| 图像 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | 现有数量  |
最低订购数量 |
包装 | 系列 | 零件状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | Vgs（最大值） | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | FET 功能 | 功率耗散（最大值） | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON | 41,610 - 立即发货 可供应: 41,610 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8.8A（Ta），42A（Tc） | 6V，10V | 16 毫欧 @ 33A，10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1700pF @ 50V |
|
60W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
 |
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 18A（Tc） | 2.5V，10V | 8.6 毫欧 @ 10A，10V | 1.4V @ 250µA | 56nC @ 10V | ±12V | 1925pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC | 13,269 - 立即发货 可供应: 13,269 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 18A（Tc） | 2.5V，10V | 8.6 毫欧 @ 10A，10V | 1.4V @ 250µA | 56nC @ 10V | ±12V | 1925pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC | 13,269 - 立即发货 可供应: 13,269 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 18A（Tc） | 2.5V，10V | 8.6 毫欧 @ 10A，10V | 1.4V @ 250µA | 56nC @ 10V | ±12V | 1925pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
 |
SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR | 87,000 - 立即发货 可供应: 87,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.3V @ 250µA | 77nC @ 10V | +20V，-16V | 3595pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR | 88,130 - 立即发货 可供应: 88,130 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.3V @ 250µA | 77nC @ 10V | +20V，-16V | 3595pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR | 88,130 - 立即发货 可供应: 88,130 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.3V @ 250µA | 77nC @ 10V | +20V，-16V | 3595pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
 |
FDT86106LZ | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 | 4,000 - 立即发货 40,000 - 厂方库存 可供应: 4,000 |
4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.2A（Ta） | 4.5V，10V | 108 毫欧 @ 3.2A，10V | 2.2V @ 250µA | 7nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 50V |
|
2.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
FDT86106LZ | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 | 5,151 - 立即发货 40,000 - 厂方库存 可供应: 5,151 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.2A（Ta） | 4.5V，10V | 108 毫欧 @ 3.2A，10V | 2.2V @ 250µA | 7nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 50V |
|
2.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
FDT86106LZ | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 | 5,151 - 立即发货 40,000 - 厂方库存 可供应: 5,151 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.2A（Ta） | 4.5V，10V | 108 毫欧 @ 3.2A，10V | 2.2V @ 250µA | 7nC @ 10V | ±20V | 315pF @ 50V |
|
2.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
 |
SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 26 毫欧 @ 51A，10V | 2.1V @ 250µA | 34nC @ 10V | ±20V | 1386pF @ 15V |
|
56W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN |
| |
SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L | 17,840 - 立即发货 可供应: 17,840 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 26 毫欧 @ 51A，10V | 2.1V @ 250µA | 34nC @ 10V | ±20V | 1386pF @ 15V |
|
56W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN |
| |
SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L | 17,840 - 立即发货 可供应: 17,840 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 26 毫欧 @ 51A，10V | 2.1V @ 250µA | 34nC @ 10V | ±20V | 1386pF @ 15V |
|
56W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN |
;;2_tmb.jpg "STD25NF20 - STMicroelectronics") |
STD25NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 18A（Tc） | 10V | 125 毫欧 @ 10A，10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±20V | 940pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD25NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | 17,203 - 立即发货 可供应: 17,203 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 18A（Tc） | 10V | 125 毫欧 @ 10A，10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±20V | 940pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD25NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | 17,203 - 立即发货 可供应: 17,203 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 18A（Tc） | 10V | 125 毫欧 @ 10A，10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±20V | 940pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SI7625DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK | 54,000 - 立即发货 可供应: 54,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 7 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 126nC @ 10V | ±20V | 4427pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7625DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK | 56,289 - 立即发货 可供应: 56,289 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 7 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 126nC @ 10V | ±20V | 4427pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7625DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK | 56,289 - 立即发货 可供应: 56,289 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 7 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 126nC @ 10V | ±20V | 4427pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
 |
RJK0651DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK | 80,000 - 立即发货 可供应: 80,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 25A（Ta） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 12.5A，10V |
|
15nC @ 4.5V | ±20V | 2030pF @ 10V |
|
45W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK | SC-100，SOT-669 |
| |
RJK0651DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK | 84,467 - 立即发货 可供应: 84,467 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 25A（Ta） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 12.5A，10V |
|
15nC @ 4.5V | ±20V | 2030pF @ 10V |
|
45W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK | SC-100，SOT-669 |
| |
RJK0651DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK | 84,467 - 立即发货 可供应: 84,467 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 25A（Ta） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 12.5A，10V |
|
15nC @ 4.5V | ±20V | 2030pF @ 10V |
|
45W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK | SC-100，SOT-669 |
 |
FDS4465 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 13.5A（Ta） | 1.8V，4.5V | 8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 120nC @ 4.5V | ±8V | 8237pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS4465 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC | 17,166 - 立即发货 可供应: 17,166 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 13.5A（Ta） | 1.8V，4.5V | 8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 120nC @ 4.5V | ±8V | 8237pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS4465 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC | 17,166 - 立即发货 可供应: 17,166 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 13.5A（Ta） | 1.8V，4.5V | 8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 120nC @ 4.5V | ±8V | 8237pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
 |
SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 55A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 130nC @ 10V | ±20V | 4500pF @ 25V |
|
68W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8 | 5,838 - 立即发货 可供应: 5,838 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 55A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 130nC @ 10V | ±20V | 4500pF @ 25V |
|
68W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8 | 5,838 - 立即发货 可供应: 5,838 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 55A（Tc） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 130nC @ 10V | ±20V | 4500pF @ 25V |
|
68W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
FDS6576 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 11A（Ta） | 2.5V，4.5V | 14 毫欧 @ 11A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 60nC @ 4.5V | ±12V | 4044pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6576 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC | 3,672 - 立即发货 可供应: 3,672 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 11A（Ta） | 2.5V，4.5V | 14 毫欧 @ 11A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 60nC @ 4.5V | ±12V | 4044pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6576 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC | 3,672 - 立即发货 可供应: 3,672 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 11A（Ta） | 2.5V，4.5V | 14 毫欧 @ 11A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 60nC @ 4.5V | ±12V | 4044pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI7117DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.17A（Tc） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
|
3.2W（Ta），12.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7117DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 | 25,647 - 立即发货 可供应: 25,647 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.17A（Tc） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
|
3.2W（Ta），12.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7117DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 | 25,647 - 立即发货 可供应: 25,647 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.17A（Tc） | 6V，10V | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 4.5V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±20V | 510pF @ 25V |
|
3.2W（Ta），12.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
 |
FDMC8651 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），20A（Tc） | 2.5V，4.5V | 6.1 毫欧 @ 15A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 27.2nC @ 4.5V | ±12V | 3365pF @ 15V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | Power33 | 8-PowerTDFN |
| |
FDMC8651 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 | 11,205 - 立即发货 可供应: 11,205 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），20A（Tc） | 2.5V，4.5V | 6.1 毫欧 @ 15A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 27.2nC @ 4.5V | ±12V | 3365pF @ 15V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | Power33 | 8-PowerTDFN |
| |
FDMC8651 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 | 11,205 - 立即发货 可供应: 11,205 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 15A（Ta），20A（Tc） | 2.5V，4.5V | 6.1 毫欧 @ 15A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 27.2nC @ 4.5V | ±12V | 3365pF @ 15V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | Power33 | 8-PowerTDFN |
 |
ZVP2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 | 13,000 - 立即发货 可供应: 13,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 450mA（Ta） | 10V | 5 欧姆 @ 500mA，10V | 3.5V @ 1mA |
|
±20V | 100pF @ 18V |
|
2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
ZVP2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 | 13,367 - 立即发货 可供应: 13,367 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 450mA（Ta） | 10V | 5 欧姆 @ 500mA，10V | 3.5V @ 1mA |
|
±20V | 100pF @ 18V |
|
2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
ZVP2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 | 13,367 - 立即发货 可供应: 13,367 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 450mA（Ta） | 10V | 5 欧姆 @ 500mA，10V | 3.5V @ 1mA |
|
±20V | 100pF @ 18V |
|
2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
,%20SC-63_tmb.jpg "SUD19P06-60-GE3 - Vishay Siliconix") |
SUD19P06-60-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 | 62,000 - 立即发货 可供应: 62,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 18.3A（Tc） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 10A，10V | 3V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 1710pF @ 25V |
|
2.3W（Ta），38.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SUD19P06-60-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 | 62,371 - 立即发货 可供应: 62,371 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 18.3A（Tc） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 10A，10V | 3V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 1710pF @ 25V |
|
2.3W（Ta），38.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SUD19P06-60-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 | 62,371 - 立即发货 可供应: 62,371 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 18.3A（Tc） | 4.5V，10V | 60 毫欧 @ 10A，10V | 3V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 1710pF @ 25V |
|
2.3W（Ta），38.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 20A，10V | 3V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 1155pF @ 15V |
|
4.8W（Ta），41.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 15,165 - 立即发货 可供应: 15,165 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 20A，10V | 3V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 1155pF @ 15V |
|
4.8W（Ta），41.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 15,165 - 立即发货 可供应: 15,165 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 20A，10V | 3V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V | 1155pF @ 15V |
|
4.8W（Ta），41.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 20A，10V | 2.5V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±20V | 1785pF @ 20V |
|
5W（Ta），34.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 | 11,732 - 立即发货 可供应: 11,732 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 20A，10V | 2.5V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±20V | 1785pF @ 20V |
|
5W（Ta），34.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 | 11,732 - 立即发货 可供应: 11,732 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 6.6 毫欧 @ 20A，10V | 2.5V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±20V | 1785pF @ 20V |
|
5W（Ta），34.7W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
 |
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 24A（Ta） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 24A，10V | 2.35V @ 100µA | 66nC @ 4.5V | ±20V | 5720pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 6,496 - 立即发货 可供应: 6,496 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 24A（Ta） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 24A，10V | 2.35V @ 100µA | 66nC @ 4.5V | ±20V | 5720pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 6,496 - 立即发货 可供应: 6,496 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 24A（Ta） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 24A，10V | 2.35V @ 100µA | 66nC @ 4.5V | ±20V | 5720pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
 |
NTD5802NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16.4A（Ta），101A（Tc） | 5V，10V | 4.4 毫欧 @ 50A，10V | 3.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 5025pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），93.75W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
NTD5802NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK | 9,437 - 立即发货 可供应: 9,437 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16.4A（Ta），101A（Tc） | 5V，10V | 4.4 毫欧 @ 50A，10V | 3.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 5025pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），93.75W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
NTD5802NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK | 9,437 - 立即发货 可供应: 9,437 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 16.4A（Ta），101A（Tc） | 5V，10V | 4.4 毫欧 @ 50A，10V | 3.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 5025pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），93.75W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
BUK7Y6R0-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 1,500 - 立即发货 可供应: 1,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Tc） | 10V | 6 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 45.4nC @ 10V | ±20V | 4021pF @ 25V |
|
195W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
BUK7Y6R0-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 1,598 - 立即发货 可供应: 1,598 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Tc） | 10V | 6 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 45.4nC @ 10V | ±20V | 4021pF @ 25V |
|
195W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
BUK7Y6R0-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 1,598 - 立即发货 可供应: 1,598 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Tc） | 10V | 6 毫欧 @ 25A，10V | 4V @ 1mA | 45.4nC @ 10V | ±20V | 4021pF @ 25V |
|
195W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 24A（Tc） | 5V，10V | 70 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA | 7.5nC @ 5V | ±18V | 370pF @ 25V |
|
40W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | 5,032 - 立即发货 可供应: 5,032 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 24A（Tc） | 5V，10V | 70 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA | 7.5nC @ 5V | ±18V | 370pF @ 25V |
|
40W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | 5,032 - 立即发货 可供应: 5,032 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 24A（Tc） | 5V，10V | 70 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA | 7.5nC @ 5V | ±18V | 370pF @ 25V |
|
40W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
CoolMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 2A（Tc） | 10V | 2.7 欧姆 @ 1.2A，10V | 3.9V @ 120µA | 16nC @ 10V | ±20V | 290pF @ 100V |
|
42W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
CoolMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 2A（Tc） | 10V | 2.7 欧姆 @ 1.2A，10V | 3.9V @ 120µA | 16nC @ 10V | ±20V | 290pF @ 100V |
|
42W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
CoolMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 2A（Tc） | 10V | 2.7 欧姆 @ 1.2A，10V | 3.9V @ 120µA | 16nC @ 10V | ±20V | 290pF @ 100V |
|
42W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | 7,000 - 立即发货 可供应: 7,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 2.9A（Ta） | 10V | 125 毫欧 @ 2.9A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 859pF @ 50V |
|
2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | 7,529 - 立即发货 可供应: 7,529 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 2.9A（Ta） | 10V | 125 毫欧 @ 2.9A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 859pF @ 50V |
|
2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | 7,529 - 立即发货 可供应: 7,529 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 2.9A（Ta） | 10V | 125 毫欧 @ 2.9A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 859pF @ 50V |
|
2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
 |
FDD6685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 5V | ±25V | 1715pF @ 15V |
|
52W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD6685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK | 11,808 - 立即发货 可供应: 11,808 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 5V | ±25V | 1715pF @ 15V |
|
52W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD6685 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK | 11,808 - 立即发货 可供应: 11,808 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 24nC @ 5V | ±25V | 1715pF @ 15V |
|
52W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD5N60NZTM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
UniFET-II™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 4A（Tc） | 10V | 2 欧姆 @ 2A，10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±25V | 600pF @ 25V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD5N60NZTM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | 19,891 - 立即发货 可供应: 19,891 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
UniFET-II™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 4A（Tc） | 10V | 2 欧姆 @ 2A，10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±25V | 600pF @ 25V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD5N60NZTM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | 19,891 - 立即发货 可供应: 19,891 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
UniFET-II™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 4A（Tc） | 10V | 2 欧姆 @ 2A，10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±25V | 600pF @ 25V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SI7106DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 12.5A（Ta） | 2.5V，4.5V | 6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 27nC @ 4.5V | ±12V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7106DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | 30,998 - 立即发货 可供应: 30,998 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 12.5A（Ta） | 2.5V，4.5V | 6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 27nC @ 4.5V | ±12V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7106DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | 30,998 - 立即发货 可供应: 30,998 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 12.5A（Ta） | 2.5V，4.5V | 6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 27nC @ 4.5V | ±12V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
FQD2N90TM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 900V | 1.7A（Tc） | 10V | 7.2 欧姆 @ 850mA，10V | 5V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±30V | 500pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FQD2N90TM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | 11,913 - 立即发货 可供应: 11,913 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 900V | 1.7A（Tc） | 10V | 7.2 欧姆 @ 850mA，10V | 5V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±30V | 500pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FQD2N90TM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | 11,913 - 立即发货 可供应: 11,913 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 900V | 1.7A（Tc） | 10V | 7.2 欧姆 @ 850mA，10V | 5V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±30V | 500pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
_tmb.jpg "CSD18543Q3AT - Texas Instruments") |
CSD18543Q3AT | Texas Instruments | 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF | 44,750 - 立即发货 10,000 - 厂方库存 可供应: 44,750 |
250 最低订购数量 : 250 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 15.6 毫欧 @ 12A，4.5V | 2.7V @ 250µA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 1150pF @ 30V |
|
66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
| |
CSD18543Q3AT | Texas Instruments | 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF | 44,775 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 可供应: 44,775 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 15.6 毫欧 @ 12A，4.5V | 2.7V @ 250µA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 1150pF @ 30V |
|
66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
| |
CSD18543Q3AT | Texas Instruments | 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF | 44,775 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 可供应: 44,775 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Ta），60A（Tc） | 4.5V，10V | 15.6 毫欧 @ 12A，4.5V | 2.7V @ 250µA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 1150pF @ 30V |
|
66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 8-PowerVDFN |
 |
AON6268 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
AlphaSGT™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 44A（Tc） | 10V | 4.7 毫欧 @ 20A，10V | 2.3V @ 250µA | 65nC @ 10V | ±20V | 2520pF @ 30V |
|
56W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TA） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
AON6268 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN | 26,147 - 立即发货 可供应: 26,147 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
AlphaSGT™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 44A（Tc） | 10V | 4.7 毫欧 @ 20A，10V | 2.3V @ 250µA | 65nC @ 10V | ±20V | 2520pF @ 30V |
|
56W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TA） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
AON6268 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN | 26,147 - 立即发货 可供应: 26,147 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
AlphaSGT™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 44A（Tc） | 10V | 4.7 毫欧 @ 20A，10V | 2.3V @ 250µA | 65nC @ 10V | ±20V | 2520pF @ 30V |
|
56W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TA） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
 |
DN3545N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 450V | 200mA | 0V | 20 欧姆 @ 150mA，0V |
|
|
±20V | 360pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
| |
DN3545N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 | 11,441 - 立即发货 可供应: 11,441 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 450V | 200mA | 0V | 20 欧姆 @ 150mA，0V |
|
|
±20V | 360pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
| |
DN3545N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 | 11,441 - 立即发货 可供应: 11,441 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 450V | 200mA | 0V | 20 欧姆 @ 150mA，0V |
|
|
±20V | 360pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
| |
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 76,500 - 立即发货 可供应: 76,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Tc） | 10V | 5.2 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 56nC @ 10V | ±20V | 3501pF @ 30V |
|
130W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 79,263 - 立即发货 可供应: 79,263 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Tc） | 10V | 5.2 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 56nC @ 10V | ±20V | 3501pF @ 30V |
|
130W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 79,263 - 立即发货 可供应: 79,263 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Tc） | 10V | 5.2 毫欧 @ 15A，10V | 4V @ 1mA | 56nC @ 10V | ±20V | 3501pF @ 30V |
|
130W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 20.5 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 80µA | 72nC @ 10V | ±20V | 1650pF @ 25V |
|
136W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | 14,095 - 立即发货 可供应: 14,095 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 20.5 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 80µA | 72nC @ 10V | ±20V | 1650pF @ 25V |
|
136W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | 14,095 - 立即发货 可供应: 14,095 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 20.5 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 80µA | 72nC @ 10V | ±20V | 1650pF @ 25V |
|
136W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Tc） | 5V，10V | 90 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA（最小） | 10nC @ 4.5V | ±16V | 345pF @ 25V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D2PAK | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| |
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK | 5,983 - 立即发货 可供应: 5,983 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Tc） | 5V，10V | 90 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA（最小） | 10nC @ 4.5V | ±16V | 345pF @ 25V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D2PAK | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| |
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK | 5,983 - 立即发货 可供应: 5,983 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 16A（Tc） | 5V，10V | 90 毫欧 @ 8A，10V | 1V @ 250µA（最小） | 10nC @ 4.5V | ±16V | 345pF @ 25V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D2PAK | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
 |
STN4NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 6.5A（Tc） | 5V，10V | 50 毫欧 @ 2A，10V | 1V @ 250µA | 9nC @ 10V | ±16V | 330pF @ 25V |
|
3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
STN4NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | 9,104 - 立即发货 可供应: 9,104 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 6.5A（Tc） | 5V，10V | 50 毫欧 @ 2A，10V | 1V @ 250µA | 9nC @ 10V | ±16V | 330pF @ 25V |
|
3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
STN4NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | 9,104 - 立即发货 可供应: 9,104 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 6.5A（Tc） | 5V，10V | 50 毫欧 @ 2A，10V | 1V @ 250µA | 9nC @ 10V | ±16V | 330pF @ 25V |
|
3.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
ZVP4424GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223 | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 240V | 480mA（Ta） | 3.5V，10V | 9 欧姆 @ 200mA，10V | 2V @ 1mA |
|
±40V | 200pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
ZVP4424GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223 | 12,391 - 立即发货 可供应: 12,391 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 240V | 480mA（Ta） | 3.5V，10V | 9 欧姆 @ 200mA，10V | 2V @ 1mA |
|
±40V | 200pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-223 | TO-261-4，TO-261AA |
 |
CSD18503Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 4.3 毫欧 @ 22A，10V | 2.3V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2640pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），120W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18503Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 30,501 - 立即发货 可供应: 30,501 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 4.3 毫欧 @ 22A，10V | 2.3V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2640pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），120W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18503Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 30,501 - 立即发货 可供应: 30,501 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 4.3 毫欧 @ 22A，10V | 2.3V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2640pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），120W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18533Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 17A 8SON | 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 17A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 5.9 毫欧 @ 18A，10V | 2.3V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 2750pF @ 30V |
|
3.2W（Ta），116W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18533Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 17A 8SON | 25,150 - 立即发货 可供应: 25,150 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 17A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 5.9 毫欧 @ 18A，10V | 2.3V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 2750pF @ 30V |
|
3.2W（Ta），116W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18533Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 17A 8SON | 25,150 - 立即发货 可供应: 25,150 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 17A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 5.9 毫欧 @ 18A，10V | 2.3V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 2750pF @ 30V |
|
3.2W（Ta），116W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
IRLR2908TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 28 毫欧 @ 23A，10V | 2.5V @ 250µA | 33nC @ 4.5V | ±16V | 1890pF @ 25V |
|
120W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRLR2908TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | 20,280 - 立即发货 可供应: 20,280 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 28 毫欧 @ 23A，10V | 2.5V @ 250µA | 33nC @ 4.5V | ±16V | 1890pF @ 25V |
|
120W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRLR2908TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | 20,280 - 立即发货 可供应: 20,280 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 30A（Tc） | 4.5V，10V | 28 毫欧 @ 23A，10V | 2.5V @ 250µA | 33nC @ 4.5V | ±16V | 1890pF @ 25V |
|
120W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
FDMS4435BZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 47nC @ 10V | ±25V | 2050pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），39W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS4435BZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 | 6,080 - 立即发货 可供应: 6,080 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 47nC @ 10V | ±25V | 2050pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），39W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS4435BZ | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 | 6,080 - 立即发货 可供应: 6,080 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 9A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 20 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 47nC @ 10V | ±25V | 2050pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），39W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 21A（Tc） | 8V，10V | 52 毫欧 @ 18A，10V | 4V @ 35µA | 12nC @ 10V | ±20V | 890pF @ 75V |
|
57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON | 18,525 - 立即发货 可供应: 18,525 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 21A（Tc） | 8V，10V | 52 毫欧 @ 18A，10V | 4V @ 35µA | 12nC @ 10V | ±20V | 890pF @ 75V |
|
57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON | 18,525 - 立即发货 可供应: 18,525 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 21A（Tc） | 8V，10V | 52 毫欧 @ 18A，10V | 4V @ 35µA | 12nC @ 10V | ±20V | 890pF @ 75V |
|
57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 74,000 - 立即发货 可供应: 74,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 31A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 16A，10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 75,648 - 立即发货 可供应: 75,648 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 31A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 16A，10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 75,648 - 立即发货 可供应: 75,648 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 31A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 16A，10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 31A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 16A，10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 10,830 - 立即发货 可供应: 10,830 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 31A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 16A，10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 10,830 - 立即发货 可供应: 10,830 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 31A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 16A，10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDS4675 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 11A（Ta） | 4.5V，10V | 13 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 56nC @ 4.5V | ±20V | 4350pF @ 20V |
|
2.4W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS4675 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC | 3,822 - 立即发货 可供应: 3,822 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 11A（Ta） | 4.5V，10V | 13 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 56nC @ 4.5V | ±20V | 4350pF @ 20V |
|
2.4W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS4675 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC | 3,822 - 立即发货 可供应: 3,822 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 11A（Ta） | 4.5V，10V | 13 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 56nC @ 4.5V | ±20V | 4350pF @ 20V |
|
2.4W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI7810DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.4A（Ta） | 6V，10V | 62 毫欧 @ 5.4A，10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7810DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | 8,264 - 立即发货 可供应: 8,264 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.4A（Ta） | 6V，10V | 62 毫欧 @ 5.4A，10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7810DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | 8,264 - 立即发货 可供应: 8,264 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.4A（Ta） | 6V，10V | 62 毫欧 @ 5.4A，10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 7.2 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 102nC @ 10V | ±25V | 3595pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | 13,476 - 立即发货 可供应: 13,476 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 7.2 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 102nC @ 10V | ±25V | 3595pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | 13,476 - 立即发货 可供应: 13,476 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 7.2 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 102nC @ 10V | ±25V | 3595pF @ 15V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
.jpg "FDMC5614P - ON Semiconductor") |
FDMC5614P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.7A（Ta），13.5A（Tc） | 4.5V，10V | 100 毫欧 @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 30V |
|
2.1W（Ta），42W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC5614P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 | 31,777 - 立即发货 可供应: 31,777 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.7A（Ta），13.5A（Tc） | 4.5V，10V | 100 毫欧 @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 30V |
|
2.1W（Ta），42W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC5614P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 | 31,777 - 立即发货 可供应: 31,777 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.7A（Ta），13.5A（Tc） | 4.5V，10V | 100 毫欧 @ 5.7A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 30V |
|
2.1W（Ta），42W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON | 0 可供应: 0 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 23A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.6 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2300pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON | 4,917 - 立即发货 可供应: 4,917 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 23A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.6 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2300pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON | 4,917 - 立即发货 可供应: 4,917 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 23A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.6 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2300pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），63W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
 |
STS10N3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ V | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 10A（Tc） | 4.5V，10V | 21 毫欧 @ 5A，10V | 1V @ 250µA | 4.6nC @ 5V | ±22V | 475pF @ 25V |
|
2.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
STS10N3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | 3,844 - 立即发货 可供应: 3,844 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ V | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 10A（Tc） | 4.5V，10V | 21 毫欧 @ 5A，10V | 1V @ 250µA | 4.6nC @ 5V | ±22V | 475pF @ 25V |
|
2.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
STS10N3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | 3,844 - 立即发货 可供应: 3,844 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ V | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 10A（Tc） | 4.5V，10V | 21 毫欧 @ 5A，10V | 1V @ 250µA | 4.6nC @ 5V | ±22V | 475pF @ 25V |
|
2.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
BSC123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 | 150,000 - 立即发货 可供应: 150,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 11A（Ta），55A（Tc） | 6V，10V | 12.3 毫欧 @ 33A，10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1870pF @ 40V |
|
2.5W（Ta），66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 | 151,084 - 立即发货 可供应: 151,084 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 11A（Ta），55A（Tc） | 6V，10V | 12.3 毫欧 @ 33A，10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1870pF @ 40V |
|
2.5W（Ta），66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 | 151,084 - 立即发货 可供应: 151,084 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 11A（Ta），55A（Tc） | 6V，10V | 12.3 毫欧 @ 33A，10V | 3.5V @ 33µA | 25nC @ 10V | ±20V | 1870pF @ 40V |
|
2.5W（Ta），66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
FQD2N100TM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | 55,000 - 立即发货 可供应: 55,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 1000V | 1.6A（Tc） | 10V | 9 欧姆 @ 800mA，10V | 5V @ 250µA | 15.5nC @ 10V | ±30V | 520pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FQD2N100TM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | 56,468 - 立即发货 可供应: 56,468 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 1000V | 1.6A（Tc） | 10V | 9 欧姆 @ 800mA，10V | 5V @ 250µA | 15.5nC @ 10V | ±30V | 520pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FQD2N100TM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | 56,468 - 立即发货 可供应: 56,468 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 1000V | 1.6A（Tc） | 10V | 9 欧姆 @ 800mA，10V | 5V @ 250µA | 15.5nC @ 10V | ±30V | 520pF @ 25V |
|
2.5W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 56A DPAK | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 56A（Tc） | 10V | 16 毫欧 @ 34A，10V | 4V @ 250µA | 110nC @ 10V | ±20V | 2430pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 56A DPAK | 28,755 - 立即发货 可供应: 28,755 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 56A（Tc） | 10V | 16 毫欧 @ 34A，10V | 4V @ 250µA | 110nC @ 10V | ±20V | 2430pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 56A DPAK | 28,755 - 立即发货 可供应: 28,755 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 56A（Tc） | 10V | 16 毫欧 @ 34A，10V | 4V @ 250µA | 110nC @ 10V | ±20V | 2430pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
CSD19533Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 100A（Ta） | 6V，10V | 9.4 毫欧 @ 13A，10V | 3.4V @ 250µA | 35nC @ 10V | ±20V | 2670pF @ 50V |
|
3.2W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD19533Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | 20,384 - 立即发货 可供应: 20,384 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 100A（Ta） | 6V，10V | 9.4 毫欧 @ 13A，10V | 3.4V @ 250µA | 35nC @ 10V | ±20V | 2670pF @ 50V |
|
3.2W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD19533Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | 20,384 - 立即发货 可供应: 20,384 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 100A（Ta） | 6V，10V | 9.4 毫欧 @ 13A，10V | 3.4V @ 250µA | 35nC @ 10V | ±20V | 2670pF @ 50V |
|
3.2W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
IRF9310TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Tc） | 4.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 20A，10V | 2.4V @ 100µA | 165nC @ 10V | ±20V | 5250pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF9310TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC | 9,228 - 立即发货 可供应: 9,228 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Tc） | 4.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 20A，10V | 2.4V @ 100µA | 165nC @ 10V | ±20V | 5250pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF9310TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC | 9,228 - 立即发货 可供应: 9,228 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Tc） | 4.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 20A，10V | 2.4V @ 100µA | 165nC @ 10V | ±20V | 5250pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDD4141-F085 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10.8A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 12.3 毫欧 @ 12.7A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2775pF @ 20V |
|
2.4W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252AA） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD4141-F085 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK | 9,134 - 立即发货 可供应: 9,134 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10.8A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 12.3 毫欧 @ 12.7A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2775pF @ 20V |
|
2.4W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252AA） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD4141-F085 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK | 9,134 - 立即发货 可供应: 9,134 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10.8A（Ta），50A（Tc） | 4.5V，10V | 12.3 毫欧 @ 12.7A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2775pF @ 20V |
|
2.4W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252AA） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD8647L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 14A DPAK | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 14A（Ta），42A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 28nC @ 10V | ±20V | 1640pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），43W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD8647L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 14A DPAK | 5,759 - 立即发货 可供应: 5,759 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 14A（Ta），42A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 28nC @ 10V | ±20V | 1640pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），43W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD8647L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 14A DPAK | 5,759 - 立即发货 可供应: 5,759 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 14A（Ta），42A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 13A，10V | 3V @ 250µA | 28nC @ 10V | ±20V | 1640pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），43W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 40A（Tc） | 6V，10V | 7.5 毫欧 @ 20A，10V | 3.8V @ 36µA | 29.5nC @ 10V | ±20V | 2080pF @ 40V |
|
69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 9,870 - 立即发货 可供应: 9,870 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 40A（Tc） | 6V，10V | 7.5 毫欧 @ 20A，10V | 3.8V @ 36µA | 29.5nC @ 10V | ±20V | 2080pF @ 40V |
|
69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 9,870 - 立即发货 可供应: 9,870 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 40A（Tc） | 6V，10V | 7.5 毫欧 @ 20A，10V | 3.8V @ 36µA | 29.5nC @ 10V | ±20V | 2080pF @ 40V |
|
69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
DN2540N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 400V | 170mA（Tj） | 0V | 25 欧姆 @ 120mA，0V |
|
|
±20V | 300pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
| |
DN2540N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 | 10,585 - 立即发货 可供应: 10,585 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 400V | 170mA（Tj） | 0V | 25 欧姆 @ 120mA，0V |
|
|
±20V | 300pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
| |
DN2540N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 | 10,585 - 立即发货 可供应: 10,585 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 400V | 170mA（Tj） | 0V | 25 欧姆 @ 120mA，0V |
|
|
±20V | 300pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-243AA（SOT-89） | TO-243AA |
| |
STD2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A DPAK | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SuperMESH5™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 2A（Tc） | 10V | 4.5 欧姆 @ 1A，10V | 5V @ 100µA | 3nC @ 10V | 30V | 95pF @ 100V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A DPAK | 4,984 - 立即发货 可供应: 4,984 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SuperMESH5™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 2A（Tc） | 10V | 4.5 欧姆 @ 1A，10V | 5V @ 100µA | 3nC @ 10V | 30V | 95pF @ 100V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A DPAK | 4,984 - 立即发货 可供应: 4,984 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SuperMESH5™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 800V | 2A（Tc） | 10V | 4.5 欧姆 @ 1A，10V | 5V @ 100µA | 3nC @ 10V | 30V | 95pF @ 100V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6.8A（Tc） | 6V，10V | 63 毫欧 @ 4.4A，10V | 4.5V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 50V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | 17,477 - 立即发货 可供应: 17,477 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6.8A（Tc） | 6V，10V | 63 毫欧 @ 4.4A，10V | 4.5V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 50V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC | 17,477 - 立即发货 可供应: 17,477 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 6.8A（Tc） | 6V，10V | 63 毫欧 @ 4.4A，10V | 4.5V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 50V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 30µA | 52nC @ 10V | ±16V | 2800pF @ 25V |
|
71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerVDFN |
| |
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | 22,771 - 立即发货 可供应: 22,771 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 30µA | 52nC @ 10V | ±16V | 2800pF @ 25V |
|
71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerVDFN |
| |
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | 22,771 - 立即发货 可供应: 22,771 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 30µA | 52nC @ 10V | ±16V | 2800pF @ 25V |
|
71W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8 | 8-PowerVDFN |
| |
IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 42A（Tc） | 4V，10V | 27 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 250µA | 48nC @ 5V | ±16V | 1700pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 10,512 - 立即发货 可供应: 10,512 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 42A（Tc） | 4V，10V | 27 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 250µA | 48nC @ 5V | ±16V | 1700pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 10,512 - 立即发货 可供应: 10,512 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 42A（Tc） | 4V，10V | 27 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 250µA | 48nC @ 5V | ±16V | 1700pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
PSMN1R2-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.25 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 78nC @ 10V | ±20V | 5093pF @ 15V |
|
215W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN1R2-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 19,360 - 立即发货 可供应: 19,360 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.25 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 78nC @ 10V | ±20V | 5093pF @ 15V |
|
215W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN1R2-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 19,360 - 立即发货 可供应: 19,360 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.25 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 78nC @ 10V | ±20V | 5093pF @ 15V |
|
215W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
 |
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 1,000 最低订购数量 : 1,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 660mA（Ta） | 0V，10V | 1.8 欧姆 @ 660mA，10V | 1V @ 400µA | 14nC @ 5V | ±20V | 430pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-SOT223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | 3,878 - 立即发货 可供应: 3,878 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 660mA（Ta） | 0V，10V | 1.8 欧姆 @ 660mA，10V | 1V @ 400µA | 14nC @ 5V | ±20V | 430pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-SOT223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | 3,878 - 立即发货 可供应: 3,878 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 660mA（Ta） | 0V，10V | 1.8 欧姆 @ 660mA，10V | 1V @ 400µA | 14nC @ 5V | ±20V | 430pF @ 25V | 耗尽模式 | 1.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-SOT223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 52A（Tc） | 4.5V，10V | 18 毫欧 @ 3.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 108nC @ 10V | ±20V | 4586pF @ 30V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 | 11,860 - 立即发货 可供应: 11,860 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 52A（Tc） | 4.5V，10V | 18 毫欧 @ 3.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 108nC @ 10V | ±20V | 4586pF @ 30V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 | 11,860 - 立即发货 可供应: 11,860 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 52A（Tc） | 4.5V，10V | 18 毫欧 @ 3.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 108nC @ 10V | ±20V | 4586pF @ 30V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | 0 可供应: 0 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 25A，10V | 2.15V @ 1mA | 87nC @ 10V | ±20V | 5217pF @ 15V |
|
272W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | 1,537 - 立即发货 可供应: 1,537 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 25A，10V | 2.15V @ 1mA | 87nC @ 10V | ±20V | 5217pF @ 15V |
|
272W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | 1,537 - 立即发货 可供应: 1,537 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 25A，10V | 2.15V @ 1mA | 87nC @ 10V | ±20V | 5217pF @ 15V |
|
272W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
TK33S10N1Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
U-MOSVIII-H | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 33A（Ta） | 10V | 9.7 毫欧 @ 16.5A，10V | 4V @ 500µA | 28nC @ 10V | ±20V | 2050pF @ 10V |
|
125W（Tc） | 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK+ | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
TK33S10N1Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | 16,119 - 立即发货 可供应: 16,119 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
U-MOSVIII-H | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 33A（Ta） | 10V | 9.7 毫欧 @ 16.5A，10V | 4V @ 500µA | 28nC @ 10V | ±20V | 2050pF @ 10V |
|
125W（Tc） | 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK+ | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
TK33S10N1Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | 16,119 - 立即发货 可供应: 16,119 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
U-MOSVIII-H | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 33A（Ta） | 10V | 9.7 毫欧 @ 16.5A，10V | 4V @ 500µA | 28nC @ 10V | ±20V | 2050pF @ 10V |
|
125W（Tc） | 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK+ | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRF7452TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 4.5A（Ta） | 10V | 60 毫欧 @ 2.7A，10V | 5.5V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±30V | 930pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7452TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 8,693 - 立即发货 可供应: 8,693 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 4.5A（Ta） | 10V | 60 毫欧 @ 2.7A，10V | 5.5V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±30V | 930pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7452TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | 8,693 - 立即发货 可供应: 8,693 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 4.5A（Ta） | 10V | 60 毫欧 @ 2.7A，10V | 5.5V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±30V | 930pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDFS2P106A | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 3A（Ta） | 4.5V，10V | 110 毫欧 @ 3A，10V | 3V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 714pF @ 30V | 肖特基二极管（隔离式） | 900mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDFS2P106A | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC | 4,584 - 立即发货 可供应: 4,584 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 3A（Ta） | 4.5V，10V | 110 毫欧 @ 3A，10V | 3V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 714pF @ 30V | 肖特基二极管（隔离式） | 900mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDFS2P106A | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC | 4,584 - 立即发货 可供应: 4,584 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 3A（Ta） | 4.5V，10V | 110 毫欧 @ 3A，10V | 3V @ 250µA | 21nC @ 10V | ±20V | 714pF @ 30V | 肖特基二极管（隔离式） | 900mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
 |
PSMN1R2-25YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.2 毫欧 @ 15A，10V | 2.15V @ 1mA | 105nC @ 10V | ±20V | 6380pF @ 12V |
|
121W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SOT-1023，4-LFPAK |
| |
PSMN1R2-25YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 8,950 - 立即发货 可供应: 8,950 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.2 毫欧 @ 15A，10V | 2.15V @ 1mA | 105nC @ 10V | ±20V | 6380pF @ 12V |
|
121W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SOT-1023，4-LFPAK |
| |
PSMN1R2-25YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 8,950 - 立即发货 可供应: 8,950 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.2 毫欧 @ 15A，10V | 2.15V @ 1mA | 105nC @ 10V | ±20V | 6380pF @ 12V |
|
121W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SOT-1023，4-LFPAK |
 |
FDM3622 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 4.4A（Ta） | 6V，10V | 60 毫欧 @ 4.4A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 1090pF @ 25V |
|
2.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDM3622 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | 10,816 - 立即发货 可供应: 10,816 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 4.4A（Ta） | 6V，10V | 60 毫欧 @ 4.4A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 1090pF @ 25V |
|
2.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDM3622 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | 10,816 - 立即发货 可供应: 10,816 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 4.4A（Ta） | 6V，10V | 60 毫欧 @ 4.4A，10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | ±20V | 1090pF @ 25V |
|
2.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDS3672 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7.5A（Ta） | 6V，10V | 23 毫欧 @ 7.5A，10V | 4V @ 250µA | 37nC @ 10V | ±20V | 2015pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS3672 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC | 5,876 - 立即发货 可供应: 5,876 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7.5A（Ta） | 6V，10V | 23 毫欧 @ 7.5A，10V | 4V @ 250µA | 37nC @ 10V | ±20V | 2015pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS3672 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC | 5,876 - 立即发货 可供应: 5,876 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7.5A（Ta） | 6V，10V | 23 毫欧 @ 7.5A，10V | 4V @ 250µA | 37nC @ 10V | ±20V | 2015pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDMC510P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 12A（Ta），18A（Tc） | 1.5V，4.5V | 8 毫欧 @ 12A，4.5V | 1V @ 250µA | 116nC @ 4.5V | ±8V | 7860pF @ 10V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC510P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP | 15,680 - 立即发货 可供应: 15,680 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 12A（Ta），18A（Tc） | 1.5V，4.5V | 8 毫欧 @ 12A，4.5V | 1V @ 250µA | 116nC @ 4.5V | ±8V | 7860pF @ 10V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC510P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP | 15,680 - 立即发货 可供应: 15,680 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 12A（Ta），18A（Tc） | 1.5V，4.5V | 8 毫欧 @ 12A，4.5V | 1V @ 250µA | 116nC @ 4.5V | ±8V | 7860pF @ 10V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
 |
SI3440DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.2A（Ta） | 6V，10V | 375 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.14W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| |
SI3440DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | 14,428 - 立即发货 可供应: 14,428 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.2A（Ta） | 6V，10V | 375 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.14W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| |
SI3440DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | 14,428 - 立即发货 可供应: 14,428 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.2A（Ta） | 6V，10V | 375 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.14W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | 0 可供应: 0 标准提前期 49 周 |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.2A（Ta） | 6V，10V | 375 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.14W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | 4,541 - 立即发货 可供应: 4,541 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.2A（Ta） | 6V，10V | 375 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.14W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | 4,541 - 立即发货 可供应: 4,541 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 1.2A（Ta） | 6V，10V | 375 毫欧 @ 1.5A，10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.14W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| |
IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK | 22,000 - 立即发货 可供应: 22,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 13A（Tc） | 10V | 295 毫欧 @ 6.6A，10V | 4V @ 250µA | 66nC @ 10V | ±20V | 860pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK | 23,992 - 立即发货 可供应: 23,992 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 13A（Tc） | 10V | 295 毫欧 @ 6.6A，10V | 4V @ 250µA | 66nC @ 10V | ±20V | 860pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR6215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK | 23,992 - 立即发货 可供应: 23,992 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 13A（Tc） | 10V | 295 毫欧 @ 6.6A，10V | 4V @ 250µA | 66nC @ 10V | ±20V | 860pF @ 25V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
TP5335K1-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 85mA（Tj） | 4.5V，10V | 30 欧姆 @ 200mA，10V | 2.4V @ 1mA |
|
±20V | 110pF @ 25V |
|
360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C | 表面贴装 | TO-236AB（SOT23） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
TP5335K1-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 | 6,271 - 立即发货 可供应: 6,271 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 85mA（Tj） | 4.5V，10V | 30 欧姆 @ 200mA，10V | 2.4V @ 1mA |
|
±20V | 110pF @ 25V |
|
360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C | 表面贴装 | TO-236AB（SOT23） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
TP5335K1-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 | 6,271 - 立即发货 可供应: 6,271 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 350V | 85mA（Tj） | 4.5V，10V | 30 欧姆 @ 200mA，10V | 2.4V @ 1mA |
|
±20V | 110pF @ 25V |
|
360mW（Ta） | -55°C ~ 150°C | 表面贴装 | TO-236AB（SOT23） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 160A（Tc） | 4.5V，10V | 3.1 毫欧 @ 25A，10V | 2.35V @ 100µA | 59nC @ 4.5V | ±20V | 4880pF @ 15V |
|
135W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 14,185 - 立即发货 可供应: 14,185 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 160A（Tc） | 4.5V，10V | 3.1 毫欧 @ 25A，10V | 2.35V @ 100µA | 59nC @ 4.5V | ±20V | 4880pF @ 15V |
|
135W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 14,185 - 立即发货 可供应: 14,185 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 160A（Tc） | 4.5V，10V | 3.1 毫欧 @ 25A，10V | 2.35V @ 100µA | 59nC @ 4.5V | ±20V | 4880pF @ 15V |
|
135W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 | 14,000 - 立即发货 可供应: 14,000 |
|
带卷（TR） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 500V | 400mA（Ta） | 10V | 4 欧姆 @ 400mA，10V | 4V @ 1mA |
|
±20V | 400pF @ 25V |
|
1.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-SOT223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 | 14,347 - 立即发货 可供应: 14,347 |
|
剪切带（CT） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 500V | 400mA（Ta） | 10V | 4 欧姆 @ 400mA，10V | 4V @ 1mA |
|
±20V | 400pF @ 25V |
|
1.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-SOT223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
BSP299H6327XUSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 | 14,347 - 立即发货 可供应: 14,347 |
|
Digi-Reel® 可替代的包装 |
SIPMOS® | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 500V | 400mA（Ta） | 10V | 4 欧姆 @ 400mA，10V | 4V @ 1mA |
|
±20V | 400pF @ 25V |
|
1.8W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-SOT223-4 | TO-261-4，TO-261AA |
| |
FDD86102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8A（Ta），36A（Tc） | 6V，10V | 24 毫欧 @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 1035pF @ 50V |
|
3.1W（Ta），62W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD86102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | 7,450 - 立即发货 可供应: 7,450 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8A（Ta），36A（Tc） | 6V，10V | 24 毫欧 @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 1035pF @ 50V |
|
3.1W（Ta），62W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD86102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | 7,450 - 立即发货 可供应: 7,450 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 8A（Ta），36A（Tc） | 6V，10V | 24 毫欧 @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | ±20V | 1035pF @ 50V |
|
3.1W（Ta），62W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-PAK（TO-252） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
AON6411 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 47A（Ta），85A（Tc） | 2.5V，10V | 2.1 毫欧 @ 20A，10V | 1.3V @ 250µA | 330nC @ 10V | ±12V | 10290pF @ 10V |
|
7.3W（Ta），156W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
AON6411 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN | 5,550 - 立即发货 可供应: 5,550 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 47A（Ta），85A（Tc） | 2.5V，10V | 2.1 毫欧 @ 20A，10V | 1.3V @ 250µA | 330nC @ 10V | ±12V | 10290pF @ 10V |
|
7.3W（Ta），156W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
AON6411 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN | 5,550 - 立即发货 可供应: 5,550 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 47A（Ta），85A（Tc） | 2.5V，10V | 2.1 毫欧 @ 20A，10V | 1.3V @ 250µA | 330nC @ 10V | ±12V | 10290pF @ 10V |
|
7.3W（Ta），156W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
IRF7470TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | 36,000 - 立即发货 可供应: 36,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10A（Ta） | 2.8V，10V | 13 毫欧 @ 10A，10V | 2V @ 250µA | 44nC @ 4.5V | ±12V | 3430pF @ 20V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7470TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | 39,388 - 立即发货 可供应: 39,388 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10A（Ta） | 2.8V，10V | 13 毫欧 @ 10A，10V | 2V @ 250µA | 44nC @ 4.5V | ±12V | 3430pF @ 20V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7470TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | 39,388 - 立即发货 可供应: 39,388 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 10A（Ta） | 2.8V，10V | 13 毫欧 @ 10A，10V | 2V @ 250µA | 44nC @ 4.5V | ±12V | 3430pF @ 20V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
 |
DMP4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO | 15,000 - 立即发货 7,500 - 厂方库存 可供应: 15,000 |
2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 9.1A（Ta） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 9.8A，10V | 2.5V @ 250µA | 47.5nC @ 5V | ±25V | 4234pF @ 20V |
|
1.45W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
DMP4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO | 15,328 - 立即发货 7,500 - 厂方库存 可供应: 15,328 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 9.1A（Ta） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 9.8A，10V | 2.5V @ 250µA | 47.5nC @ 5V | ±25V | 4234pF @ 20V |
|
1.45W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
DMP4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO | 15,328 - 立即发货 7,500 - 厂方库存 可供应: 15,328 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 9.1A（Ta） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 9.8A，10V | 2.5V @ 250µA | 47.5nC @ 5V | ±25V | 4234pF @ 20V |
|
1.45W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6575 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO | 32,500 - 立即发货 可供应: 32,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 10A（Ta） | 2.5V，4.5V | 13 毫欧 @ 10A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 74nC @ 4.5V | ±8V | 4951pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6575 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO | 33,838 - 立即发货 可供应: 33,838 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 10A（Ta） | 2.5V，4.5V | 13 毫欧 @ 10A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 74nC @ 4.5V | ±8V | 4951pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6575 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO | 33,838 - 立即发货 可供应: 33,838 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 10A（Ta） | 2.5V，4.5V | 13 毫欧 @ 10A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 74nC @ 4.5V | ±8V | 4951pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
STD2N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 2A DPAK | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SuperMESH5™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 950V | 2A（Tc） | 10V | 5 欧姆 @ 1A，10V | 5V @ 100µA | 10nC @ 10V | 30V | 105pF @ 100V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD2N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 2A DPAK | 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SuperMESH5™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 950V | 2A（Tc） | 10V | 5 欧姆 @ 1A，10V | 5V @ 100µA | 10nC @ 10V | 30V | 105pF @ 100V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD2N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 2A DPAK | 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SuperMESH5™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 950V | 2A（Tc） | 10V | 5 欧姆 @ 1A，10V | 5V @ 100µA | 10nC @ 10V | 30V | 105pF @ 100V |
|
45W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SI7414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.6A（Ta） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 8.7A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 | 20,052 - 立即发货 可供应: 20,052 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.6A（Ta） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 8.7A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 | 20,052 - 立即发货 可供应: 20,052 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 5.6A（Ta） | 4.5V，10V | 25 毫欧 @ 8.7A，10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7820DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 1.7A（Ta） | 6V，10V | 240 毫欧 @ 2.6A，10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7820DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 | 16,863 - 立即发货 可供应: 16,863 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 1.7A（Ta） | 6V，10V | 240 毫欧 @ 2.6A，10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7820DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 | 16,863 - 立即发货 可供应: 16,863 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 1.7A（Ta） | 6V，10V | 240 毫欧 @ 2.6A，10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 30A（Tc） | 10V | 75 毫欧 @ 21.5A，10V | 4V @ 1.7mA | 48nC @ 10V | ±20V | 1535pF @ 25V |
|
125W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | 19,231 - 立即发货 可供应: 19,231 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 30A（Tc） | 10V | 75 毫欧 @ 21.5A，10V | 4V @ 1.7mA | 48nC @ 10V | ±20V | 1535pF @ 25V |
|
125W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | 19,231 - 立即发货 可供应: 19,231 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 30A（Tc） | 10V | 75 毫欧 @ 21.5A，10V | 4V @ 1.7mA | 48nC @ 10V | ±20V | 1535pF @ 25V |
|
125W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
BSC014NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 | 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 33A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.4 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 12V |
|
2.5W（Ta），74W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC014NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 | 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 33A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.4 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 12V |
|
2.5W（Ta），74W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC014NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 | 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 33A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.4 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 12V |
|
2.5W（Ta），74W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
CSD17506Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 |
|
带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 1.8V @ 250µA | 11nC @ 4.5V | ±20V | 1650pF @ 15V |
|
3.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD17506Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON | 15,705 - 立即发货 可供应: 15,705 |
|
剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 1.8V @ 250µA | 11nC @ 4.5V | ±20V | 1650pF @ 15V |
|
3.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD17506Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON | 15,705 - 立即发货 可供应: 15,705 |
|
Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 1.8V @ 250µA | 11nC @ 4.5V | ±20V | 1650pF @ 15V |
|
3.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDD8870 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 21A（Ta），160A（Tc） | 4.5V，10V | 3.9 毫欧 @ 35A，10V | 2.5V @ 250µA | 118nC @ 10V | ±20V | 5160pF @ 15V |
|
160W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD8870 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK | 16,168 - 立即发货 可供应: 16,168 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 21A（Ta），160A（Tc） | 4.5V，10V | 3.9 毫欧 @ 35A，10V | 2.5V @ 250µA | 118nC @ 10V | ±20V | 5160pF @ 15V |
|
160W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD8870 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK | 16,168 - 立即发货 可供应: 16,168 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 21A（Ta），160A（Tc） | 4.5V，10V | 3.9 毫欧 @ 35A，10V | 2.5V @ 250µA | 118nC @ 10V | ±20V | 5160pF @ 15V |
|
160W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.4 毫欧 @ 50A，10V | 2.35V @ 150µA | 120nC @ 10V | ±20V | 7200pF @ 15V |
|
3.6W（Ta），250W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerVDFN |
| |
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 4,054 - 立即发货 可供应: 4,054 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.4 毫欧 @ 50A，10V | 2.35V @ 150µA | 120nC @ 10V | ±20V | 7200pF @ 15V |
|
3.6W（Ta），250W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerVDFN |
| |
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 4,054 - 立即发货 可供应: 4,054 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.4 毫欧 @ 50A，10V | 2.35V @ 150µA | 120nC @ 10V | ±20V | 7200pF @ 15V |
|
3.6W（Ta），250W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerVDFN |
| |
FDMC86102LZ | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP | 33,000 - 立即发货 可供应: 33,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 24 毫欧 @ 6.5A，10V | 2.2V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1290pF @ 50V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC86102LZ | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP | 33,883 - 立即发货 可供应: 33,883 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 24 毫欧 @ 6.5A，10V | 2.2V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1290pF @ 50V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC86102LZ | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP | 33,883 - 立即发货 可供应: 33,883 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 24 毫欧 @ 6.5A，10V | 2.2V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1290pF @ 50V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 1,500 最低订购数量 : 1,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.15 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 103.5nC @ 10V | ±20V | 6645pF @ 15V |
|
272W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 19,023 - 立即发货 可供应: 19,023 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.15 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 103.5nC @ 10V | ±20V | 6645pF @ 15V |
|
272W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 19,023 - 立即发货 可供应: 19,023 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.15 毫欧 @ 25A，10V | 1.95V @ 1mA | 103.5nC @ 10V | ±20V | 6645pF @ 15V |
|
272W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK56，Power-SO8 | SC-100，SOT-669 |
| |
FDMC86102L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 23 毫欧 @ 7A，10V | 3V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1330pF @ 50V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC86102L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 | 8,650 - 立即发货 可供应: 8,650 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 23 毫欧 @ 7A，10V | 3V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1330pF @ 50V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMC86102L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 | 8,650 - 立即发货 可供应: 8,650 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 7A（Ta），18A（Tc） | 4.5V，10V | 23 毫欧 @ 7A，10V | 3V @ 250µA | 22nC @ 10V | ±20V | 1330pF @ 50V |
|
2.3W（Ta），41W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-MLP（3.3x3.3） | 8-PowerWDFN |
| |
FDMS86520 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 14A（Ta），42A（Tc） | 8V，10V | 7.4 毫欧 @ 14A，10V | 4.5V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 2850pF @ 30V |
|
2.5W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS86520 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN | 7,416 - 立即发货 可供应: 7,416 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 14A（Ta），42A（Tc） | 8V，10V | 7.4 毫欧 @ 14A，10V | 4.5V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 2850pF @ 30V |
|
2.5W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS86520 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN | 7,416 - 立即发货 可供应: 7,416 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 14A（Ta），42A（Tc） | 8V，10V | 7.4 毫欧 @ 14A，10V | 4.5V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 2850pF @ 30V |
|
2.5W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
 |
ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | 130,000 - 立即发货 可供应: 130,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.8A（Ta） | 6V，10V | 150 毫欧 @ 2.8A，10V | 4V @ 250µA | 26.9nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 50V |
|
2.17W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | 130,658 - 立即发货 可供应: 130,658 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.8A（Ta） | 6V，10V | 150 毫欧 @ 2.8A，10V | 4V @ 250µA | 26.9nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 50V |
|
2.17W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | 130,658 - 立即发货 可供应: 130,658 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 3.8A（Ta） | 6V，10V | 150 毫欧 @ 2.8A，10V | 4V @ 250µA | 26.9nC @ 10V | ±20V | 1055pF @ 50V |
|
2.17W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC | 52,500 - 立即发货 可供应: 52,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 29A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 195nC @ 10V | ±20V | 6000pF @ 15V |
|
3.5W（Ta），7.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC | 54,085 - 立即发货 可供应: 54,085 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 29A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 195nC @ 10V | ±20V | 6000pF @ 15V |
|
3.5W（Ta），7.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC | 54,085 - 立即发货 可供应: 54,085 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 29A（Tc） | 4.5V，10V | 5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 195nC @ 10V | ±20V | 6000pF @ 15V |
|
3.5W（Ta），7.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI7322DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 | 48,000 - 立即发货 可供应: 48,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 18A（Tc） | 10V | 58 毫欧 @ 5.5A，10V | 4.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 750pF @ 50V |
|
3.8W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7322DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 | 48,710 - 立即发货 可供应: 48,710 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 18A（Tc） | 10V | 58 毫欧 @ 5.5A，10V | 4.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 750pF @ 50V |
|
3.8W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7322DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 | 48,710 - 立即发货 可供应: 48,710 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 18A（Tc） | 10V | 58 毫欧 @ 5.5A，10V | 4.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 750pF @ 50V |
|
3.8W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI4463BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC | 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 9.8A（Ta） | 2.5V，10V | 11 毫欧 @ 13.7A，10V | 1.4V @ 250µA | 56nC @ 4.5V | ±12V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4463BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC | 25,935 - 立即发货 可供应: 25,935 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 9.8A（Ta） | 2.5V，10V | 11 毫欧 @ 13.7A，10V | 1.4V @ 250µA | 56nC @ 4.5V | ±12V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4463BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC | 25,935 - 立即发货 可供应: 25,935 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 9.8A（Ta） | 2.5V，10V | 11 毫欧 @ 13.7A，10V | 1.4V @ 250µA | 56nC @ 4.5V | ±12V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDD5690 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 30A（Tc） | 6V，10V | 27 毫欧 @ 9A，10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 1110pF @ 25V |
|
3.2W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD5690 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK | 8,387 - 立即发货 可供应: 8,387 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 30A（Tc） | 6V，10V | 27 毫欧 @ 9A，10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 1110pF @ 25V |
|
3.2W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD5690 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK | 8,387 - 立即发货 可供应: 8,387 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 30A（Tc） | 6V，10V | 27 毫欧 @ 9A，10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 1110pF @ 25V |
|
3.2W（Ta），50W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 21A（Tc） | 8V，10V | 52 毫欧 @ 18A，10V | 4V @ 35µA | 12nC @ 10V | ±20V | 890pF @ 75V |
|
57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 | 14,975 - 立即发货 可供应: 14,975 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 21A（Tc） | 8V，10V | 52 毫欧 @ 18A，10V | 4V @ 35µA | 12nC @ 10V | ±20V | 890pF @ 75V |
|
57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 | 14,975 - 立即发货 可供应: 14,975 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 21A（Tc） | 8V，10V | 52 毫欧 @ 18A，10V | 4V @ 35µA | 12nC @ 10V | ±20V | 890pF @ 75V |
|
57W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN | 36,000 - 立即发货 可供应: 36,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET®，StrongIRFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 85A（Tc） | 6V，10V | 2.4 毫欧 @ 50A，10V | 3.9V @ 100µA | 138nC @ 10V | ±20V | 4574pF @ 25V |
|
104W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN | 37,482 - 立即发货 可供应: 37,482 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET®，StrongIRFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 85A（Tc） | 6V，10V | 2.4 毫欧 @ 50A，10V | 3.9V @ 100µA | 138nC @ 10V | ±20V | 4574pF @ 25V |
|
104W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN | 37,482 - 立即发货 可供应: 37,482 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET®，StrongIRFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 85A（Tc） | 6V，10V | 2.4 毫欧 @ 50A，10V | 3.9V @ 100µA | 138nC @ 10V | ±20V | 4574pF @ 25V |
|
104W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | 27,500 - 立即发货 可供应: 27,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.9A（Ta），50A（Tc） | 6V，10V | 13.5 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V |
|
115W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | 29,195 - 立即发货 可供应: 29,195 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.9A（Ta），50A（Tc） | 6V，10V | 13.5 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V |
|
115W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | 29,195 - 立即发货 可供应: 29,195 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 9.9A（Ta），50A（Tc） | 6V，10V | 13.5 毫欧 @ 50A，10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V |
|
115W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Ta） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 2.32V @ 250µA | 51nC @ 4.5V | ±20V | 4310pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 155°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | 12,183 - 立即发货 可供应: 12,183 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Ta） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 2.32V @ 250µA | 51nC @ 4.5V | ±20V | 4310pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 155°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | 12,183 - 立即发货 可供应: 12,183 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 20A（Ta） | 4.5V，10V | 4 毫欧 @ 20A，10V | 2.32V @ 250µA | 51nC @ 4.5V | ±20V | 4310pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 155°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 36A（Tc） | 4.5V，10V | 3.3 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 105nC @ 10V | ±20V | 4230pF @ 20V |
|
3.5W（Ta），7.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC | 8,250 - 立即发货 可供应: 8,250 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 36A（Tc） | 4.5V，10V | 3.3 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 105nC @ 10V | ±20V | 4230pF @ 20V |
|
3.5W（Ta），7.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC | 8,250 - 立即发货 可供应: 8,250 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 36A（Tc） | 4.5V，10V | 3.3 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 105nC @ 10V | ±20V | 4230pF @ 20V |
|
3.5W（Ta），7.8W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SUD50P04-08-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A DPAK | 2,000 - 立即发货 可供应: 2,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.1 毫欧 @ 22A，10V | 2.5V @ 250µA | 159nC @ 10V | ±20V | 5380pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），73.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SUD50P04-08-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A DPAK | 3,547 - 立即发货 可供应: 3,547 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.1 毫欧 @ 22A，10V | 2.5V @ 250µA | 159nC @ 10V | ±20V | 5380pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），73.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SUD50P04-08-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A DPAK | 3,547 - 立即发货 可供应: 3,547 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.1 毫欧 @ 22A，10V | 2.5V @ 250µA | 159nC @ 10V | ±20V | 5380pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），73.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
STR2N2VH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ V | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V |
|
2.5V，4.5V | 30 毫欧 @ 2A，4.5V | 700mV @ 250µA（最小） | 4.6nC @ 4.5V | ±8V | 367pF @ 16V |
|
350mW（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
STR2N2VH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23 | 3,475 - 立即发货 可供应: 3,475 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ V | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V |
|
2.5V，4.5V | 30 毫欧 @ 2A，4.5V | 700mV @ 250µA（最小） | 4.6nC @ 4.5V | ±8V | 367pF @ 16V |
|
350mW（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
STR2N2VH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23 | 3,475 - 立即发货 可供应: 3,475 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ V | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V |
|
2.5V，4.5V | 30 毫欧 @ 2A，4.5V | 700mV @ 250µA（最小） | 4.6nC @ 4.5V | ±8V | 367pF @ 16V |
|
350mW（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| |
FDS2572 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
UltraFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 4.9A（Tc） | 6V，10V | 47 毫欧 @ 4.9A，10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | ±20V | 2050pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS2572 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC | 14,038 - 立即发货 可供应: 14,038 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
UltraFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 4.9A（Tc） | 6V，10V | 47 毫欧 @ 4.9A，10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | ±20V | 2050pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS2572 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC | 14,038 - 立即发货 可供应: 14,038 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
UltraFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 4.9A（Tc） | 6V，10V | 47 毫欧 @ 4.9A，10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | ±20V | 2050pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | 14,000 - 立即发货 可供应: 14,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 13A（Tc） | 10V | 205 毫欧 @ 7.8A，10V | 4V @ 250µA | 58nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 25V |
|
66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | 15,018 - 立即发货 可供应: 15,018 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 13A（Tc） | 10V | 205 毫欧 @ 7.8A，10V | 4V @ 250µA | 58nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 25V |
|
66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | 15,018 - 立即发货 可供应: 15,018 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 13A（Tc） | 10V | 205 毫欧 @ 7.8A，10V | 4V @ 250µA | 58nC @ 10V | ±20V | 760pF @ 25V |
|
66W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
HAT2168H-EL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 |
|
带卷（TR） 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 15A，10V |
|
11nC @ 4.5V | ±20V | 1730pF @ 10V |
|
15W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK | SC-100，SOT-669 |
| |
HAT2168H-EL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK | 8,533 - 立即发货 可供应: 8,533 |
|
剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 15A，10V |
|
11nC @ 4.5V | ±20V | 1730pF @ 10V |
|
15W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK | SC-100，SOT-669 |
| |
HAT2168H-EL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK | 8,533 - 立即发货 可供应: 8,533 |
|
Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 15A，10V |
|
11nC @ 4.5V | ±20V | 1730pF @ 10V |
|
15W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | LFPAK | SC-100，SOT-669 |
| |
BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 80A（Tc） | 6V，10V | 7 毫欧 @ 40A，10V | 3.8V @ 50µA | 38nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 50V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 | 10,004 - 立即发货 可供应: 10,004 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 80A（Tc） | 6V，10V | 7 毫欧 @ 40A，10V | 3.8V @ 50µA | 38nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 50V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 | 10,004 - 立即发货 可供应: 10,004 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 80A（Tc） | 6V，10V | 7 毫欧 @ 40A，10V | 3.8V @ 50µA | 38nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 50V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC130P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 |
|
带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 不適用於新設計 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Ta），22.5A（Tc） | 10V | 13 毫欧 @ 22.5A，10V | 2.2V @ 150µA | 73.1nC @ 10V | ±25V | 3670pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC130P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | 6,782 - 立即发货 可供应: 6,782 |
|
剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 不適用於新設計 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Ta），22.5A（Tc） | 10V | 13 毫欧 @ 22.5A，10V | 2.2V @ 150µA | 73.1nC @ 10V | ±25V | 3670pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC130P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | 6,782 - 立即发货 可供应: 6,782 |
|
Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 不適用於新設計 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12A（Ta），22.5A（Tc） | 10V | 13 毫欧 @ 22.5A，10V | 2.2V @ 150µA | 73.1nC @ 10V | ±25V | 3670pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
SI7114DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11.7A（Ta） | 4.5V，10V | 7.5 毫欧 @ 18.3A，10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7114DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 | 9,159 - 立即发货 可供应: 9,159 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11.7A（Ta） | 4.5V，10V | 7.5 毫欧 @ 18.3A，10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7114DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 | 9,159 - 立即发货 可供应: 9,159 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11.7A（Ta） | 4.5V，10V | 7.5 毫欧 @ 18.3A，10V | 3V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
 |
SQD19P06-60L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 20A TO252 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 20A（Tc） | 4.5V，10V | 55 毫欧 @ 19A，10V | 2.5V @ 250µA | 41nC @ 10V | ±20V | 1490pF @ 25V |
|
46W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SQD19P06-60L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 20A TO252 | 9,297 - 立即发货 可供应: 9,297 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 20A（Tc） | 4.5V，10V | 55 毫欧 @ 19A，10V | 2.5V @ 250µA | 41nC @ 10V | ±20V | 1490pF @ 25V |
|
46W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 |
|
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SQD19P06-60L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 20A TO252 | 9,297 - 立即发货 可供应: 9,297 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 20A（Tc） | 4.5V，10V | 55 毫欧 @ 19A，10V | 2.5V @ 250µA | 41nC @ 10V | ±20V | 1490pF @ 25V |
|
46W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 |
|
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 | 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET®，StrongIRFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 85A（Tc） | 6V，10V | 3.3 毫欧 @ 50A，10V | 3.9V @ 100µA | 98nC @ 10V | ±20V | 3174pF @ 25V |
|
78W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-TQFN 裸露焊盘 |
| |
IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 | 8,859 - 立即发货 可供应: 8,859 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET®，StrongIRFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 85A（Tc） | 6V，10V | 3.3 毫欧 @ 50A，10V | 3.9V @ 100µA | 98nC @ 10V | ±20V | 3174pF @ 25V |
|
78W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-TQFN 裸露焊盘 |
| |
IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 | 8,859 - 立即发货 可供应: 8,859 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET®，StrongIRFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 85A（Tc） | 6V，10V | 3.3 毫欧 @ 50A，10V | 3.9V @ 100µA | 98nC @ 10V | ±20V | 3174pF @ 25V |
|
78W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-TQFN 裸露焊盘 |
| |
FDMS7660AS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench®，SyncFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 26A（Ta），42A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 1mA | 90nC @ 10V | ±20V | 6120pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS7660AS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56 | 5,230 - 立即发货 可供应: 5,230 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench®，SyncFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 26A（Ta），42A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 1mA | 90nC @ 10V | ±20V | 6120pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS7660AS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56 | 5,230 - 立即发货 可供应: 5,230 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench®，SyncFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 26A（Ta），42A（Tc） | 4.5V，10V | 2.4 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 1mA | 90nC @ 10V | ±20V | 6120pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 2.5A（Ta） | 10V | 170 毫欧 @ 1.5A，10V | 5.5V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±30V | 940pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC | 7,125 - 立即发货 可供应: 7,125 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 2.5A（Ta） | 10V | 170 毫欧 @ 1.5A，10V | 5.5V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±30V | 940pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC | 7,125 - 立即发货 可供应: 7,125 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 2.5A（Ta） | 10V | 170 毫欧 @ 1.5A，10V | 5.5V @ 250µA | 39nC @ 10V | ±30V | 940pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
STD5N52U | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
UltraFASTmesh™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 525V | 4.4A（Tc） | 10V | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V | 4.5V @ 50µA | 16.9nC @ 10V | ±30V | 529pF @ 25V |
|
70W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD5N52U | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK | 4,953 - 立即发货 可供应: 4,953 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
UltraFASTmesh™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 525V | 4.4A（Tc） | 10V | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V | 4.5V @ 50µA | 16.9nC @ 10V | ±30V | 529pF @ 25V |
|
70W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD5N52U | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK | 4,953 - 立即发货 可供应: 4,953 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
UltraFASTmesh™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 525V | 4.4A（Tc） | 10V | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V | 4.5V @ 50µA | 16.9nC @ 10V | ±30V | 529pF @ 25V |
|
70W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
,TO-226_straightlead_tmb.jpg "BS107P - Diodes Incorporated") |
BS107P | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 | 32,992 - 立即发货 可供应: 32,992 | 1 最低订购数量 : 1 | 散装 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 120mA（Ta） | 2.6V，5V | 30 欧姆 @ 100mA，5V |
|
|
±20V |
|
|
500mW（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
,%20SC-63_tmb.jpg "DN2470K4-G - Microchip Technology") |
DN2470K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK | 84,000 - 立即发货 可供应: 84,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 700V | 170mA（Tj） | 0V | 42 欧姆 @ 100mA，0V |
|
|
±20V | 540pF @ 25V | 耗尽模式 | 2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
DN2470K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK | 85,786 - 立即发货 可供应: 85,786 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 700V | 170mA（Tj） | 0V | 42 欧姆 @ 100mA，0V |
|
|
±20V | 540pF @ 25V | 耗尽模式 | 2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
DN2470K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK | 85,786 - 立即发货 可供应: 85,786 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 700V | 170mA（Tj） | 0V | 42 欧姆 @ 100mA，0V |
|
|
±20V | 540pF @ 25V | 耗尽模式 | 2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Ta），156A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 30A，10V | 2.5V @ 250µA | 88nC @ 11.5V | ±20V | 5600pF @ 12V |
|
910mW（Ta），125W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| |
NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL | 5,005 - 立即发货 可供应: 5,005 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Ta），156A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 30A，10V | 2.5V @ 250µA | 88nC @ 11.5V | ±20V | 5600pF @ 12V |
|
910mW（Ta），125W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| |
NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL | 5,005 - 立即发货 可供应: 5,005 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 16A（Ta），156A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 30A，10V | 2.5V @ 250µA | 88nC @ 11.5V | ±20V | 5600pF @ 12V |
|
910mW（Ta），125W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| |
SI7157DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 33,000 - 立即发货 可供应: 33,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 60A（Tc） | 2.5V，10V | 1.6 毫欧 @ 25A，10V | 1.4V @ 250µA | 625nC @ 10V | ±12V | 22000pF @ 10V |
|
6.25W（Ta），104W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7157DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 35,469 - 立即发货 可供应: 35,469 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 60A（Tc） | 2.5V，10V | 1.6 毫欧 @ 25A，10V | 1.4V @ 250µA | 625nC @ 10V | ±12V | 22000pF @ 10V |
|
6.25W（Ta），104W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7157DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 35,469 - 立即发货 可供应: 35,469 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 60A（Tc） | 2.5V，10V | 1.6 毫欧 @ 25A，10V | 1.4V @ 250µA | 625nC @ 10V | ±12V | 22000pF @ 10V |
|
6.25W（Ta），104W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7139DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 5.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 146nC @ 10V | ±20V | 4230pF @ 15V |
|
5W（Ta），48W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7139DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 7,275 - 立即发货 可供应: 7,275 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 5.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 146nC @ 10V | ±20V | 4230pF @ 15V |
|
5W（Ta），48W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7139DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 7,275 - 立即发货 可供应: 7,275 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 40A（Tc） | 4.5V，10V | 5.5 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 146nC @ 10V | ±20V | 4230pF @ 15V |
|
5W（Ta），48W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
CoolMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 900V | 5.1A（Tc） | 10V | 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V | 3.5V @ 310µA | 28nC @ 10V | ±20V | 710pF @ 100V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 | 6,358 - 立即发货 可供应: 6,358 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
CoolMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 900V | 5.1A（Tc） | 10V | 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V | 3.5V @ 310µA | 28nC @ 10V | ±20V | 710pF @ 100V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 | 6,358 - 立即发货 可供应: 6,358 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
CoolMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 900V | 5.1A（Tc） | 10V | 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V | 3.5V @ 310µA | 28nC @ 10V | ±20V | 710pF @ 100V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TO252-3 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
CSD17301Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 28A 8SON | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 28A（Ta），100A（Tc） | 3V，8V | 2.6 毫欧 @ 25A，8V | 1.55V @ 250µA | 25nC @ 4.5V | +10V，-8V | 3480pF @ 15V |
|
3.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD17301Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 28A 8SON | 5,600 - 立即发货 可供应: 5,600 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 28A（Ta），100A（Tc） | 3V，8V | 2.6 毫欧 @ 25A，8V | 1.55V @ 250µA | 25nC @ 4.5V | +10V，-8V | 3480pF @ 15V |
|
3.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD17301Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 28A 8SON | 5,600 - 立即发货 可供应: 5,600 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 28A（Ta），100A（Tc） | 3V，8V | 2.6 毫欧 @ 25A，8V | 1.55V @ 250µA | 25nC @ 4.5V | +10V，-8V | 3480pF @ 15V |
|
3.2W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDS6574A | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 16A（Ta） | 1.8V，4.5V | 6 毫欧 @ 16A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 105nC @ 4.5V | ±8V | 7657pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6574A | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC | 3,877 - 立即发货 可供应: 3,877 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 16A（Ta） | 1.8V，4.5V | 6 毫欧 @ 16A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 105nC @ 4.5V | ±8V | 7657pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6574A | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC | 3,877 - 立即发货 可供应: 3,877 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 16A（Ta） | 1.8V，4.5V | 6 毫欧 @ 16A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 105nC @ 4.5V | ±8V | 7657pF @ 10V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS5680 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 8A（Ta） | 6V，10V | 20 毫欧 @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 42nC @ 10V | ±20V | 1850pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS5680 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO | 3,457 - 立即发货 可供应: 3,457 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 8A（Ta） | 6V，10V | 20 毫欧 @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 42nC @ 10V | ±20V | 1850pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS5680 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO | 3,457 - 立即发货 可供应: 3,457 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 8A（Ta） | 6V，10V | 20 毫欧 @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 42nC @ 10V | ±20V | 1850pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
CSD18531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 8SON | 82,500 - 立即发货 可供应: 82,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 19A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 22A，10V | 2.3V @ 250µA | 43nC @ 10V | ±20V | 3840pF @ 30V |
|
3.1W（Ta），156W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 8SON | 85,568 - 立即发货 可供应: 85,568 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 19A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 22A，10V | 2.3V @ 250µA | 43nC @ 10V | ±20V | 3840pF @ 30V |
|
3.1W（Ta），156W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 8SON | 85,568 - 立即发货 可供应: 85,568 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 19A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 4.6 毫欧 @ 22A，10V | 2.3V @ 250µA | 43nC @ 10V | ±20V | 3840pF @ 30V |
|
3.1W（Ta），156W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18563Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON | 60,000 - 立即发货 10,000 - 厂方库存 可供应: 60,000 |
2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Ta） | 4.5V，10V | 6.8 mOhm @ 18A、 10V | 2.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1500pF @ 30V |
|
3.2W（Ta），116W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18563Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON | 63,329 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 可供应: 63,329 |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Ta） | 4.5V，10V | 6.8 mOhm @ 18A、 10V | 2.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1500pF @ 30V |
|
3.2W（Ta），116W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18563Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON | 63,329 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 可供应: 63,329 |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 100A（Ta） | 4.5V，10V | 6.8 mOhm @ 18A、 10V | 2.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±20V | 1500pF @ 30V |
|
3.2W（Ta），116W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18501Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 22A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 3.2 毫欧 @ 25A，10V | 2.3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 3840pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），150W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18501Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 21,583 - 立即发货 可供应: 21,583 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 22A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 3.2 毫欧 @ 25A，10V | 2.3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 3840pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），150W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD18501Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON | 21,583 - 立即发货 可供应: 21,583 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 22A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 3.2 毫欧 @ 25A，10V | 2.3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 3840pF @ 20V |
|
3.1W（Ta），150W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 51,000 - 立即发货 可供应: 51,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 3 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±20V | 5600pF @ 15V |
|
5.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 55,717 - 立即发货 可供应: 55,717 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 3 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±20V | 5600pF @ 15V |
|
5.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 55,717 - 立即发货 可供应: 55,717 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 3 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±20V | 5600pF @ 15V |
|
5.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7336ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 3 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±20V | 5600pF @ 15V |
|
5.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7336ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 23,949 - 立即发货 可供应: 23,949 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 3 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±20V | 5600pF @ 15V |
|
5.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7336ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 23,949 - 立即发货 可供应: 23,949 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta） | 4.5V，10V | 3 毫欧 @ 25A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 4.5V | ±20V | 5600pF @ 15V |
|
5.4W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 28A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 20A，10V | 1.9V @ 250µA | 18nC @ 4.5V | +16V，-12V | 2660pF @ 12.5V |
|
3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | 11,491 - 立即发货 可供应: 11,491 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 28A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 20A，10V | 1.9V @ 250µA | 18nC @ 4.5V | +16V，-12V | 2660pF @ 12.5V |
|
3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | 11,491 - 立即发货 可供应: 11,491 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 28A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.8 毫欧 @ 20A，10V | 1.9V @ 250µA | 18nC @ 4.5V | +16V，-12V | 2660pF @ 12.5V |
|
3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
STD15NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 23A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 12A，10V | 4V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 870pF @ 25V |
|
70W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD15NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | 9,737 - 立即发货 可供应: 9,737 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 23A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 12A，10V | 4V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 870pF @ 25V |
|
70W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
STD15NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | 9,737 - 立即发货 可供应: 9,737 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
STripFET™ II | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 23A（Tc） | 10V | 65 毫欧 @ 12A，10V | 4V @ 250µA | 40nC @ 10V | ±20V | 870pF @ 25V |
|
70W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | DPAK | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET | 4,800 - 立即发货 可供应: 4,800 | 4,800 最低订购数量 : 4,800 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 55A（Tc） | 10V | 15 毫欧 @ 12A，10V | 4.9V @ 100µA | 31nC @ 10V | ±20V | 1320pF @ 25V |
|
2.8W（Ta），89W（Tc） | -40°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DIRECTFET™ MZ | DirectFET™ 等容 MZ |
| |
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET | 9,484 - 立即发货 可供应: 9,484 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 55A（Tc） | 10V | 15 毫欧 @ 12A，10V | 4.9V @ 100µA | 31nC @ 10V | ±20V | 1320pF @ 25V |
|
2.8W（Ta），89W（Tc） | -40°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DIRECTFET™ MZ | DirectFET™ 等容 MZ |
| |
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET | 9,484 - 立即发货 可供应: 9,484 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 80V | 55A（Tc） | 10V | 15 毫欧 @ 12A，10V | 4.9V @ 100µA | 31nC @ 10V | ±20V | 1320pF @ 25V |
|
2.8W（Ta），89W（Tc） | -40°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | DIRECTFET™ MZ | DirectFET™ 等容 MZ |
| |
SI4420DYTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12.5A（Ta） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.5A，10V | 1V @ 250µA | 78nC @ 10V | ±20V | 2240pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4420DYTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | 5,258 - 立即发货 可供应: 5,258 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12.5A（Ta） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.5A，10V | 1V @ 250µA | 78nC @ 10V | ±20V | 2240pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4420DYTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | 5,258 - 立即发货 可供应: 5,258 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 12.5A（Ta） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.5A，10V | 1V @ 250µA | 78nC @ 10V | ±20V | 2240pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
 |
AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO252 | 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 |
|
带卷（TR） 可替代的包装 |
aMOS™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 7A（Tc） | 10V | 600 毫欧 @ 3.5A，10V | 3.9V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | ±30V | 372pF @ 100V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO252 | 3,281 - 立即发货 可供应: 3,281 |
|
剪切带（CT） 可替代的包装 |
aMOS™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 7A（Tc） | 10V | 600 毫欧 @ 3.5A，10V | 3.9V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | ±30V | 372pF @ 100V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO252 | 3,281 - 立即发货 可供应: 3,281 |
|
Digi-Reel® 可替代的包装 |
aMOS™ | 不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 600V | 7A（Tc） | 10V | 600 毫欧 @ 3.5A，10V | 3.9V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | ±30V | 372pF @ 100V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252，（D-Pak） | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
CSD16321Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | 182,500 - 立即发货 可供应: 182,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 31A（Ta），100A（Tc） | 3V，8V | 2.4 毫欧 @ 25A，8V | 1.4V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | +10V，-8V | 3100pF @ 12.5V |
|
3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD16321Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | 183,557 - 立即发货 可供应: 183,557 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 31A（Ta），100A（Tc） | 3V，8V | 2.4 毫欧 @ 25A，8V | 1.4V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | +10V，-8V | 3100pF @ 12.5V |
|
3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD16321Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | 183,557 - 立即发货 可供应: 183,557 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 31A（Ta），100A（Tc） | 3V，8V | 2.4 毫欧 @ 25A，8V | 1.4V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | +10V，-8V | 3100pF @ 12.5V |
|
3.1W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSON-CLIP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
BSC900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 15.2A（Tc） | 10V | 90 毫欧 @ 7.6A，10V | 4V @ 30µA | 11.6nC @ 10V | ±20V | 920pF @ 100V |
|
62.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON | 8,265 - 立即发货 可供应: 8,265 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 15.2A（Tc） | 10V | 90 毫欧 @ 7.6A，10V | 4V @ 30µA | 11.6nC @ 10V | ±20V | 920pF @ 100V |
|
62.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON | 8,265 - 立即发货 可供应: 8,265 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 15.2A（Tc） | 10V | 90 毫欧 @ 7.6A，10V | 4V @ 30µA | 11.6nC @ 10V | ±20V | 920pF @ 100V |
|
62.5W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | 170,000 - 立即发货 可供应: 170,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 24A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.7 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 49µA | 85nC @ 10V | ±20V | 6800pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | 172,946 - 立即发货 可供应: 172,946 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 24A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.7 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 49µA | 85nC @ 10V | ±20V | 6800pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | 172,946 - 立即发货 可供应: 172,946 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 24A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2.7 毫欧 @ 50A，10V | 2V @ 49µA | 85nC @ 10V | ±20V | 6800pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 39A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 64nC @ 10V | ±20V | 4700pF @ 12V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 17,631 - 立即发货 可供应: 17,631 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 39A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 64nC @ 10V | ±20V | 4700pF @ 12V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 17,631 - 立即发货 可供应: 17,631 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 39A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1 毫欧 @ 30A，10V | 2V @ 250µA | 64nC @ 10V | ±20V | 4700pF @ 12V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
 |
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 22A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 1.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 2500pF @ 12V |
|
2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
| |
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | 8,843 - 立即发货 可供应: 8,843 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 22A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 1.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 2500pF @ 12V |
|
2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
| |
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | 8,843 - 立即发货 可供应: 8,843 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 25V | 22A（Ta），40A（Tc） | 4.5V，10V | 1.8 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 2500pF @ 12V |
|
2.1W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TSDSON-8-FL | 8-PowerTDFN |
| |
SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | 51,000 - 立即发货 可供应: 51,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 11.7 毫欧 @ 15A，10V | 2.3V @ 250µA | 135nC @ 10V | ±20V | 4370pF @ 20V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | 51,278 - 立即发货 可供应: 51,278 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 11.7 毫欧 @ 15A，10V | 2.3V @ 250µA | 135nC @ 10V | ±20V | 4370pF @ 20V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | 51,278 - 立即发货 可供应: 51,278 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 35A（Tc） | 4.5V，10V | 11.7 毫欧 @ 15A，10V | 2.3V @ 250µA | 135nC @ 10V | ±20V | 4370pF @ 20V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 100A（Tc） | 6V，10V | 6.4 毫欧 @ 16A，10V | 3.3V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±20V | 3870pF @ 50V |
|
3.3W（Ta），125W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | 10,572 - 立即发货 可供应: 10,572 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 100A（Tc） | 6V，10V | 6.4 毫欧 @ 16A，10V | 3.3V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±20V | 3870pF @ 50V |
|
3.3W（Ta），125W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | 10,572 - 立即发货 可供应: 10,572 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 100A（Tc） | 6V，10V | 6.4 毫欧 @ 16A，10V | 3.3V @ 250µA | 48nC @ 10V | ±20V | 3870pF @ 50V |
|
3.3W（Ta），125W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-VSONP（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
AON6500 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 71A（Ta），200A（Tc） | 4.5V，10V | 0.95 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 145nC @ 10V | ±20V | 7036pF @ 15V |
|
7.3W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
AON6500 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6 | 4,083 - 立即发货 可供应: 4,083 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 71A（Ta），200A（Tc） | 4.5V，10V | 0.95 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 145nC @ 10V | ±20V | 7036pF @ 15V |
|
7.3W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
AON6500 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6 | 4,083 - 立即发货 可供应: 4,083 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 71A（Ta），200A（Tc） | 4.5V，10V | 0.95 毫欧 @ 20A，10V | 2V @ 250µA | 145nC @ 10V | ±20V | 7036pF @ 15V |
|
7.3W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DFN（5x6） | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| |
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | 42,500 - 立即发货 可供应: 42,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.4A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | 44,559 - 立即发货 可供应: 44,559 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.4A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | 44,559 - 立即发货 可供应: 44,559 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.4A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | 36,000 - 立即发货 可供应: 36,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 47A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 16A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
4.2W（Ta），36W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | 36,448 - 立即发货 可供应: 36,448 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 47A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 16A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
4.2W（Ta），36W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | 36,448 - 立即发货 可供应: 36,448 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 47A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 16A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
4.2W（Ta），36W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.4A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | 13,770 - 立即发货 可供应: 13,770 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.4A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | 13,770 - 立即发货 可供应: 13,770 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 19A（Tc） | 4.5V，10V | 9 毫欧 @ 12.4A，10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±20V | 2000pF @ 20V |
|
2.5W（Ta），6W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SO | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
 |
TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
U-MOSVIII-H | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 92A（Tc） | 10V | 4.5 毫欧 @ 46A， 10V | 4V @ 1mA | 58nC @ 10V | ±20V | 5200pF @ 50V |
|
800mW（Ta），142W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DSOP Advance | 8-PowerVDFN |
| |
TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP | 10,700 - 立即发货 可供应: 10,700 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
U-MOSVIII-H | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 92A（Tc） | 10V | 4.5 毫欧 @ 46A， 10V | 4V @ 1mA | 58nC @ 10V | ±20V | 5200pF @ 50V |
|
800mW（Ta），142W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DSOP Advance | 8-PowerVDFN |
| |
TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP | 10,700 - 立即发货 可供应: 10,700 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
U-MOSVIII-H | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 92A（Tc） | 10V | 4.5 毫欧 @ 46A， 10V | 4V @ 1mA | 58nC @ 10V | ±20V | 5200pF @ 50V |
|
800mW（Ta），142W（Tc） | 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-DSOP Advance | 8-PowerVDFN |
| |
SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 32A（Tc） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 51nC @ 10V | ±20V | 2289pF @ 40V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN |
| |
SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L | 19,266 - 立即发货 可供应: 19,266 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 32A（Tc） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 51nC @ 10V | ±20V | 2289pF @ 40V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN |
| |
SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L | 19,266 - 立即发货 可供应: 19,266 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 32A（Tc） | 4.5V，10V | 11 毫欧 @ 10A，10V | 2.5V @ 250µA | 51nC @ 10V | ±20V | 2289pF @ 40V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | 8-PowerTDFN |
 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 9.4A（Ta），98A（Tc） | 4.5V，10V | 9.5 毫欧 @ 13A，10V | 3.5V @ 250µA | 71nC @ 10V | ±20V | 3000pF @ 50V |
|
1.2W（Ta）, 139W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerDI5060-8 | 8-PowerTDFN |
| |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | 21,731 - 立即发货 可供应: 21,731 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 9.4A（Ta），98A（Tc） | 4.5V，10V | 9.5 毫欧 @ 13A，10V | 3.5V @ 250µA | 71nC @ 10V | ±20V | 3000pF @ 50V |
|
1.2W（Ta）, 139W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerDI5060-8 | 8-PowerTDFN |
| |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | 21,731 - 立即发货 可供应: 21,731 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 9.4A（Ta），98A（Tc） | 4.5V，10V | 9.5 毫欧 @ 13A，10V | 3.5V @ 250µA | 71nC @ 10V | ±20V | 3000pF @ 50V |
|
1.2W（Ta）, 139W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerDI5060-8 | 8-PowerTDFN |
| |
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A DPAK | 48,000 - 立即发货 可供应: 48,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 56A（Tc） | 10V | 8.4 毫欧 @ 47A，10V | 4V @ 100µA | 69nC @ 10V | ±20V | 2290pF @ 50V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A DPAK | 48,110 - 立即发货 可供应: 48,110 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 56A（Tc） | 10V | 8.4 毫欧 @ 47A，10V | 4V @ 100µA | 69nC @ 10V | ±20V | 2290pF @ 50V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A DPAK | 48,110 - 立即发货 可供应: 48,110 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 56A（Tc） | 10V | 8.4 毫欧 @ 47A，10V | 4V @ 100µA | 69nC @ 10V | ±20V | 2290pF @ 50V |
|
110W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SI7615DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 35A（Tc） | 6V，10V | 3.9 毫欧 @ 20A，10V | 1.5V @ 250µA | 183nC @ 10V | ±12V | 6000pF @ 10V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7615DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 | 8,047 - 立即发货 可供应: 8,047 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 35A（Tc） | 6V，10V | 3.9 毫欧 @ 20A，10V | 1.5V @ 250µA | 183nC @ 10V | ±12V | 6000pF @ 10V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7615DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 | 8,047 - 立即发货 可供应: 8,047 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 35A（Tc） | 6V，10V | 3.9 毫欧 @ 20A，10V | 1.5V @ 250µA | 183nC @ 10V | ±12V | 6000pF @ 10V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V TO252 | 2,000 - 立即发货 可供应: 2,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.9 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 70nC @ 10V | ±20V | 2950pF @ 25V |
|
136W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V TO252 | 2,758 - 立即发货 可供应: 2,758 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.9 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 70nC @ 10V | ±20V | 2950pF @ 25V |
|
136W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V TO252 | 2,758 - 立即发货 可供应: 2,758 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 50A（Tc） | 4.5V，10V | 8.9 毫欧 @ 15A，10V | 2.5V @ 250µA | 70nC @ 10V | ±20V | 2950pF @ 25V |
|
136W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
FDMS8018 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta），120A（Tc） | 4.5V，10V | 1.8 毫欧 @ 30A，10V | 3V @ 250µA | 61nC @ 10V | ±20V | 5235pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS8018 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN | 13,047 - 立即发货 可供应: 13,047 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta），120A（Tc） | 4.5V，10V | 1.8 毫欧 @ 30A，10V | 3V @ 250µA | 61nC @ 10V | ±20V | 5235pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
| |
FDMS8018 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN | 13,047 - 立即发货 可供应: 13,047 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 30A（Ta），120A（Tc） | 4.5V，10V | 1.8 毫欧 @ 30A，10V | 3V @ 250µA | 61nC @ 10V | ±20V | 5235pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），83W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-PQFN（5x6） | 8-PowerTDFN |
 |
BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 | 800 最低订购数量 : 800 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 75A（Tc） | 5V，10V | 7 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 45nC @ 5V | ±15V | 5280pF @ 25V |
|
203W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D2PAK | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| |
BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 4,353 - 立即发货 可供应: 4,353 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 75A（Tc） | 5V，10V | 7 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 45nC @ 5V | ±15V | 5280pF @ 25V |
|
203W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D2PAK | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| |
BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 4,353 - 立即发货 可供应: 4,353 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 55V | 75A（Tc） | 5V，10V | 7 毫欧 @ 25A，10V | 2V @ 1mA | 45nC @ 5V | ±15V | 5280pF @ 25V |
|
203W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D2PAK | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
 |
FQB30N06LTM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK | 6,400 - 立即发货 可供应: 6,400 | 800 最低订购数量 : 800 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 32A（Tc） | 5V，10V | 35 毫欧 @ 16A，10V | 2.5V @ 250µA | 20nC @ 5V | ±20V | 1040pF @ 25V |
|
3.75W（Ta），79W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D²PAK（TO-263AB） | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| |
FQB30N06LTM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK | 7,168 - 立即发货 可供应: 7,168 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 32A（Tc） | 5V，10V | 35 毫欧 @ 16A，10V | 2.5V @ 250µA | 20nC @ 5V | ±20V | 1040pF @ 25V |
|
3.75W（Ta），79W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D²PAK（TO-263AB） | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| |
FQB30N06LTM | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK | 7,168 - 立即发货 可供应: 7,168 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
QFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 32A（Tc） | 5V，10V | 35 毫欧 @ 16A，10V | 2.5V @ 250µA | 20nC @ 5V | ±20V | 1040pF @ 25V |
|
3.75W（Ta），79W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D²PAK（TO-263AB） | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| |
SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 50A（Tc） | 2.5V，10V | 2.3 毫欧 @ 15A，10V | 1.5V @ 250µA | 133nC @ 10V | ±12V | 5125pF @ 10V |
|
5.2W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | 11,953 - 立即发货 可供应: 11,953 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 50A（Tc） | 2.5V，10V | 2.3 毫欧 @ 15A，10V | 1.5V @ 250µA | 133nC @ 10V | ±12V | 5125pF @ 10V |
|
5.2W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | 11,953 - 立即发货 可供应: 11,953 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 20V | 50A（Tc） | 2.5V，10V | 2.3 毫欧 @ 15A，10V | 1.5V @ 250µA | 133nC @ 10V | ±12V | 5125pF @ 10V |
|
5.2W（Ta），69W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
BSC020N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | 80,000 - 立即发货 可供应: 80,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 28A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 30A，10V | 2.2V @ 250µA | 93nC @ 10V | ±20V | 7200pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC020N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | 84,578 - 立即发货 可供应: 84,578 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 28A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 30A，10V | 2.2V @ 250µA | 93nC @ 10V | ±20V | 7200pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC020N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | 84,578 - 立即发货 可供应: 84,578 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 28A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 2 毫欧 @ 30A，10V | 2.2V @ 250µA | 93nC @ 10V | ±20V | 7200pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 37A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.1 毫欧 @ 30A，10V | 2.2V @ 250µA | 72nC @ 10V | ±20V | 4700pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | 14,500 - 立即发货 可供应: 14,500 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 37A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.1 毫欧 @ 30A，10V | 2.2V @ 250µA | 72nC @ 10V | ±20V | 4700pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | 14,500 - 立即发货 可供应: 14,500 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 37A（Ta），100A（Tc） | 4.5V，10V | 1.1 毫欧 @ 30A，10V | 2.2V @ 250µA | 72nC @ 10V | ±20V | 4700pF @ 15V |
|
2.5W（Ta），96W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PG-TDSON-8 | 8-PowerTDFN |
| |
FDS6675 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11A（Ta） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 42nC @ 5V | ±20V | 3000pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6675 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC | 5,493 - 立即发货 可供应: 5,493 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11A（Ta） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 42nC @ 5V | ±20V | 3000pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS6675 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC | 5,493 - 立即发货 可供应: 5,493 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 30V | 11A（Ta） | 4.5V，10V | 14 毫欧 @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 42nC @ 5V | ±20V | 3000pF @ 15V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
SI7113DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | 33,000 - 立即发货 可供应: 33,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 13.2A（Tc） | 4.5V，10V | 134 毫欧 @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 55nC @ 10V | ±20V | 1480pF @ 50V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7113DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | 34,603 - 立即发货 可供应: 34,603 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 13.2A（Tc） | 4.5V，10V | 134 毫欧 @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 55nC @ 10V | ±20V | 1480pF @ 50V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7113DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | 34,603 - 立即发货 可供应: 34,603 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 100V | 13.2A（Tc） | 4.5V，10V | 134 毫欧 @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 55nC @ 10V | ±20V | 1480pF @ 50V |
|
3.7W（Ta），52W（Tc） | -50°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7818DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.2A（Ta） | 6V，10V | 135 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7818DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 | 16,430 - 立即发货 可供应: 16,430 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.2A（Ta） | 6V，10V | 135 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7818DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 | 16,430 - 立即发货 可供应: 16,430 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.2A（Ta） | 6V，10V | 135 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7818DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.2A（Ta） | 6V，10V | 135 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7818DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 | 5,876 - 立即发货 可供应: 5,876 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.2A（Ta） | 6V，10V | 135 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
SI7818DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 | 5,876 - 立即发货 可供应: 5,876 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 150V | 2.2A（Ta） | 6V，10V | 135 毫欧 @ 3.4A，10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | ±20V |
|
|
1.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 56A（Tc） | 10V | 9 毫欧 @ 46A，10V | 4V @ 100µA | 84nC @ 10V | ±20V | 3070pF @ 50V |
|
140W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK | 30,309 - 立即发货 可供应: 30,309 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 56A（Tc） | 10V | 9 毫欧 @ 46A，10V | 4V @ 100µA | 84nC @ 10V | ±20V | 3070pF @ 50V |
|
140W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK | 30,309 - 立即发货 可供应: 30,309 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 75V | 56A（Tc） | 10V | 9 毫欧 @ 46A，10V | 4V @ 100µA | 84nC @ 10V | ±20V | 3070pF @ 50V |
|
140W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | D-Pak | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
 |
SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 74A（Tc） | 4.5V，10V | 3.4 毫欧 @ 18A，10V | 2.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 4660pF @ 20V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| |
SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | 9,630 - 立即发货 可供应: 9,630 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 74A（Tc） | 4.5V，10V | 3.4 毫欧 @ 18A，10V | 2.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 4660pF @ 20V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 |
|
PowerPAK® SO-8 |
| |
SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | 9,630 - 立即发货 可供应: 9,630 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 40V | 74A（Tc） | 4.5V，10V | 3.4 毫欧 @ 18A，10V | 2.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | ±20V | 4660pF @ 20V |
|
83W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装 |
|
PowerPAK® SO-8 |
| |
FDS2670 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 3A（Ta） | 10V | 130 毫欧 @ 3A，10V | 4.5V @ 250µA | 43nC @ 10V | ±20V | 1228pF @ 100V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS2670 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO | 5,786 - 立即发货 可供应: 5,786 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 3A（Ta） | 10V | 130 毫欧 @ 3A，10V | 4.5V @ 250µA | 43nC @ 10V | ±20V | 1228pF @ 100V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS2670 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO | 5,786 - 立即发货 可供应: 5,786 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 200V | 3A（Ta） | 10V | 130 毫欧 @ 3A，10V | 4.5V @ 250µA | 43nC @ 10V | ±20V | 1228pF @ 100V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS5672 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC | 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Tc） | 6V，10V | 10 毫欧 @ 12A，10V | 4V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 2200pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS5672 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC | 5,283 - 立即发货 可供应: 5,283 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带（CT） 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Tc） | 6V，10V | 10 毫欧 @ 12A，10V | 4V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 2200pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| |
FDS5672 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC | 5,283 - 立即发货 可供应: 5,283 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel® 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 12A（Tc） | 6V，10V | 10 毫欧 @ 12A，10V | 4V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 2200pF @ 25V |
|
2.5W（Ta） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| SISS26DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | $0.74844 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷（TR） 可替代的包装 |
TrenchFET® Gen IV | 在售 | N 沟道 | MOSFET（金属氧化物） | 60V | 60A（Tc） |
