,744 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 6V | 2A（Ta） | 1.8V，4.5V | 84 毫欧 @ 100mA，4.5V | 1.2V @ 250µA |
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6V |
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270mW（Ta） | -40°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SC-70-6 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
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MIC94052YC6-TR | Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 | 7,744 - 立即发货 可供应: 7,744 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 6V | 2A（Ta） | 1.8V，4.5V | 84 毫欧 @ 100mA，4.5V | 1.2V @ 250µA |
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6V |
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270mW（Ta） | -40°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SC-70-6 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
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SI7617DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 12.3 毫欧 @ 13.9A，10V | 2.5V @ 250µA | 59nC @ 10V | ±25V | 1800pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SI7617DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK | 5,367 - 立即发货 可供应: 5,367 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 12.3 毫欧 @ 13.9A，10V | 2.5V @ 250µA | 59nC @ 10V | ±25V | 1800pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SI7617DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK | 5,367 - 立即发货 可供应: 5,367 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 12.3 毫欧 @ 13.9A，10V | 2.5V @ 250µA | 59nC @ 10V | ±25V | 1800pF @ 15V |
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3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 | 19,000 - 立即发货 可供应: 19,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 300V | 350mA（Ta） | 10V | 6 欧姆 @ 250mA，10V | 2V @ 1mA |
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±20V | 120pF @ 25V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SC-73 | TO-261-4，TO-261AA |
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BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 | 19,288 - 立即发货 可供应: 19,288 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 300V | 350mA（Ta） | 10V | 6 欧姆 @ 250mA，10V | 2V @ 1mA |
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±20V | 120pF @ 25V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SC-73 | TO-261-4，TO-261AA |
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BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 | 19,288 - 立即发货 可供应: 19,288 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 300V | 350mA（Ta） | 10V | 6 欧姆 @ 250mA，10V | 2V @ 1mA |
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±20V | 120pF @ 25V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SC-73 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMN4A06GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 | 86,000 - 立即发货 可供应: 86,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 50 毫欧 @ 4.5A，10V | 1V @ 250µA | 18.2nC @ 10V | ±20V | 770pF @ 40V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMN4A06GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 | 86,375 - 立即发货 可供应: 86,375 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 50 毫欧 @ 4.5A，10V | 1V @ 250µA | 18.2nC @ 10V | ±20V | 770pF @ 40V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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PSMN4R0-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 10V | 4.2 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 38nC @ 10V | ±20V | 2410pF @ 20V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN4R0-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 23,323 - 立即发货 可供应: 23,323 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 10V | 4.2 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 38nC @ 10V | ±20V | 2410pF @ 20V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN4R0-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 23,323 - 立即发货 可供应: 23,323 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 10V | 4.2 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 38nC @ 10V | ±20V | 2410pF @ 20V |
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106W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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CSD17551Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 8SON | 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 |
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带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 48A（Tc） | 4.5V，10V | 8.8 毫欧 @ 11A，10V | 2.2V @ 250µA | 7.2nC @ 4.5V | ±20V | 1272pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD17551Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 8SON | 27,494 - 立即发货 可供应: 27,494 |
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剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 48A（Tc） | 4.5V，10V | 8.8 毫欧 @ 11A，10V | 2.2V @ 250µA | 7.2nC @ 4.5V | ±20V | 1272pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD17551Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 8SON | 27,494 - 立即发货 可供应: 27,494 |
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Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 48A（Tc） | 4.5V，10V | 8.8 毫欧 @ 11A，10V | 2.2V @ 250µA | 7.2nC @ 4.5V | ±20V | 1272pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC | 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Ta） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 16A，10V | 2.4V @ 50µA | 92nC @ 10V | ±20V | 2820pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC | 19,213 - 立即发货 可供应: 19,213 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Ta） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 16A，10V | 2.4V @ 50µA | 92nC @ 10V | ±20V | 2820pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC | 19,213 - 立即发货 可供应: 19,213 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Ta） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 16A，10V | 2.4V @ 50µA | 92nC @ 10V | ±20V | 2820pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 6.7A（Ta） | 2.7V，4.5V | 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V | 700mV @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±12V | 1500pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC | 4,808 - 立即发货 可供应: 4,808 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 6.7A（Ta） | 2.7V，4.5V | 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V | 700mV @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±12V | 1500pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC | 4,808 - 立即发货 可供应: 4,808 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 6.7A（Ta） | 2.7V，4.5V | 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V | 700mV @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±12V | 1500pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS8447 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 12.8A（Ta） | 4.5V，10V | 10.5 毫欧 @ 12.8A，10V | 3V @ 250µA | 49nC @ 10V | ±20V | 2600pF @ 20V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS8447 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC | 9,673 - 立即发货 可供应: 9,673 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 12.8A（Ta） | 4.5V，10V | 10.5 毫欧 @ 12.8A，10V | 3V @ 250µA | 49nC @ 10V | ±20V | 2600pF @ 20V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS8447 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC | 9,673 - 立即发货 可供应: 9,673 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 12.8A（Ta） | 4.5V，10V | 10.5 毫欧 @ 12.8A，10V | 3V @ 250µA | 49nC @ 10V | ±20V | 2600pF @ 20V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IPD50P04P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 | 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 10.6 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 85µA | 59nC @ 10V | ±16V | 3900pF @ 25V |
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58W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3-313 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD50P04P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 | 18,383 - 立即发货 可供应: 18,383 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 10.6 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 85µA | 59nC @ 10V | ±16V | 3900pF @ 25V |
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58W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3-313 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD50P04P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 | 18,383 - 立即发货 可供应: 18,383 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 10.6 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 85µA | 59nC @ 10V | ±16V | 3900pF @ 25V |
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58W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3-313 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | 67,500 - 立即发货 可供应: 67,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Ta） | 6V，10V | 15.1 毫欧 @ 10A，10V | 3.4V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 50V |
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3.2W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | 68,308 - 立即发货 可供应: 68,308 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Ta） | 6V，10V | 15.1 毫欧 @ 10A，10V | 3.4V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 50V |
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3.2W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | 68,308 - 立即发货 可供应: 68,308 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Ta） | 6V，10V | 15.1 毫欧 @ 10A，10V | 3.4V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 50V |
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3.2W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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FDMA86251 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.4A（Ta） | 6V，10V | 175m옴 @ 2.4A, 10V | 4V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | ±20V | 363pF @ 75V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-WDFN 裸露焊盘 |
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FDMA86251 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP | 31,743 - 立即发货 可供应: 31,743 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.4A（Ta） | 6V，10V | 175m옴 @ 2.4A, 10V | 4V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | ±20V | 363pF @ 75V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-WDFN 裸露焊盘 |
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FDMA86251 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP | 31,743 - 立即发货 可供应: 31,743 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.4A（Ta） | 6V，10V | 175m옴 @ 2.4A, 10V | 4V @ 250µA | 5.8nC @ 10V | ±20V | 363pF @ 75V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-WDFN 裸露焊盘 |
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ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 | 29,000 - 立即发货 43,000 - 厂方库存 可供应: 29,000 |
1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 250V | 240mA（Ta） | 2.4V，10V | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | 1.8V @ 1mA | 3.65nC @ 10V | ±40V | 72pF @ 25V |
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1.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 | 29,025 - 立即发货 43,000 - 厂方库存 可供应: 29,025 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 250V | 240mA（Ta） | 2.4V，10V | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | 1.8V @ 1mA | 3.65nC @ 10V | ±40V | 72pF @ 25V |
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1.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 | 29,025 - 立即发货 43,000 - 厂方库存 可供应: 29,025 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 250V | 240mA（Ta） | 2.4V，10V | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | 1.8V @ 1mA | 3.65nC @ 10V | ±40V | 72pF @ 25V |
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1.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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CSD17575Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 60A（Ta） | 4.5V，10V | 2.3 毫欧 @ 25A，10V | 1.8V @ 250µA | 30nC @ 4.5V | ±20V | 4420pF @ 15V |
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2.8W（Ta），108W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD17575Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 12,769 - 立即发货 可供应: 12,769 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 60A（Ta） | 4.5V，10V | 2.3 毫欧 @ 25A，10V | 1.8V @ 250µA | 30nC @ 4.5V | ±20V | 4420pF @ 15V |
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2.8W（Ta），108W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD17575Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 12,769 - 立即发货 可供应: 12,769 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 60A（Ta） | 4.5V，10V | 2.3 毫欧 @ 25A，10V | 1.8V @ 250µA | 30nC @ 4.5V | ±20V | 4420pF @ 15V |
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2.8W（Ta），108W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
;;2_tmb.jpg "STD12NF06T4 - STMicroelectronics") |
STD12NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Tc） | 10V | 100 毫欧 @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 25V |
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30W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STD12NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 2,599 - 立即发货 可供应: 2,599 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Tc） | 10V | 100 毫欧 @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 25V |
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30W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STD12NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 2,599 - 立即发货 可供应: 2,599 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Tc） | 10V | 100 毫欧 @ 6A，10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 25V |
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30W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STN1HNK60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 400mA（Tc） | 10V | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | 3.7V @ 250µA | 10nC @ 10V | ±30V | 156pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN1HNK60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 | 14,266 - 立即发货 可供应: 14,266 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 400mA（Tc） | 10V | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | 3.7V @ 250µA | 10nC @ 10V | ±30V | 156pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN1HNK60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 | 14,266 - 立即发货 可供应: 14,266 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 400mA（Tc） | 10V | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | 3.7V @ 250µA | 10nC @ 10V | ±30V | 156pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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SI7655ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 40A（Tc） | 2.5V，10V | 3.6 毫欧 @ 20A，10V | 1.1V @ 250µA | 225nC @ 10V | ±12V | 6600pF @ 10V |
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4.8W（Ta），57W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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SI7655ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S | 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 40A（Tc） | 2.5V，10V | 3.6 毫欧 @ 20A，10V | 1.1V @ 250µA | 225nC @ 10V | ±12V | 6600pF @ 10V |
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4.8W（Ta），57W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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SI7655ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S | 12,006 - 立即发货 可供应: 12,006 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 40A（Tc） | 2.5V，10V | 3.6 毫欧 @ 20A，10V | 1.1V @ 250µA | 225nC @ 10V | ±12V | 6600pF @ 10V |
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4.8W（Ta），57W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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AON6512 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN | 54,000 - 立即发货 可供应: 54,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 54A（Ta），150A（Tc） | 4.5V，10V | 1.7 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 64nC @ 10V | ±20V | 3430pF @ 15V |
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7.4W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
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AON6512 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN | 54,796 - 立即发货 可供应: 54,796 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 54A（Ta），150A（Tc） | 4.5V，10V | 1.7 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 64nC @ 10V | ±20V | 3430pF @ 15V |
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7.4W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
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AON6512 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN | 54,796 - 立即发货 可供应: 54,796 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 54A（Ta），150A（Tc） | 4.5V，10V | 1.7 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 64nC @ 10V | ±20V | 3430pF @ 15V |
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7.4W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
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IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 90A（Tc） | 10V | 4.1 毫欧 @ 90A，10V | 4V @ 35.2mA | 43nC @ 10V | ±20V | 3440pF @ 25V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3-313 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | 6,100 - 立即发货 可供应: 6,100 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 90A（Tc） | 10V | 4.1 毫欧 @ 90A，10V | 4V @ 35.2mA | 43nC @ 10V | ±20V | 3440pF @ 25V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3-313 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | 6,100 - 立即发货 可供应: 6,100 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 90A（Tc） | 10V | 4.1 毫欧 @ 90A，10V | 4V @ 35.2mA | 43nC @ 10V | ±20V | 3440pF @ 25V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3-313 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDS86106 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC | 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.4A（Ta） | 6V，10V | 105 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 4nC @ 10V | ±20V | 208pF @ 50V |
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5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS86106 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC | 27,338 - 立即发货 可供应: 27,338 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.4A（Ta） | 6V，10V | 105 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 4nC @ 10V | ±20V | 208pF @ 50V |
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5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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FDS86106 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC | 27,338 - 立即发货 可供应: 27,338 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.4A（Ta） | 6V，10V | 105 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 4nC @ 10V | ±20V | 208pF @ 50V |
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5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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ZXMP4A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 | 37,000 - 立即发货 可供应: 37,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 4.6A（Ta） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 3.8A，10V | 1V @ 250µA | 26.1nC @ 10V | ±20V | 1007pF @ 20V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMP4A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 | 37,889 - 立即发货 可供应: 37,889 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 4.6A（Ta） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 3.8A，10V | 1V @ 250µA | 26.1nC @ 10V | ±20V | 1007pF @ 20V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMP4A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 | 37,889 - 立即发货 可供应: 37,889 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 4.6A（Ta） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 3.8A，10V | 1V @ 250µA | 26.1nC @ 10V | ±20V | 1007pF @ 20V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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SI4435DYTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2320pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4435DYTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | 25,511 - 立即发货 可供应: 25,511 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2320pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4435DYTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | 25,511 - 立即发货 可供应: 25,511 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA | 60nC @ 10V | ±20V | 2320pF @ 15V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 27,500 - 立即发货 可供应: 27,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 50A（Tc） | 10V | 8.8 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 34µA | 48nC @ 10V | ±20V | 3900pF @ 30V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 29,571 - 立即发货 可供应: 29,571 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 50A（Tc） | 10V | 8.8 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 34µA | 48nC @ 10V | ±20V | 3900pF @ 30V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 29,571 - 立即发货 可供应: 29,571 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 50A（Tc） | 10V | 8.8 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 34µA | 48nC @ 10V | ±20V | 3900pF @ 30V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 34µA | 29nC @ 4.5V | ±20V | 4900pF @ 30V |
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79W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 17,117 - 立即发货 可供应: 17,117 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 34µA | 29nC @ 4.5V | ±20V | 4900pF @ 30V |
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79W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 17,117 - 立即发货 可供应: 17,117 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 34µA | 29nC @ 4.5V | ±20V | 4900pF @ 30V |
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79W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 12V | 12A（Tc） | 1.5V，4.5V | 29 毫欧 @ 6.7A，4.5V | 1V @ 250µA | 57nC @ 8V | ±8V | 1800pF @ 10V |
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3.5W（Ta），19W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 | 31,380 - 立即发货 可供应: 31,380 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 12V | 12A（Tc） | 1.5V，4.5V | 29 毫欧 @ 6.7A，4.5V | 1V @ 250µA | 57nC @ 8V | ±8V | 1800pF @ 10V |
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3.5W（Ta），19W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 | 31,380 - 立即发货 可供应: 31,380 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 12V | 12A（Tc） | 1.5V，4.5V | 29 毫欧 @ 6.7A，4.5V | 1V @ 250µA | 57nC @ 8V | ±8V | 1800pF @ 10V |
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3.5W（Ta），19W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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IRF7413TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 7.3A，10V | 3V @ 250µA | 79nC @ 10V | ±20V | 1800pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7413TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 4,096 - 立即发货 可供应: 4,096 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 7.3A，10V | 3V @ 250µA | 79nC @ 10V | ±20V | 1800pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7413TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 4,096 - 立即发货 可供应: 4,096 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 13A（Ta） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 7.3A，10V | 3V @ 250µA | 79nC @ 10V | ±20V | 1800pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 3.8A（Ta） | 4V，10V | 40 毫欧 @ 3.8A，10V | 2V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±16V | 870pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | 32,825 - 立即发货 可供应: 32,825 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 3.8A（Ta） | 4V，10V | 40 毫欧 @ 3.8A，10V | 2V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±16V | 870pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 | 32,825 - 立即发货 可供应: 32,825 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 3.8A（Ta） | 4V，10V | 40 毫欧 @ 3.8A，10V | 2V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±16V | 870pF @ 25V |
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1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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AON7421 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 30A（Ta），50A（Tc） | 2.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 20A，10V | 1.2V @ 250µA | 114nC @ 10V | ±12V | 4550pF @ 10V |
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6.2W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN-EP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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AON7421 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN | 22,920 - 立即发货 可供应: 22,920 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 30A（Ta），50A（Tc） | 2.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 20A，10V | 1.2V @ 250µA | 114nC @ 10V | ±12V | 4550pF @ 10V |
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6.2W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN-EP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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AON7421 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN | 22,920 - 立即发货 可供应: 22,920 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 30A（Ta），50A（Tc） | 2.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 20A，10V | 1.2V @ 250µA | 114nC @ 10V | ±12V | 4550pF @ 10V |
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6.2W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN-EP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NDT452AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 | 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 65 毫欧 @ 5A，10V | 2.8V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 690pF @ 15V |
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3W（Ta） | -65°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
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NDT452AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 | 18,245 - 立即发货 可供应: 18,245 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 65 毫欧 @ 5A，10V | 2.8V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 690pF @ 15V |
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3W（Ta） | -65°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
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NDT452AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 | 18,245 - 立即发货 可供应: 18,245 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5A（Ta） | 4.5V，10V | 65 毫欧 @ 5A，10V | 2.8V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 690pF @ 15V |
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3W（Ta） | -65°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
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BUK7Y14-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK | 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 65A（Tc） | 10V | 14 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 44.8nC @ 10V | ±20V | 3155pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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BUK7Y14-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK | 22,930 - 立即发货 可供应: 22,930 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 65A（Tc） | 10V | 14 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 44.8nC @ 10V | ±20V | 3155pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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BUK7Y14-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK | 22,930 - 立即发货 可供应: 22,930 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 65A（Tc） | 10V | 14 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 44.8nC @ 10V | ±20V | 3155pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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BUK9Y14-80E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK | 1,500 - 立即发货 可供应: 1,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 62A（Tc） | 5V | 14 毫欧 @ 15A，10V | 2.1V @ 1mA | 28.9nC @ 5V | ±10V | 4640pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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BUK9Y14-80E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK | 3,393 - 立即发货 可供应: 3,393 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 62A（Tc） | 5V | 14 毫欧 @ 15A，10V | 2.1V @ 1mA | 28.9nC @ 5V | ±10V | 4640pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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BUK9Y14-80E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK | 3,393 - 立即发货 可供应: 3,393 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 62A（Tc） | 5V | 14 毫欧 @ 15A，10V | 2.1V @ 1mA | 28.9nC @ 5V | ±10V | 4640pF @ 25V |
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147W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON | 42,500 - 立即发货 可供应: 42,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 21A（Ta），60A（Tc） | 3V，8V | 4.5 毫欧 @ 24A，8V | 1.4V @ 250µA | 8.4nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1300pF @ 12.5V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON | 44,271 - 立即发货 可供应: 44,271 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 21A（Ta），60A（Tc） | 3V，8V | 4.5 毫欧 @ 24A，8V | 1.4V @ 250µA | 8.4nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1300pF @ 12.5V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON | 44,271 - 立即发货 可供应: 44,271 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 21A（Ta），60A（Tc） | 3V，8V | 4.5 毫欧 @ 24A，8V | 1.4V @ 250µA | 8.4nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1300pF @ 12.5V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16A | 174,000 - 立即发货 可供应: 174,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 29 毫欧 @ 12A，10V | 2.5V @ 250µA | 21.2nC @ 4.5V | ±20V | 1875pF @ 20V |
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62.5W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16A | 176,794 - 立即发货 可供应: 176,794 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 29 毫欧 @ 12A，10V | 2.5V @ 250µA | 21.2nC @ 4.5V | ±20V | 1875pF @ 20V |
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62.5W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16A | 176,794 - 立即发货 可供应: 176,794 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 29 毫欧 @ 12A，10V | 2.5V @ 250µA | 21.2nC @ 4.5V | ±20V | 1875pF @ 20V |
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62.5W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | 26,000 - 立即发货 可供应: 26,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 11A（Tc） | 10V | 175 毫欧 @ 6.6A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 350pF @ 25V |
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38W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | 28,557 - 立即发货 可供应: 28,557 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 11A（Tc） | 10V | 175 毫欧 @ 6.6A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 350pF @ 25V |
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38W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | 28,557 - 立即发货 可供应: 28,557 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 11A（Tc） | 10V | 175 毫欧 @ 6.6A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 350pF @ 25V |
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38W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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NTD6416ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 74 毫欧 @ 19A，10V | 2.2V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 1000pF @ 25V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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NTD6416ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | 24,971 - 立即发货 可供应: 24,971 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 74 毫欧 @ 19A，10V | 2.2V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 1000pF @ 25V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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NTD6416ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | 24,971 - 立即发货 可供应: 24,971 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 74 毫欧 @ 19A，10V | 2.2V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 1000pF @ 25V |
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71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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DMP3010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 17A TO252 | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 17A（Ta） | 4.5V，10V | 8 毫欧 @ 10A，10V | 2.1V @ 250µA | 59.2nC @ 4.5V | ±20V | 6234pF @ 15V |
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1.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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DMP3010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 17A TO252 | 15,028 - 立即发货 可供应: 15,028 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 17A（Ta） | 4.5V，10V | 8 毫欧 @ 10A，10V | 2.1V @ 250µA | 59.2nC @ 4.5V | ±20V | 6234pF @ 15V |
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1.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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DMP3010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 17A TO252 | 15,028 - 立即发货 可供应: 15,028 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 17A（Ta） | 4.5V，10V | 8 毫欧 @ 10A，10V | 2.1V @ 250µA | 59.2nC @ 4.5V | ±20V | 6234pF @ 15V |
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1.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | 17,000 - 立即发货 可供应: 17,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1A（Ta） | 5V，10V | 1 欧姆 @ 1.5A，10V | 3V @ 1mA |
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±20V | 100pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | 17,860 - 立即发货 可供应: 17,860 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1A（Ta） | 5V，10V | 1 欧姆 @ 1.5A，10V | 3V @ 1mA |
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±20V | 100pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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CSD16406Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON | 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 19A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 5.3 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 8.1nC @ 4.5V | +16V，-12V | 1100pF @ 12.5V |
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2.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD16406Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON | 28,638 - 立即发货 可供应: 28,638 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 19A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 5.3 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 8.1nC @ 4.5V | +16V，-12V | 1100pF @ 12.5V |
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2.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD16406Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON | 28,638 - 立即发货 可供应: 28,638 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 19A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 5.3 毫欧 @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 8.1nC @ 4.5V | +16V，-12V | 1100pF @ 12.5V |
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2.7W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD19538Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | 14,250 - 立即发货 可供应: 14,250 | 250 最低订购数量 : 250 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 15A（Ta） | 6V，10V | 59 毫欧 @ 5A，10V | 3.8V @ 250µA | 4.3nC @ 10V | ±20V | 454pF @ 50V |
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2.8W（Ta）, 23W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（3x3.15） | 8-PowerVDFN |
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CSD19538Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | 14,444 - 立即发货 250 - 厂方库存 可供应: 14,444 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 15A（Ta） | 6V，10V | 59 毫欧 @ 5A，10V | 3.8V @ 250µA | 4.3nC @ 10V | ±20V | 454pF @ 50V |
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2.8W（Ta）, 23W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（3x3.15） | 8-PowerVDFN |
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CSD19538Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | 14,444 - 立即发货 250 - 厂方库存 可供应: 14,444 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 15A（Ta） | 6V，10V | 59 毫欧 @ 5A，10V | 3.8V @ 250µA | 4.3nC @ 10V | ±20V | 454pF @ 50V |
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2.8W（Ta）, 23W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（3x3.15） | 8-PowerVDFN |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 10A（Ta） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 5.6A，10V | 1V @ 250µA | 92nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 12,483 - 立即发货 可供应: 12,483 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 10A（Ta） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 5.6A，10V | 1V @ 250µA | 92nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 12,483 - 立即发货 可供应: 12,483 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 10A（Ta） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 5.6A，10V | 1V @ 250µA | 92nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8SON | 22,500 - 立即发货 可供应: 22,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Ta），60A（Tc） | 3V，8V | 5.4 毫欧 @ 18A，8V | 1.7V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1440pF @ 15V |
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2.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8SON | 24,410 - 立即发货 可供应: 24,410 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Ta），60A（Tc） | 3V，8V | 5.4 毫欧 @ 18A，8V | 1.7V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1440pF @ 15V |
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2.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8SON | 24,410 - 立即发货 可供应: 24,410 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Ta），60A（Tc） | 3V，8V | 5.4 毫欧 @ 18A，8V | 1.7V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1440pF @ 15V |
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2.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 18A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 3.5 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 74nC @ 10V | ±20V | 5700pF @ 15V |
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2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | 55,004 - 立即发货 可供应: 55,004 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 18A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 3.5 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 74nC @ 10V | ±20V | 5700pF @ 15V |
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2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | 55,004 - 立即发货 可供应: 55,004 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 18A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 3.5 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 74nC @ 10V | ±20V | 5700pF @ 15V |
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2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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CSD16340Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | 52,500 - 立即发货 可供应: 52,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 21A（Ta），60A（Tc） | 2.5V，8V | 4.5 毫欧 @ 20A，8V | 1.1V @ 250µA | 9.2nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1350pF @ 12.5V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD16340Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | 53,498 - 立即发货 可供应: 53,498 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 21A（Ta），60A（Tc） | 2.5V，8V | 4.5 毫欧 @ 20A，8V | 1.1V @ 250µA | 9.2nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1350pF @ 12.5V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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CSD16340Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | 53,498 - 立即发货 可供应: 53,498 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 21A（Ta），60A（Tc） | 2.5V，8V | 4.5 毫欧 @ 20A，8V | 1.1V @ 250µA | 9.2nC @ 4.5V | +10V，-8V | 1350pF @ 12.5V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | 8-PowerTDFN |
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FDMA7632 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 | 90,000 - 立即发货 可供应: 90,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9A（Ta） | 4.5V，10V | 19 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 15V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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FDMA7632 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 | 92,024 - 立即发货 可供应: 92,024 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9A（Ta） | 4.5V，10V | 19 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 15V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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FDMA7632 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 | 92,024 - 立即发货 可供应: 92,024 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9A（Ta） | 4.5V，10V | 19 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 15V |
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2.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-MicroFET（2x2） | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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PSMN7R0-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK | 43,500 - 立即发货 可供应: 43,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 89A（Tc） | 10V | 6.4 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 45nC @ 10V | ±20V | 2712pF @ 30V |
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117W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN7R0-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK | 46,218 - 立即发货 可供应: 46,218 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 89A（Tc） | 10V | 6.4 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 45nC @ 10V | ±20V | 2712pF @ 30V |
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117W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN7R0-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK | 46,218 - 立即发货 可供应: 46,218 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 89A（Tc） | 10V | 6.4 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 45nC @ 10V | ±20V | 2712pF @ 30V |
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117W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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SI8429DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 8V | 11.7A（Tc） | 1.2V，4.5V | 35 毫欧 @ 1A，4.5V | 800mV @ 250µA | 26nC @ 5V | ±5V | 1640pF @ 4V |
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2.77W（Ta），6.25W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 4-Microfoot | 4-XFBGA，CSPBGA |
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SI8429DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP | 15,835 - 立即发货 可供应: 15,835 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 8V | 11.7A（Tc） | 1.2V，4.5V | 35 毫欧 @ 1A，4.5V | 800mV @ 250µA | 26nC @ 5V | ±5V | 1640pF @ 4V |
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2.77W（Ta），6.25W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 4-Microfoot | 4-XFBGA，CSPBGA |
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SI8429DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP | 15,835 - 立即发货 可供应: 15,835 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 8V | 11.7A（Tc） | 1.2V，4.5V | 35 毫欧 @ 1A，4.5V | 800mV @ 250µA | 26nC @ 5V | ±5V | 1640pF @ 4V |
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2.77W（Ta），6.25W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 4-Microfoot | 4-XFBGA，CSPBGA |
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PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 10V | 3.3 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 49nC @ 10V | ±20V | 2754pF @ 20V |
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117W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | 12,501 - 立即发货 可供应: 12,501 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 10V | 3.3 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 49nC @ 10V | ±20V | 2754pF @ 20V |
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117W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | 12,501 - 立即发货 可供应: 12,501 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 10V | 3.3 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 49nC @ 10V | ±20V | 2754pF @ 20V |
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117W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
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LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 500V | 30mA（Tj） | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
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±20V | 10pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | 16,302 - 立即发货 可供应: 16,302 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 500V | 30mA（Tj） | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
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±20V | 10pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | 16,302 - 立即发货 可供应: 16,302 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 500V | 30mA（Tj） | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
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±20V | 10pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-89-3 | TO-243AA |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 18A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 36µA | 64nC @ 10V | ±20V | 5100pF @ 20V |
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2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | 21,170 - 立即发货 可供应: 21,170 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 18A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 36µA | 64nC @ 10V | ±20V | 5100pF @ 20V |
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2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | 21,170 - 立即发货 可供应: 21,170 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 18A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 36µA | 64nC @ 10V | ±20V | 5100pF @ 20V |
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2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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STN3NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 4A（Tc） | 10V | 100 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN3NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | 7,888 - 立即发货 可供应: 7,888 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 4A（Tc） | 10V | 100 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN3NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | 7,888 - 立即发货 可供应: 7,888 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 4A（Tc） | 10V | 100 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 25V |
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3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
,TO-226_straightlead_tmb.jpg "2N7000 - ON Semiconductor") |
2N7000 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | 96,697 - 立即发货 可供应: 96,697 | 1 最低订购数量 : 1 | 散装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 200mA（Ta） | 4.5V，10V | 5 欧姆 @ 500mA，10V | 3V @ 1mA |
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±20V | 50pF @ 25V |
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400mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
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SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8 | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 36A（Tc） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 3400pF @ 25V |
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68W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
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SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8 | 45,980 - 立即发货 可供应: 45,980 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 36A（Tc） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 3400pF @ 25V |
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68W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
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SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8 | 45,980 - 立即发货 可供应: 45,980 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 36A（Tc） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 3400pF @ 25V |
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68W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
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IRF7420TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 12V | 11.5A（Tc） | 1.8V，4.5V | 14 毫欧 @ 11.5A，4.5V | 900mV @ 250µA | 38nC @ 4.5V | ±8V | 3529pF @ 10V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7420TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC | 5,840 - 立即发货 可供应: 5,840 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 12V | 11.5A（Tc） | 1.8V，4.5V | 14 毫欧 @ 11.5A，4.5V | 900mV @ 250µA | 38nC @ 4.5V | ±8V | 3529pF @ 10V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7420TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC | 5,840 - 立即发货 可供应: 5,840 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 12V | 11.5A（Tc） | 1.8V，4.5V | 14 毫欧 @ 11.5A，4.5V | 900mV @ 250µA | 38nC @ 4.5V | ±8V | 3529pF @ 10V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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NTTFS5C454NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8 | 25,500 - 立即发货 可供应: 25,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 20A（Ta），85A（Tc） | 4.5V，10V | 3.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 1600pF @ 25V |
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3.2W（Ta）, 55W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5C454NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8 | 25,584 - 立即发货 可供应: 25,584 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 20A（Ta），85A（Tc） | 4.5V，10V | 3.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 1600pF @ 25V |
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3.2W（Ta）, 55W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5C454NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8 | 25,584 - 立即发货 可供应: 25,584 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 20A（Ta），85A（Tc） | 4.5V，10V | 3.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 1600pF @ 25V |
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3.2W（Ta）, 55W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP | 372,000 - 立即发货 可供应: 372,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 34 毫欧 @ 6.1A，10V | 3V @ 250µA | 33nC @ 10V | ±20V | 1000pF @ 15V |
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2W（Ta），4.2W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP | 372,673 - 立即发货 可供应: 372,673 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 34 毫欧 @ 6.1A，10V | 3V @ 250µA | 33nC @ 10V | ±20V | 1000pF @ 15V |
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2W（Ta），4.2W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP | 372,673 - 立即发货 可供应: 372,673 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8A（Tc） | 4.5V，10V | 34 毫欧 @ 6.1A，10V | 3V @ 250µA | 33nC @ 10V | ±20V | 1000pF @ 15V |
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2W（Ta），4.2W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
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SI2325DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 | 69,000 - 立即发货 可供应: 69,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 530mA（Ta） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
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750mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SI2325DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 | 72,278 - 立即发货 可供应: 72,278 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 530mA（Ta） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
|
750mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SI2325DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 | 72,278 - 立即发货 可供应: 72,278 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 530mA（Ta） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
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750mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Tc） | 4.5V，10V | 35 毫欧 @ 5.3A，10V | 3V @ 250µA | 29nC @ 10V | ±20V | 950pF @ 15V |
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3.5W（Ta），19W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 26,247 - 立即发货 可供应: 26,247 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Tc） | 4.5V，10V | 35 毫欧 @ 5.3A，10V | 3V @ 250µA | 29nC @ 10V | ±20V | 950pF @ 15V |
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3.5W（Ta），19W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 26,247 - 立即发货 可供应: 26,247 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Tc） | 4.5V，10V | 35 毫欧 @ 5.3A，10V | 3V @ 250µA | 29nC @ 10V | ±20V | 950pF @ 15V |
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3.5W（Ta），19W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 530mA（Ta） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
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750mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 | 25,254 - 立即发货 可供应: 25,254 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 530mA（Ta） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
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750mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 | 25,254 - 立即发货 可供应: 25,254 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 530mA（Ta） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
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750mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SI2337DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 2.2A（Tc） | 6V，10V | 270 毫欧 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 500pF @ 40V |
|
760mW（Ta），2.5W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
SI2337DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 | 22,662 - 立即发货 可供应: 22,662 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 2.2A（Tc） | 6V，10V | 270 毫欧 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 500pF @ 40V |
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760mW（Ta），2.5W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
SI2337DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 | 22,662 - 立即发货 可供应: 22,662 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 2.2A（Tc） | 6V，10V | 270 毫欧 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 500pF @ 40V |
|
760mW（Ta），2.5W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23-3（TO-236） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 25A（Tc） | 1.8V，4.5V | 9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V | 1V @ 250µA | 93.8nC @ 8V | ±8V | 2760pF @ 10V |
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3.6W（Ta），33W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK | 16,407 - 立即发货 可供应: 16,407 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 25A（Tc） | 1.8V，4.5V | 9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V | 1V @ 250µA | 93.8nC @ 8V | ±8V | 2760pF @ 10V |
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3.6W（Ta），33W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK | 16,407 - 立即发货 可供应: 16,407 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 25A（Tc） | 1.8V，4.5V | 9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V | 1V @ 250µA | 93.8nC @ 8V | ±8V | 2760pF @ 10V |
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3.6W（Ta），33W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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IRF7478TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7A（Ta） | 4.5V，10V | 26 毫欧 @ 4.2A，10V | 3V @ 250µA | 31nC @ 4.5V | ±20V | 1740pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7478TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC | 12,090 - 立即发货 可供应: 12,090 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7A（Ta） | 4.5V，10V | 26 毫欧 @ 4.2A，10V | 3V @ 250µA | 31nC @ 4.5V | ±20V | 1740pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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IRF7478TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC | 12,090 - 立即发货 可供应: 12,090 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 7A（Ta） | 4.5V，10V | 26 毫欧 @ 4.2A，10V | 3V @ 250µA | 31nC @ 4.5V | ±20V | 1740pF @ 25V |
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2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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DN3135N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 135mA（Tj） | 0V | 35 欧姆 @ 150mA，0V |
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±20V | 120pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
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DN3135N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 | 9,975 - 立即发货 可供应: 9,975 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 135mA（Tj） | 0V | 35 欧姆 @ 150mA，0V |
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±20V | 120pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
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DN3135N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 | 9,975 - 立即发货 可供应: 9,975 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 135mA（Tj） | 0V | 35 欧姆 @ 150mA，0V |
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±20V | 120pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
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SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 13.5 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 23nC @ 10V | ±20V | 846pF @ 15V |
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3.5W（Ta），27.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 | 18,046 - 立即发货 可供应: 18,046 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 13.5 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 23nC @ 10V | ±20V | 846pF @ 15V |
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3.5W（Ta），27.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 | 18,046 - 立即发货 可供应: 18,046 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 13.5 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 23nC @ 10V | ±20V | 846pF @ 15V |
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3.5W（Ta），27.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 23µA | 45nC @ 10V | ±20V | 3500pF @ 30V |
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2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | 22,890 - 立即发货 可供应: 22,890 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 23µA | 45nC @ 10V | ±20V | 3500pF @ 30V |
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2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | 22,890 - 立即发货 可供应: 22,890 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 10 毫欧 @ 50A，10V | 2.2V @ 23µA | 45nC @ 10V | ±20V | 3500pF @ 30V |
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2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BUK7227-100B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 48A（Tc） | 10V | 27 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 37nC @ 10V | ±20V | 2789pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK7227-100B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK | 16,947 - 立即发货 可供应: 16,947 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 48A（Tc） | 10V | 27 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 37nC @ 10V | ±20V | 2789pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK7227-100B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK | 16,947 - 立即发货 可供应: 16,947 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 48A（Tc） | 10V | 27 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 37nC @ 10V | ±20V | 2789pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK9217-75B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 64A DPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 64A（Tc） | 5V，10V | 15 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 35nC @ 5V | ±15V | 4029pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK9217-75B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 64A DPAK | 11,066 - 立即发货 可供应: 11,066 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 64A（Tc） | 5V，10V | 15 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 35nC @ 5V | ±15V | 4029pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK9217-75B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 64A DPAK | 11,066 - 立即发货 可供应: 11,066 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 64A（Tc） | 5V，10V | 15 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 35nC @ 5V | ±15V | 4029pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SQ7415AENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 65 毫欧 @ 5.7A，10V | 2.5V @ 250µA | 38nC @ 10V | ±20V | 1385pF @ 25V |
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53W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SQ7415AENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 | 4,723 - 立即发货 可供应: 4,723 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 65 毫欧 @ 5.7A，10V | 2.5V @ 250µA | 38nC @ 10V | ±20V | 1385pF @ 25V |
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53W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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SQ7415AENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 | 4,723 - 立即发货 可供应: 4,723 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Tc） | 4.5V，10V | 65 毫欧 @ 5.7A，10V | 2.5V @ 250µA | 38nC @ 10V | ±20V | 1385pF @ 25V |
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53W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | 58,000 - 立即发货 可供应: 58,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 18A（Tc） | 10V | 110 毫欧 @ 9.6A，10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 650pF @ 25V |
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57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | 58,764 - 立即发货 可供应: 58,764 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 18A（Tc） | 10V | 110 毫欧 @ 9.6A，10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 650pF @ 25V |
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57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | 58,764 - 立即发货 可供应: 58,764 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 18A（Tc） | 10V | 110 毫欧 @ 9.6A，10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 650pF @ 25V |
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57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD3N60CTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 2.4A（Tc） | 10V | 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±30V | 565pF @ 25V |
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50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD3N60CTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | 14,445 - 立即发货 可供应: 14,445 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 2.4A（Tc） | 10V | 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±30V | 565pF @ 25V |
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50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD3N60CTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | 14,445 - 立即发货 可供应: 14,445 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 2.4A（Tc） | 10V | 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±30V | 565pF @ 25V |
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50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK7240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 34A（Tc） | 10V | 40 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA |
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±20V | 2293pF @ 25V |
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114W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK7240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | 17,390 - 立即发货 可供应: 17,390 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 34A（Tc） | 10V | 40 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA |
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±20V | 2293pF @ 25V |
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114W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
BUK7240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | 17,390 - 立即发货 可供应: 17,390 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 34A（Tc） | 10V | 40 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA |
|
±20V | 2293pF @ 25V |
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114W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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CSD17527Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | 42,500 - 立即发货 可供应: 42,500 |
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带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 65A（Tc） | 4.5V，10V | 10.8 毫欧 @ 11A，10V | 2V @ 250µA | 3.4nC @ 4.5V | ±20V | 506pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD17527Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | 44,300 - 立即发货 可供应: 44,300 |
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剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 65A（Tc） | 4.5V，10V | 10.8 毫欧 @ 11A，10V | 2V @ 250µA | 3.4nC @ 4.5V | ±20V | 506pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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CSD17527Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | 44,300 - 立即发货 可供应: 44,300 |
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Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 65A（Tc） | 4.5V，10V | 10.8 毫欧 @ 11A，10V | 2V @ 250µA | 3.4nC @ 4.5V | ±20V | 506pF @ 15V |
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3W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
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STN1NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 250mA（Tc） | 10V | 16 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 50µA | 7.7nC @ 10V | ±30V | 160pF @ 25V |
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2.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN1NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 | 6,437 - 立即发货 可供应: 6,437 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 250mA（Tc） | 10V | 16 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 50µA | 7.7nC @ 10V | ±30V | 160pF @ 25V |
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2.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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STN1NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 | 6,437 - 立即发货 可供应: 6,437 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 250mA（Tc） | 10V | 16 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 50µA | 7.7nC @ 10V | ±30V | 160pF @ 25V |
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2.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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BUK9209-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A DPAK | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 75A（Tc） | 5V，10V | 7 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 32nC @ 5V | ±15V | 3619pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK9209-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A DPAK | 14,199 - 立即发货 可供应: 14,199 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 75A（Tc） | 5V，10V | 7 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 32nC @ 5V | ±15V | 3619pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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BUK9209-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A DPAK | 14,199 - 立即发货 可供应: 14,199 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 75A（Tc） | 5V，10V | 7 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 32nC @ 5V | ±15V | 3619pF @ 25V |
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167W（Tc） | -55°C ~ 185°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 10.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 31nC @ 10V | ±20V | 1160pF @ 20V |
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4.8W（Ta），41.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | 15,076 - 立即发货 可供应: 15,076 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 10.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 31nC @ 10V | ±20V | 1160pF @ 20V |
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4.8W（Ta），41.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | 15,076 - 立即发货 可供应: 15,076 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 10.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 31nC @ 10V | ±20V | 1160pF @ 20V |
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4.8W（Ta），41.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
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AOD403 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A TO252 | 117,500 - 立即发货 可供应: 117,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），70A（Tc） | 10V，20V | 6 毫欧 @ 20A，20V | 3.5V @ 250µA | 120nC @ 10V | ±25V | 5300pF @ 15V |
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2.5W（Ta），90W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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AOD403 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A TO252 | 119,574 - 立即发货 可供应: 119,574 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），70A（Tc） | 10V，20V | 6 毫欧 @ 20A，20V | 3.5V @ 250µA | 120nC @ 10V | ±25V | 5300pF @ 15V |
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2.5W（Ta），90W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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AOD403 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A TO252 | 119,574 - 立即发货 可供应: 119,574 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），70A（Tc） | 10V，20V | 6 毫欧 @ 20A，20V | 3.5V @ 250µA | 120nC @ 10V | ±25V | 5300pF @ 15V |
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2.5W（Ta），90W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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ZVP2110GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 | 9,000 - 立即发货 53,000 - 厂方库存 可供应: 9,000 |
1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 310mA（Ta） | 10V | 8 欧姆 @ 375mA，10V | 3.5V @ 1mA |
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±20V | 100pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVP2110GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 | 9,850 - 立即发货 53,000 - 厂方库存 可供应: 9,850 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 310mA（Ta） | 10V | 8 欧姆 @ 375mA，10V | 3.5V @ 1mA |
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±20V | 100pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVP2110GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223 | 9,850 - 立即发货 53,000 - 厂方库存 可供应: 9,850 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 310mA（Ta） | 10V | 8 欧姆 @ 375mA，10V | 3.5V @ 1mA |
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±20V | 100pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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BSC030N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 23A（Ta），100A（Tc） | 10V | 3 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 49µA | 61nC @ 10V | ±20V | 4900pF @ 20V |
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2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC030N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | 17,639 - 立即发货 可供应: 17,639 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 23A（Ta），100A（Tc） | 10V | 3 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 49µA | 61nC @ 10V | ±20V | 4900pF @ 20V |
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2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC030N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | 17,639 - 立即发货 可供应: 17,639 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 23A（Ta），100A（Tc） | 10V | 3 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 49µA | 61nC @ 10V | ±20V | 4900pF @ 20V |
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2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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ZVN4206GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1A（Ta） | 5V，10V | 1 欧姆 @ 1.5A，10V | 3V @ 1mA |
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±20V | 100pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZVN4206GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | 18,572 - 立即发货 可供应: 18,572 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 1A（Ta） | 5V，10V | 1 欧姆 @ 1.5A，10V | 3V @ 1mA |
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±20V | 100pF @ 25V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMP3A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5.4A（Ta） | 4.5V，10V | 45 毫欧 @ 4.2A，10V | 1V @ 250µA | 29.6nC @ 10V | ±20V | 1022pF @ 15V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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ZXMP3A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 | 3,870 - 立即发货 可供应: 3,870 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 5.4A（Ta） | 4.5V，10V | 45 毫欧 @ 4.2A，10V | 1V @ 250µA | 29.6nC @ 10V | ±20V | 1022pF @ 15V |
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2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
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FDD8447L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 15.2A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.5 毫欧 @ 14A，10V | 3V @ 250µA | 52nC @ 10V | ±20V | 1970pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），44W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD8447L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK | 24,637 - 立即发货 可供应: 24,637 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 15.2A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.5 毫欧 @ 14A，10V | 3V @ 250µA | 52nC @ 10V | ±20V | 1970pF @ 20V |
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3.1W（Ta），44W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD8447L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK | 24,637 - 立即发货 可供应: 24,637 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 15.2A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.5 毫欧 @ 14A，10V | 3V @ 250µA | 52nC @ 10V | ±20V | 1970pF @ 20V |
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3.1W（Ta），44W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STD6NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 6A DPAK | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6A（Tc） | 10V | 250 毫欧 @ 3A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±20V | 280pF @ 25V |
|
30W（Tc） | -65°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STD6NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 6A DPAK | 2,770 - 立即发货 可供应: 2,770 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6A（Tc） | 10V | 250 毫欧 @ 3A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±20V | 280pF @ 25V |
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30W（Tc） | -65°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STD6NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 6A DPAK | 2,770 - 立即发货 可供应: 2,770 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6A（Tc） | 10V | 250 毫欧 @ 3A，10V | 4V @ 250µA | 14nC @ 10V | ±20V | 280pF @ 25V |
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30W（Tc） | -65°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD6637 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 35V | 13A（Ta），55A（Tc） | 4.5V，10V | 11.6 毫欧 @ 14A，10V | 3V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±25V | 2370pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD6637 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK | 9,962 - 立即发货 可供应: 9,962 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 35V | 13A（Ta），55A（Tc） | 4.5V，10V | 11.6 毫欧 @ 14A，10V | 3V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±25V | 2370pF @ 20V |
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3.1W（Ta），57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FDD6637 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK | 9,962 - 立即发货 可供应: 9,962 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 35V | 13A（Ta），55A（Tc） | 4.5V，10V | 11.6 毫欧 @ 14A，10V | 3V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±25V | 2370pF @ 20V |
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3.1W（Ta），57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 65,000 - 立即发货 可供应: 65,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8.8A（Ta） | 4.5V，10V | 12 毫欧 @ 11.4A，10V | 3V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 65,939 - 立即发货 可供应: 65,939 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8.8A（Ta） | 4.5V，10V | 12 毫欧 @ 11.4A，10V | 3V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 65,939 - 立即发货 可供应: 65,939 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 8.8A（Ta） | 4.5V，10V | 12 毫欧 @ 11.4A，10V | 3V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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CSD19537Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | 12,500 - 立即发货 10,000 - 厂方库存 可供应: 12,500 |
2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Ta） | 6V，10V | 14.5 毫欧 @ 10A，10V | 3.6V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 50V |
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2.8W（Ta）, 83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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CSD19537Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | 13,775 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 可供应: 13,775 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Ta） | 6V，10V | 14.5 毫欧 @ 10A，10V | 3.6V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 50V |
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2.8W（Ta）, 83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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CSD19537Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | 13,775 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 可供应: 13,775 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Ta） | 6V，10V | 14.5 毫欧 @ 10A，10V | 3.6V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 1680pF @ 50V |
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2.8W（Ta）, 83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
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FDMC6688P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V POWER33 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 14A（Ta），56A（Tc） | 1.8V，4.5V | 6.5 毫欧 @ 14A，4.5V | 1V @ 250µA | 61nC @ 4.5V | ±8V | 7435pF @ 10V |
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2.3W（Ta），30W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 | 8-PowerWDFN |
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FDMC6688P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V POWER33 | 15,003 - 立即发货 可供应: 15,003 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 14A（Ta），56A（Tc） | 1.8V，4.5V | 6.5 毫欧 @ 14A，4.5V | 1V @ 250µA | 61nC @ 4.5V | ±8V | 7435pF @ 10V |
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2.3W（Ta），30W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 | 8-PowerWDFN |
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FDMC6688P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V POWER33 | 15,003 - 立即发货 可供应: 15,003 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 14A（Ta），56A（Tc） | 1.8V，4.5V | 6.5 毫欧 @ 14A，4.5V | 1V @ 250µA | 61nC @ 4.5V | ±8V | 7435pF @ 10V |
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2.3W（Ta），30W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 | 8-PowerWDFN |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | 65,000 - 立即发货 可供应: 65,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 5.7A（Tc） | 10V | 690 毫欧 @ 2.85A，10V | 5V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±30V | 770pF @ 25V |
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2.5W（Ta），55W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | 65,204 - 立即发货 可供应: 65,204 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 5.7A（Tc） | 10V | 690 毫欧 @ 2.85A，10V | 5V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±30V | 770pF @ 25V |
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2.5W（Ta），55W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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FQD7P20TM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | 65,204 - 立即发货 可供应: 65,204 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 5.7A（Tc） | 10V | 690 毫欧 @ 2.85A，10V | 5V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±30V | 770pF @ 25V |
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2.5W（Ta），55W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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SI4464DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 1.7A（Ta） | 6V，10V | 240 毫欧 @ 2.2A，10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4464DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC | 4,337 - 立即发货 可供应: 4,337 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 1.7A（Ta） | 6V，10V | 240 毫欧 @ 2.2A，10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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SI4464DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC | 4,337 - 立即发货 可供应: 4,337 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 1.7A（Ta） | 6V，10V | 240 毫欧 @ 2.2A，10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V |
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1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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STD2HNK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 2A（Tc） | 10V | 4.8 欧姆 @ 1A，10V | 4.5V @ 50µA | 15nC @ 10V | ±30V | 280pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STD2HNK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 14,591 - 立即发货 可供应: 14,591 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 2A（Tc） | 10V | 4.8 欧姆 @ 1A，10V | 4.5V @ 50µA | 15nC @ 10V | ±30V | 280pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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STD2HNK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 14,591 - 立即发货 可供应: 14,591 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SuperMESH™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 2A（Tc） | 10V | 4.8 欧姆 @ 1A，10V | 4.5V @ 50µA | 15nC @ 10V | ±30V | 280pF @ 25V |
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45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
.jpg "FDMC8878 - ON Semiconductor") |
FDMC8878 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 | 123,000 - 立即发货 可供应: 123,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9.6A（Ta），16.5A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 9.6A，10V | 3V @ 250µA | 26nC @ 10V | ±20V | 1230pF @ 15V |
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2.1W（Ta），31W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3），Power33 | 8-PowerWDFN |
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FDMC8878 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 | 123,223 - 立即发货 可供应: 123,223 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9.6A（Ta），16.5A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 9.6A，10V | 3V @ 250µA | 26nC @ 10V | ±20V | 1230pF @ 15V |
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2.1W（Ta），31W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3），Power33 | 8-PowerWDFN |
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FDMC8878 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 | 123,223 - 立即发货 可供应: 123,223 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9.6A（Ta），16.5A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 9.6A，10V | 3V @ 250µA | 26nC @ 10V | ±20V | 1230pF @ 15V |
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2.1W（Ta），31W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3），Power33 | 8-PowerWDFN |
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NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 6A（Ta） | 4.5V，10V | 52 毫欧 @ 7A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1258pF @ 25V |
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3.2W（Ta），21W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN | 13,429 - 立即发货 可供应: 13,429 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 6A（Ta） | 4.5V，10V | 52 毫欧 @ 7A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1258pF @ 25V |
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3.2W（Ta），21W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN | 13,429 - 立即发货 可供应: 13,429 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 6A（Ta） | 4.5V，10V | 52 毫欧 @ 7A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1258pF @ 25V |
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3.2W（Ta），21W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Ta），70A（Tc） | 4.5V，10V | 6.5 毫欧 @ 35A，10V | 2V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1400pF @ 25V |
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3.2W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8 | 10,155 - 立即发货 可供应: 10,155 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Ta），70A（Tc） | 4.5V，10V | 6.5 毫欧 @ 35A，10V | 2V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1400pF @ 25V |
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3.2W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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NTTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8 | 10,155 - 立即发货 可供应: 10,155 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Ta），70A（Tc） | 4.5V，10V | 6.5 毫欧 @ 35A，10V | 2V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1400pF @ 25V |
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3.2W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-WDFN（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
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FDD4685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK | 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 8.4A（Ta），32A（Tc） | 4.5V，10V | 27 毫欧 @ 8.4A，10V | 3V @ 250µA | 27nC @ 5V | ±20V | 2380pF @ 20V |
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69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252AA） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD4685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK | 19,996 - 立即发货 可供应: 19,996 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 8.4A（Ta），32A（Tc） | 4.5V，10V | 27 毫欧 @ 8.4A，10V | 3V @ 250µA | 27nC @ 5V | ±20V | 2380pF @ 20V |
|
69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252AA） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD4685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK | 19,996 - 立即发货 可供应: 19,996 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 8.4A（Ta），32A（Tc） | 4.5V，10V | 27 毫欧 @ 8.4A，10V | 3V @ 250µA | 27nC @ 5V | ±20V | 2380pF @ 20V |
|
69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252AA） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 7V，10V | 1.9 毫欧 @ 50A，10V | 3.4V @ 50µA | 65nC @ 10V | ±20V | 3770pF @ 25V |
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100W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8-34 | 8-PowerTDFN |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | 5,220 - 立即发货 可供应: 5,220 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 7V，10V | 1.9 毫欧 @ 50A，10V | 3.4V @ 50µA | 65nC @ 10V | ±20V | 3770pF @ 25V |
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100W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8-34 | 8-PowerTDFN |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | 5,220 - 立即发货 可供应: 5,220 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 100A（Tc） | 7V，10V | 1.9 毫欧 @ 50A，10V | 3.4V @ 50µA | 65nC @ 10V | ±20V | 3770pF @ 25V |
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100W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8-34 | 8-PowerTDFN |
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BSC160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 | 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8.8A（Ta），42A（Tc） | 6V，10V | 16 毫欧 @ 33A，10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 50V |
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60W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
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BSC160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON | 41,610 - 立即发货 可供应: 41,610 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8.8A（Ta），42A（Tc） | 6V，10V | 16 毫欧 @ 33A，10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 50V |
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60W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
