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Infineon 晶体管 FET-MOSFET 单BSC160N10NS3GATMA1


来源: | 时间:2019年03月11日

图像 制造商零件编号 制造商 描述 现有数量
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包装 系列 零件状态 FET 类型 技术 漏源电压(Vdss) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) Vgs(最大值) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) FET 功能 功率耗散(最大值) 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳
BSC160N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON 41,610 - 立即发货 可供应: 41,610 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 8.8A(Ta),42A(Tc) 6V,10V 16 毫欧 @ 33A,10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V ±20V 1700pF @ 50V
-
60W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
SI4116DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 18A(Tc) 2.5V,10V 8.6 毫欧 @ 10A,10V 1.4V @ 250µA 56nC @ 10V ±12V 1925pF @ 15V
-
2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4116DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 13,269 - 立即发货 可供应: 13,269 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 18A(Tc) 2.5V,10V 8.6 毫欧 @ 10A,10V 1.4V @ 250µA 56nC @ 10V ±12V 1925pF @ 15V
-
2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4116DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC 13,269 - 立即发货 可供应: 13,269 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 18A(Tc) 2.5V,10V 8.6 毫欧 @ 10A,10V 1.4V @ 250µA 56nC @ 10V ±12V 1925pF @ 15V
-
2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SIS476DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR 87,000 - 立即发货 可供应: 87,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 40A(Tc) 4.5V,10V 2.5 毫欧 @ 15A,10V 2.3V @ 250µA 77nC @ 10V +20V,-16V 3595pF @ 15V
-
3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SIS476DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR 88,130 - 立即发货 可供应: 88,130 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 40A(Tc) 4.5V,10V 2.5 毫欧 @ 15A,10V 2.3V @ 250µA 77nC @ 10V +20V,-16V 3595pF @ 15V
-
3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SIS476DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR 88,130 - 立即发货 可供应: 88,130 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 40A(Tc) 4.5V,10V 2.5 毫欧 @ 15A,10V 2.3V @ 250µA 77nC @ 10V +20V,-16V 3595pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
FDT86106LZ - ON Semiconductor FDT86106LZ ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 4,000 - 立即发货
40,000 - 厂方库存 ?
可供应: 4,000
4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.2A(Ta) 4.5V,10V 108 毫欧 @ 3.2A,10V 2.2V @ 250µA 7nC @ 10V ±20V 315pF @ 50V
-
2.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
FDT86106LZ - ON Semiconductor FDT86106LZ ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 5,151 - 立即发货
40,000 - 厂方库存 ?
可供应: 5,151
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.2A(Ta) 4.5V,10V 108 毫欧 @ 3.2A,10V 2.2V @ 250µA 7nC @ 10V ±20V 315pF @ 50V
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2.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
FDT86106LZ - ON Semiconductor FDT86106LZ ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 5,151 - 立即发货
40,000 - 厂方库存 ?
可供应: 5,151
1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.2A(Ta) 4.5V,10V 108 毫欧 @ 3.2A,10V 2.2V @ 250µA 7nC @ 10V ±20V 315pF @ 50V
-
2.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
SQJ486EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 30A(Tc) 4.5V,10V 26 毫欧 @ 51A,10V 2.1V @ 250µA 34nC @ 10V ±20V 1386pF @ 15V
-
56W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 8-PowerTDFN
SQJ486EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L 17,840 - 立即发货 可供应: 17,840 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 30A(Tc) 4.5V,10V 26 毫欧 @ 51A,10V 2.1V @ 250µA 34nC @ 10V ±20V 1386pF @ 15V
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56W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 8-PowerTDFN
SQJ486EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L 17,840 - 立即发货 可供应: 17,840 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 30A(Tc) 4.5V,10V 26 毫欧 @ 51A,10V 2.1V @ 250µA 34nC @ 10V ±20V 1386pF @ 15V
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56W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 8-PowerTDFN
STD25NF20 - STMicroelectronics STD25NF20 STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,STripFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 18A(Tc) 10V 125 毫欧 @ 10A,10V 4V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 940pF @ 25V
-
110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD25NF20 - STMicroelectronics STD25NF20 STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 17,203 - 立即发货 可供应: 17,203 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
STripFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 18A(Tc) 10V 125 毫欧 @ 10A,10V 4V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 940pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD25NF20 - STMicroelectronics STD25NF20 STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 17,203 - 立即发货 可供应: 17,203 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
STripFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 18A(Tc) 10V 125 毫欧 @ 10A,10V 4V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 940pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SI7625DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK 54,000 - 立即发货 可供应: 54,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 7 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 126nC @ 10V ±20V 4427pF @ 15V
-
3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK 56,289 - 立即发货 可供应: 56,289 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 7 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 126nC @ 10V ±20V 4427pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK 56,289 - 立即发货 可供应: 56,289 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 7 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 126nC @ 10V ±20V 4427pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
RJK0651DPB-00#J5 - Renesas Electronics America RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK 80,000 - 立即发货 可供应: 80,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 25A(Ta) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 12.5A,10V
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15nC @ 4.5V ±20V 2030pF @ 10V
-
45W(Tc) 150°C(TJ) 表面贴装 LFPAK SC-100,SOT-669
RJK0651DPB-00#J5 - Renesas Electronics America RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK 84,467 - 立即发货 可供应: 84,467 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 25A(Ta) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 12.5A,10V
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15nC @ 4.5V ±20V 2030pF @ 10V
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45W(Tc) 150°C(TJ) 表面贴装 LFPAK SC-100,SOT-669
RJK0651DPB-00#J5 - Renesas Electronics America RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK 84,467 - 立即发货 可供应: 84,467 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 25A(Ta) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 12.5A,10V
-
15nC @ 4.5V ±20V 2030pF @ 10V
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45W(Tc) 150°C(TJ) 表面贴装 LFPAK SC-100,SOT-669
FDS4465 - ON Semiconductor FDS4465 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 13.5A(Ta) 1.8V,4.5V 8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 120nC @ 4.5V ±8V 8237pF @ 10V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS4465 - ON Semiconductor FDS4465 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC 17,166 - 立即发货 可供应: 17,166 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 13.5A(Ta) 1.8V,4.5V 8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 120nC @ 4.5V ±8V 8237pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS4465 - ON Semiconductor FDS4465 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC 17,166 - 立即发货 可供应: 17,166 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 13.5A(Ta) 1.8V,4.5V 8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 120nC @ 4.5V ±8V 8237pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SQJ423EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 55A(Tc) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 130nC @ 10V ±20V 4500pF @ 25V
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68W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SQJ423EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8 5,838 - 立即发货 可供应: 5,838 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 55A(Tc) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 130nC @ 10V ±20V 4500pF @ 25V
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68W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SQJ423EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8 5,838 - 立即发货 可供应: 5,838 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 55A(Tc) 4.5V,10V 14 毫欧 @ 10A,10V 2.5V @ 250µA 130nC @ 10V ±20V 4500pF @ 25V
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68W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
FDS6576 - ON Semiconductor FDS6576 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 11A(Ta) 2.5V,4.5V 14 毫欧 @ 11A,4.5V 1.5V @ 250µA 60nC @ 4.5V ±12V 4044pF @ 10V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6576 - ON Semiconductor FDS6576 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC 3,672 - 立即发货 可供应: 3,672 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 11A(Ta) 2.5V,4.5V 14 毫欧 @ 11A,4.5V 1.5V @ 250µA 60nC @ 4.5V ±12V 4044pF @ 10V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6576 - ON Semiconductor FDS6576 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC 3,672 - 立即发货 可供应: 3,672 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 11A(Ta) 2.5V,4.5V 14 毫欧 @ 11A,4.5V 1.5V @ 250µA 60nC @ 4.5V ±12V 4044pF @ 10V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI7117DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 2.17A(Tc) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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3.2W(Ta),12.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7117DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 25,647 - 立即发货 可供应: 25,647 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 2.17A(Tc) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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3.2W(Ta),12.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7117DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 25,647 - 立即发货 可供应: 25,647 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 2.17A(Tc) 6V,10V 1.2 欧姆 @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 510pF @ 25V
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3.2W(Ta),12.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
FDMC8651 - ON Semiconductor FDMC8651 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),20A(Tc) 2.5V,4.5V 6.1 毫欧 @ 15A,4.5V 1.5V @ 250µA 27.2nC @ 4.5V ±12V 3365pF @ 15V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 Power33 8-PowerTDFN
FDMC8651 - ON Semiconductor FDMC8651 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 11,205 - 立即发货 可供应: 11,205 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),20A(Tc) 2.5V,4.5V 6.1 毫欧 @ 15A,4.5V 1.5V @ 250µA 27.2nC @ 4.5V ±12V 3365pF @ 15V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 Power33 8-PowerTDFN
FDMC8651 - ON Semiconductor FDMC8651 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 11,205 - 立即发货 可供应: 11,205 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 15A(Ta),20A(Tc) 2.5V,4.5V 6.1 毫欧 @ 15A,4.5V 1.5V @ 250µA 27.2nC @ 4.5V ±12V 3365pF @ 15V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 Power33 8-PowerTDFN
ZVP2106GTA - Diodes Incorporated ZVP2106GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 13,000 - 立即发货 可供应: 13,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 450mA(Ta) 10V 5 欧姆 @ 500mA,10V 3.5V @ 1mA
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±20V 100pF @ 18V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP2106GTA - Diodes Incorporated ZVP2106GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 13,367 - 立即发货 可供应: 13,367 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 450mA(Ta) 10V 5 欧姆 @ 500mA,10V 3.5V @ 1mA
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±20V 100pF @ 18V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP2106GTA - Diodes Incorporated ZVP2106GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 13,367 - 立即发货 可供应: 13,367 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 450mA(Ta) 10V 5 欧姆 @ 500mA,10V 3.5V @ 1mA
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±20V 100pF @ 18V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
SUD19P06-60-GE3 - Vishay Siliconix SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 62,000 - 立即发货 可供应: 62,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 18.3A(Tc) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 10A,10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 1710pF @ 25V
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2.3W(Ta),38.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SUD19P06-60-GE3 - Vishay Siliconix SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 62,371 - 立即发货 可供应: 62,371 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 18.3A(Tc) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 10A,10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 1710pF @ 25V
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2.3W(Ta),38.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SUD19P06-60-GE3 - Vishay Siliconix SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 62,371 - 立即发货 可供应: 62,371 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 18.3A(Tc) 4.5V,10V 60 毫欧 @ 10A,10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 1710pF @ 25V
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2.3W(Ta),38.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SIR462DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 30A(Tc) 4.5V,10V 7.9 毫欧 @ 20A,10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 1155pF @ 15V
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4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SIR462DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 15,165 - 立即发货 可供应: 15,165 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 30A(Tc) 4.5V,10V 7.9 毫欧 @ 20A,10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 1155pF @ 15V
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4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SIR462DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 15,165 - 立即发货 可供应: 15,165 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 30A(Tc) 4.5V,10V 7.9 毫欧 @ 20A,10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V ±20V 1155pF @ 15V
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4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SIR422DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 40A(Tc) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 20A,10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 1785pF @ 20V
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5W(Ta),34.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SIR422DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 11,732 - 立即发货 可供应: 11,732 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 40A(Tc) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 20A,10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 1785pF @ 20V
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5W(Ta),34.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SIR422DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 11,732 - 立即发货 可供应: 11,732 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 40A(Tc) 4.5V,10V 6.6 毫欧 @ 20A,10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 1785pF @ 20V
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5W(Ta),34.7W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
IRF8788TRPBF - Infineon Technologies IRF8788TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 24A(Ta) 4.5V,10V 2.8 毫欧 @ 24A,10V 2.35V @ 100µA 66nC @ 4.5V ±20V 5720pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF8788TRPBF - Infineon Technologies IRF8788TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO 6,496 - 立即发货 可供应: 6,496 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 24A(Ta) 4.5V,10V 2.8 毫欧 @ 24A,10V 2.35V @ 100µA 66nC @ 4.5V ±20V 5720pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF8788TRPBF - Infineon Technologies IRF8788TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO 6,496 - 立即发货 可供应: 6,496 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 24A(Ta) 4.5V,10V 2.8 毫欧 @ 24A,10V 2.35V @ 100µA 66nC @ 4.5V ±20V 5720pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
NTD5802NT4G - ON Semiconductor NTD5802NT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16.4A(Ta),101A(Tc) 5V,10V 4.4 毫欧 @ 50A,10V 3.5V @ 250µA 100nC @ 10V ±20V 5025pF @ 25V
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2.5W(Ta),93.75W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTD5802NT4G - ON Semiconductor NTD5802NT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK 9,437 - 立即发货 可供应: 9,437 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16.4A(Ta),101A(Tc) 5V,10V 4.4 毫欧 @ 50A,10V 3.5V @ 250µA 100nC @ 10V ±20V 5025pF @ 25V
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2.5W(Ta),93.75W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
NTD5802NT4G - ON Semiconductor NTD5802NT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK 9,437 - 立即发货 可供应: 9,437 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 16.4A(Ta),101A(Tc) 5V,10V 4.4 毫欧 @ 50A,10V 3.5V @ 250µA 100nC @ 10V ±20V 5025pF @ 25V
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2.5W(Ta),93.75W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BUK7Y6R0-60EX - Nexperia USA Inc. BUK7Y6R0-60EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 1,500 - 立即发货 可供应: 1,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 100A(Tc) 10V 6 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 45.4nC @ 10V ±20V 4021pF @ 25V
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195W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BUK7Y6R0-60EX - Nexperia USA Inc. BUK7Y6R0-60EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 1,598 - 立即发货 可供应: 1,598 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 100A(Tc) 10V 6 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 45.4nC @ 10V ±20V 4021pF @ 25V
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195W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BUK7Y6R0-60EX - Nexperia USA Inc. BUK7Y6R0-60EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 1,598 - 立即发货 可供应: 1,598 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 100A(Tc) 10V 6 毫欧 @ 25A,10V 4V @ 1mA 45.4nC @ 10V ±20V 4021pF @ 25V
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195W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
STD16NF06LT4 - STMicroelectronics STD16NF06LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 24A(Tc) 5V,10V 70 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA 7.5nC @ 5V ±18V 370pF @ 25V
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40W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD16NF06LT4 - STMicroelectronics STD16NF06LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 5,032 - 立即发货 可供应: 5,032 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 24A(Tc) 5V,10V 70 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA 7.5nC @ 5V ±18V 370pF @ 25V
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40W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD16NF06LT4 - STMicroelectronics STD16NF06LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 5,032 - 立即发货 可供应: 5,032 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 24A(Tc) 5V,10V 70 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA 7.5nC @ 5V ±18V 370pF @ 25V
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40W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SPD02N80C3ATMA1 - Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
CoolMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 2A(Tc) 10V 2.7 欧姆 @ 1.2A,10V 3.9V @ 120µA 16nC @ 10V ±20V 290pF @ 100V
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42W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SPD02N80C3ATMA1 - Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
CoolMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 2A(Tc) 10V 2.7 欧姆 @ 1.2A,10V 3.9V @ 120µA 16nC @ 10V ±20V 290pF @ 100V
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42W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SPD02N80C3ATMA1 - Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
CoolMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 2A(Tc) 10V 2.7 欧姆 @ 1.2A,10V 3.9V @ 120µA 16nC @ 10V ±20V 290pF @ 100V
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42W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZXMN10A25GTA - Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 7,000 - 立即发货 可供应: 7,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 2.9A(Ta) 10V 125 毫欧 @ 2.9A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 859pF @ 50V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZXMN10A25GTA - Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 7,529 - 立即发货 可供应: 7,529 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 2.9A(Ta) 10V 125 毫欧 @ 2.9A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 859pF @ 50V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZXMN10A25GTA - Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 7,529 - 立即发货 可供应: 7,529 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 2.9A(Ta) 10V 125 毫欧 @ 2.9A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 859pF @ 50V
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2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
FDD6685 - ON Semiconductor FDD6685 ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 11A DPAK 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 11A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 11A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 5V ±25V 1715pF @ 15V
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52W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD6685 - ON Semiconductor FDD6685 ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 11A DPAK 11,808 - 立即发货 可供应: 11,808 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 11A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 11A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 5V ±25V 1715pF @ 15V
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52W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD6685 - ON Semiconductor FDD6685 ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 11A DPAK 11,808 - 立即发货 可供应: 11,808 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 11A(Ta),40A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 11A,10V 3V @ 250µA 24nC @ 5V ±25V 1715pF @ 15V
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52W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD5N60NZTM - ON Semiconductor FDD5N60NZTM ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V DPAK-3 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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UniFET-II™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 4A(Tc) 10V 2 欧姆 @ 2A,10V 5V @ 250µA 13nC @ 10V ±25V 600pF @ 25V
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83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD5N60NZTM - ON Semiconductor FDD5N60NZTM ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V DPAK-3 19,891 - 立即发货 可供应: 19,891 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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UniFET-II™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 4A(Tc) 10V 2 欧姆 @ 2A,10V 5V @ 250µA 13nC @ 10V ±25V 600pF @ 25V
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83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD5N60NZTM - ON Semiconductor FDD5N60NZTM ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V DPAK-3 19,891 - 立即发货 可供应: 19,891 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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UniFET-II™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 600V 4A(Tc) 10V 2 欧姆 @ 2A,10V 5V @ 250µA 13nC @ 10V ±25V 600pF @ 25V
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83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SI7106DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 12.5A(Ta) 2.5V,4.5V 6.2 毫欧 @ 19.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 27nC @ 4.5V ±12V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7106DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 30,998 - 立即发货 可供应: 30,998 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 12.5A(Ta) 2.5V,4.5V 6.2 毫欧 @ 19.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 27nC @ 4.5V ±12V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7106DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 30,998 - 立即发货 可供应: 30,998 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 12.5A(Ta) 2.5V,4.5V 6.2 毫欧 @ 19.5A,4.5V 1.5V @ 250µA 27nC @ 4.5V ±12V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
FQD2N90TM - ON Semiconductor FQD2N90TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 900V 1.7A(Tc) 10V 7.2 欧姆 @ 850mA,10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V ±30V 500pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD2N90TM - ON Semiconductor FQD2N90TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK 11,913 - 立即发货 可供应: 11,913 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 900V 1.7A(Tc) 10V 7.2 欧姆 @ 850mA,10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V ±30V 500pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD2N90TM - ON Semiconductor FQD2N90TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK 11,913 - 立即发货 可供应: 11,913 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 900V 1.7A(Tc) 10V 7.2 欧姆 @ 850mA,10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V ±30V 500pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
CSD18543Q3AT - Texas Instruments CSD18543Q3AT Texas Instruments 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 44,750 - 立即发货
10,000 - 厂方库存 ?
可供应: 44,750
250 最低订购数量 : 250 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V 2.7V @ 250µA 14.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 30V
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66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
CSD18543Q3AT - Texas Instruments CSD18543Q3AT Texas Instruments 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 44,775 - 立即发货
10,001 - 厂方库存 ?
可供应: 44,775
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V 2.7V @ 250µA 14.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 30V
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66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
CSD18543Q3AT - Texas Instruments CSD18543Q3AT Texas Instruments 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 44,775 - 立即发货
10,001 - 厂方库存 ?
可供应: 44,775
1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 12A(Ta),60A(Tc) 4.5V,10V 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V 2.7V @ 250µA 14.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 30V
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66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSON(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
AON6268 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6268 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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AlphaSGT™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 44A(Tc) 10V 4.7 毫欧 @ 20A,10V 2.3V @ 250µA 65nC @ 10V ±20V 2520pF @ 30V
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56W(Tc) -55°C ~ 150°C(TA) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
AON6268 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6268 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN 26,147 - 立即发货 可供应: 26,147 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
AlphaSGT™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 44A(Tc) 10V 4.7 毫欧 @ 20A,10V 2.3V @ 250µA 65nC @ 10V ±20V 2520pF @ 30V
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56W(Tc) -55°C ~ 150°C(TA) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
AON6268 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6268 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN 26,147 - 立即发货 可供应: 26,147 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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AlphaSGT™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 44A(Tc) 10V 4.7 毫欧 @ 20A,10V 2.3V @ 250µA 65nC @ 10V ±20V 2520pF @ 30V
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56W(Tc) -55°C ~ 150°C(TA) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
DN3545N8-G - Microchip Technology DN3545N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 450V 200mA 0V 20 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 360pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN3545N8-G - Microchip Technology DN3545N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 11,441 - 立即发货 可供应: 11,441 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 450V 200mA 0V 20 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 360pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN3545N8-G - Microchip Technology DN3545N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 11,441 - 立即发货 可供应: 11,441 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 450V 200mA 0V 20 欧姆 @ 150mA,0V
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±20V 360pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
PSMN5R5-60YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 76,500 - 立即发货 可供应: 76,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 100A(Tc) 10V 5.2 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 56nC @ 10V ±20V 3501pF @ 30V
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130W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN5R5-60YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 79,263 - 立即发货 可供应: 79,263 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 100A(Tc) 10V 5.2 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 56nC @ 10V ±20V 3501pF @ 30V
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130W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN5R5-60YS,115 - Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 79,263 - 立即发货 可供应: 79,263 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 100A(Tc) 10V 5.2 毫欧 @ 15A,10V 4V @ 1mA 56nC @ 10V ±20V 3501pF @ 30V
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130W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
IPD30N08S2L21ATMA1 - Infineon Technologies IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 12,500 - 立即发货 可供应: 12,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 30A(Tc) 4.5V,10V 20.5 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 80µA 72nC @ 10V ±20V 1650pF @ 25V
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136W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD30N08S2L21ATMA1 - Infineon Technologies IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 14,095 - 立即发货 可供应: 14,095 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 30A(Tc) 4.5V,10V 20.5 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 80µA 72nC @ 10V ±20V 1650pF @ 25V
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136W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD30N08S2L21ATMA1 - Infineon Technologies IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 14,095 - 立即发货 可供应: 14,095 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 75V 30A(Tc) 4.5V,10V 20.5 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 80µA 72nC @ 10V ±20V 1650pF @ 25V
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136W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STB16NF06LT4 - STMicroelectronics STB16NF06LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
STripFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 16A(Tc) 5V,10V 90 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA(最小) 10nC @ 4.5V ±16V 345pF @ 25V
-
45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
STB16NF06LT4 - STMicroelectronics STB16NF06LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK 5,983 - 立即发货 可供应: 5,983 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
STripFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 16A(Tc) 5V,10V 90 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA(最小) 10nC @ 4.5V ±16V 345pF @ 25V
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45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
STB16NF06LT4 - STMicroelectronics STB16NF06LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK 5,983 - 立即发货 可供应: 5,983 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
STripFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 16A(Tc) 5V,10V 90 毫欧 @ 8A,10V 1V @ 250µA(最小) 10nC @ 4.5V ±16V 345pF @ 25V
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45W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
STN4NF03L - STMicroelectronics STN4NF03L STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 6.5A(Tc) 5V,10V 50 毫欧 @ 2A,10V 1V @ 250µA 9nC @ 10V ±16V 330pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN4NF03L - STMicroelectronics STN4NF03L STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 9,104 - 立即发货 可供应: 9,104 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 6.5A(Tc) 5V,10V 50 毫欧 @ 2A,10V 1V @ 250µA 9nC @ 10V ±16V 330pF @ 25V
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3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
STN4NF03L - STMicroelectronics STN4NF03L STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 9,104 - 立即发货 可供应: 9,104 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
STripFET™ II 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 6.5A(Tc) 5V,10V 50 毫欧 @ 2A,10V 1V @ 250µA 9nC @ 10V ±16V 330pF @ 25V
-
3.3W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP4424GTA - Diodes Incorporated ZVP4424GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 240V 480mA(Ta) 3.5V,10V 9 欧姆 @ 200mA,10V 2V @ 1mA
-
±40V 200pF @ 25V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
ZVP4424GTA - Diodes Incorporated ZVP4424GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223 12,391 - 立即发货 可供应: 12,391 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 240V 480mA(Ta) 3.5V,10V 9 欧姆 @ 200mA,10V 2V @ 1mA
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±40V 200pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
CSD18503Q5A - Texas Instruments CSD18503Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 8SON 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 19A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 4.3 毫欧 @ 22A,10V 2.3V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 2640pF @ 20V
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3.1W(Ta),120W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18503Q5A - Texas Instruments CSD18503Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 8SON 30,501 - 立即发货 可供应: 30,501 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 19A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 4.3 毫欧 @ 22A,10V 2.3V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 2640pF @ 20V
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3.1W(Ta),120W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18503Q5A - Texas Instruments CSD18503Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 8SON 30,501 - 立即发货 可供应: 30,501 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 19A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 4.3 毫欧 @ 22A,10V 2.3V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 2640pF @ 20V
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3.1W(Ta),120W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18533Q5A - Texas Instruments CSD18533Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 17A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 5.9 毫欧 @ 18A,10V 2.3V @ 250µA 36nC @ 10V ±20V 2750pF @ 30V
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3.2W(Ta),116W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18533Q5A - Texas Instruments CSD18533Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 25,150 - 立即发货 可供应: 25,150 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 17A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 5.9 毫欧 @ 18A,10V 2.3V @ 250µA 36nC @ 10V ±20V 2750pF @ 30V
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3.2W(Ta),116W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD18533Q5A - Texas Instruments CSD18533Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 25,150 - 立即发货 可供应: 25,150 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 17A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 5.9 毫欧 @ 18A,10V 2.3V @ 250µA 36nC @ 10V ±20V 2750pF @ 30V
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3.2W(Ta),116W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
IRLR2908TRLPBF - Infineon Technologies IRLR2908TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 30A DPAK 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 30A(Tc) 4.5V,10V 28 毫欧 @ 23A,10V 2.5V @ 250µA 33nC @ 4.5V ±16V 1890pF @ 25V
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120W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR2908TRLPBF - Infineon Technologies IRLR2908TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 30A DPAK 20,280 - 立即发货 可供应: 20,280 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 30A(Tc) 4.5V,10V 28 毫欧 @ 23A,10V 2.5V @ 250µA 33nC @ 4.5V ±16V 1890pF @ 25V
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120W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR2908TRLPBF - Infineon Technologies IRLR2908TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 30A DPAK 20,280 - 立即发货 可供应: 20,280 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 30A(Tc) 4.5V,10V 28 毫欧 @ 23A,10V 2.5V @ 250µA 33nC @ 4.5V ±16V 1890pF @ 25V
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120W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDMS4435BZ - ON Semiconductor FDMS4435BZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 9A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 9A,10V 3V @ 250µA 47nC @ 10V ±25V 2050pF @ 15V
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2.5W(Ta),39W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
FDMS4435BZ - ON Semiconductor FDMS4435BZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 6,080 - 立即发货 可供应: 6,080 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 9A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 9A,10V 3V @ 250µA 47nC @ 10V ±25V 2050pF @ 15V
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2.5W(Ta),39W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
FDMS4435BZ - ON Semiconductor FDMS4435BZ ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 6,080 - 立即发货 可供应: 6,080 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 9A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 20 毫欧 @ 9A,10V 3V @ 250µA 47nC @ 10V ±25V 2050pF @ 15V
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2.5W(Ta),39W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
BSZ520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 21A(Tc) 8V,10V 52 毫欧 @ 18A,10V 4V @ 35µA 12nC @ 10V ±20V 890pF @ 75V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 18,525 - 立即发货 可供应: 18,525 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 21A(Tc) 8V,10V 52 毫欧 @ 18A,10V 4V @ 35µA 12nC @ 10V ±20V 890pF @ 75V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 18,525 - 立即发货 可供应: 18,525 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 21A(Tc) 8V,10V 52 毫欧 @ 18A,10V 4V @ 35µA 12nC @ 10V ±20V 890pF @ 75V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
IRFR5305TRPBF - Infineon Technologies IRFR5305TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 74,000 - 立即发货 可供应: 74,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 31A(Tc) 10V 65 毫欧 @ 16A,10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V ±20V 1200pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR5305TRPBF - Infineon Technologies IRFR5305TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 75,648 - 立即发货 可供应: 75,648 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 31A(Tc) 10V 65 毫欧 @ 16A,10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V ±20V 1200pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR5305TRPBF - Infineon Technologies IRFR5305TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 75,648 - 立即发货 可供应: 75,648 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 31A(Tc) 10V 65 毫欧 @ 16A,10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V ±20V 1200pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR5305TRLPBF - Infineon Technologies IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 31A(Tc) 10V 65 毫欧 @ 16A,10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V ±20V 1200pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR5305TRLPBF - Infineon Technologies IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 10,830 - 立即发货 可供应: 10,830 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 31A(Tc) 10V 65 毫欧 @ 16A,10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V ±20V 1200pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR5305TRLPBF - Infineon Technologies IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 10,830 - 立即发货 可供应: 10,830 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 31A(Tc) 10V 65 毫欧 @ 16A,10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V ±20V 1200pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDS4675 - ON Semiconductor FDS4675 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 11A(Ta) 4.5V,10V 13 毫欧 @ 11A,10V 3V @ 250µA 56nC @ 4.5V ±20V 4350pF @ 20V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS4675 - ON Semiconductor FDS4675 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC 3,822 - 立即发货 可供应: 3,822 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 11A(Ta) 4.5V,10V 13 毫欧 @ 11A,10V 3V @ 250µA 56nC @ 4.5V ±20V 4350pF @ 20V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS4675 - ON Semiconductor FDS4675 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC 3,822 - 立即发货 可供应: 3,822 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 11A(Ta) 4.5V,10V 13 毫欧 @ 11A,10V 3V @ 250µA 56nC @ 4.5V ±20V 4350pF @ 20V
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2.4W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI7810DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.4A(Ta) 6V,10V 62 毫欧 @ 5.4A,10V 4.5V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7810DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 8,264 - 立即发货 可供应: 8,264 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.4A(Ta) 6V,10V 62 毫欧 @ 5.4A,10V 4.5V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7810DN-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 8,264 - 立即发货 可供应: 8,264 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.4A(Ta) 6V,10V 62 毫欧 @ 5.4A,10V 4.5V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7101DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 7.2 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 102nC @ 10V ±25V 3595pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7101DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 13,476 - 立即发货 可供应: 13,476 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 7.2 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 102nC @ 10V ±25V 3595pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7101DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 13,476 - 立即发货 可供应: 13,476 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 35A(Tc) 4.5V,10V 7.2 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 102nC @ 10V ±25V 3595pF @ 15V
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3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
FDMC5614P - ON Semiconductor FDMC5614P ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 4.5V,10V 100 毫欧 @ 5.7A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 1055pF @ 30V
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2.1W(Ta),42W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC5614P - ON Semiconductor FDMC5614P ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 31,777 - 立即发货 可供应: 31,777 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 4.5V,10V 100 毫欧 @ 5.7A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 1055pF @ 30V
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2.1W(Ta),42W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC5614P - ON Semiconductor FDMC5614P ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 31,777 - 立即发货 可供应: 31,777 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 4.5V,10V 100 毫欧 @ 5.7A,10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 1055pF @ 30V
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2.1W(Ta),42W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
BSC026N04LSATMA1 - Infineon Technologies BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON 0 可供应: 0 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 23A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 2.6 毫欧 @ 50A,10V 2V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 2300pF @ 20V
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2.5W(Ta),63W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC026N04LSATMA1 - Infineon Technologies BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON 4,917 - 立即发货 可供应: 4,917 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 23A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 2.6 毫欧 @ 50A,10V 2V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 2300pF @ 20V
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2.5W(Ta),63W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC026N04LSATMA1 - Infineon Technologies BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON 4,917 - 立即发货 可供应: 4,917 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 23A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 2.6 毫欧 @ 50A,10V 2V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 2300pF @ 20V
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2.5W(Ta),63W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
STS10N3LH5 - STMicroelectronics STS10N3LH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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STripFET™ V 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 10A(Tc) 4.5V,10V 21 毫欧 @ 5A,10V 1V @ 250µA 4.6nC @ 5V ±22V 475pF @ 25V
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2.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
STS10N3LH5 - STMicroelectronics STS10N3LH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 3,844 - 立即发货 可供应: 3,844 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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STripFET™ V 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 10A(Tc) 4.5V,10V 21 毫欧 @ 5A,10V 1V @ 250µA 4.6nC @ 5V ±22V 475pF @ 25V
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2.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
STS10N3LH5 - STMicroelectronics STS10N3LH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 3,844 - 立即发货 可供应: 3,844 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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STripFET™ V 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 10A(Tc) 4.5V,10V 21 毫欧 @ 5A,10V 1V @ 250µA 4.6nC @ 5V ±22V 475pF @ 25V
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2.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
BSC123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 150,000 - 立即发货 可供应: 150,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 11A(Ta),55A(Tc) 6V,10V 12.3 毫欧 @ 33A,10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V ±20V 1870pF @ 40V
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2.5W(Ta),66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 151,084 - 立即发货 可供应: 151,084 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 11A(Ta),55A(Tc) 6V,10V 12.3 毫欧 @ 33A,10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V ±20V 1870pF @ 40V
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2.5W(Ta),66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 151,084 - 立即发货 可供应: 151,084 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 11A(Ta),55A(Tc) 6V,10V 12.3 毫欧 @ 33A,10V 3.5V @ 33µA 25nC @ 10V ±20V 1870pF @ 40V
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2.5W(Ta),66W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
FQD2N100TM - ON Semiconductor FQD2N100TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 55,000 - 立即发货 可供应: 55,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 1000V 1.6A(Tc) 10V 9 欧姆 @ 800mA,10V 5V @ 250µA 15.5nC @ 10V ±30V 520pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD2N100TM - ON Semiconductor FQD2N100TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 56,468 - 立即发货 可供应: 56,468 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 1000V 1.6A(Tc) 10V 9 欧姆 @ 800mA,10V 5V @ 250µA 15.5nC @ 10V ±30V 520pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD2N100TM - ON Semiconductor FQD2N100TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 56,468 - 立即发货 可供应: 56,468 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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QFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 1000V 1.6A(Tc) 10V 9 欧姆 @ 800mA,10V 5V @ 250µA 15.5nC @ 10V ±30V 520pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR2405TRPBF - Infineon Technologies IRFR2405TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 56A DPAK 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 56A(Tc) 10V 16 毫欧 @ 34A,10V 4V @ 250µA 110nC @ 10V ±20V 2430pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR2405TRPBF - Infineon Technologies IRFR2405TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 56A DPAK 28,755 - 立即发货 可供应: 28,755 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 56A(Tc) 10V 16 毫欧 @ 34A,10V 4V @ 250µA 110nC @ 10V ±20V 2430pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR2405TRPBF - Infineon Technologies IRFR2405TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 56A DPAK 28,755 - 立即发货 可供应: 28,755 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 56A(Tc) 10V 16 毫欧 @ 34A,10V 4V @ 250µA 110nC @ 10V ±20V 2430pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
CSD19533Q5A - Texas Instruments CSD19533Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 100A(Ta) 6V,10V 9.4 毫欧 @ 13A,10V 3.4V @ 250µA 35nC @ 10V ±20V 2670pF @ 50V
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3.2W(Ta),96W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19533Q5A - Texas Instruments CSD19533Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 20,384 - 立即发货 可供应: 20,384 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 100A(Ta) 6V,10V 9.4 毫欧 @ 13A,10V 3.4V @ 250µA 35nC @ 10V ±20V 2670pF @ 50V
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3.2W(Ta),96W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19533Q5A - Texas Instruments CSD19533Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 20,384 - 立即发货 可供应: 20,384 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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NexFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 100A(Ta) 6V,10V 9.4 毫欧 @ 13A,10V 3.4V @ 250µA 35nC @ 10V ±20V 2670pF @ 50V
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3.2W(Ta),96W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
IRF9310TRPBF - Infineon Technologies IRF9310TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Tc) 4.5V,10V 4.6 毫欧 @ 20A,10V 2.4V @ 100µA 165nC @ 10V ±20V 5250pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9310TRPBF - Infineon Technologies IRF9310TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 9,228 - 立即发货 可供应: 9,228 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Tc) 4.5V,10V 4.6 毫欧 @ 20A,10V 2.4V @ 100µA 165nC @ 10V ±20V 5250pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9310TRPBF - Infineon Technologies IRF9310TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 9,228 - 立即发货 可供应: 9,228 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Tc) 4.5V,10V 4.6 毫欧 @ 20A,10V 2.4V @ 100µA 165nC @ 10V ±20V 5250pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDD4141-F085 - ON Semiconductor FDD4141-F085 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10.8A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 12.3 毫欧 @ 12.7A,10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V ±20V 2775pF @ 20V
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2.4W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252AA) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD4141-F085 - ON Semiconductor FDD4141-F085 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK 9,134 - 立即发货 可供应: 9,134 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10.8A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 12.3 毫欧 @ 12.7A,10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V ±20V 2775pF @ 20V
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2.4W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252AA) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD4141-F085 - ON Semiconductor FDD4141-F085 ON Semiconductor MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK 9,134 - 立即发货 可供应: 9,134 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10.8A(Ta),50A(Tc) 4.5V,10V 12.3 毫欧 @ 12.7A,10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V ±20V 2775pF @ 20V
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2.4W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252AA) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8647L - ON Semiconductor FDD8647L ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 14A DPAK 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 14A(Ta),42A(Tc) 4.5V,10V 9 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 28nC @ 10V ±20V 1640pF @ 20V
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3.1W(Ta),43W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8647L - ON Semiconductor FDD8647L ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 14A DPAK 5,759 - 立即发货 可供应: 5,759 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 14A(Ta),42A(Tc) 4.5V,10V 9 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 28nC @ 10V ±20V 1640pF @ 20V
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3.1W(Ta),43W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8647L - ON Semiconductor FDD8647L ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 14A DPAK 5,759 - 立即发货 可供应: 5,759 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 14A(Ta),42A(Tc) 4.5V,10V 9 毫欧 @ 13A,10V 3V @ 250µA 28nC @ 10V ±20V 1640pF @ 20V
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3.1W(Ta),43W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BSZ075N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 40A(Tc) 6V,10V 7.5 毫欧 @ 20A,10V 3.8V @ 36µA 29.5nC @ 10V ±20V 2080pF @ 40V
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69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ075N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 9,870 - 立即发货 可供应: 9,870 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 40A(Tc) 6V,10V 7.5 毫欧 @ 20A,10V 3.8V @ 36µA 29.5nC @ 10V ±20V 2080pF @ 40V
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69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
BSZ075N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 9,870 - 立即发货 可供应: 9,870 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 80V 40A(Tc) 6V,10V 7.5 毫欧 @ 20A,10V 3.8V @ 36µA 29.5nC @ 10V ±20V 2080pF @ 40V
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69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerTDFN
DN2540N8-G - Microchip Technology DN2540N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 400V 170mA(Tj) 0V 25 欧姆 @ 120mA,0V
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±20V 300pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN2540N8-G - Microchip Technology DN2540N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 10,585 - 立即发货 可供应: 10,585 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 400V 170mA(Tj) 0V 25 欧姆 @ 120mA,0V
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±20V 300pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN2540N8-G - Microchip Technology DN2540N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 10,585 - 立即发货 可供应: 10,585 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 400V 170mA(Tj) 0V 25 欧姆 @ 120mA,0V
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±20V 300pF @ 25V 耗尽模式 1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
STD2N80K5 - STMicroelectronics STD2N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
SuperMESH5™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 2A(Tc) 10V 4.5 欧姆 @ 1A,10V 5V @ 100µA 3nC @ 10V 30V 95pF @ 100V
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45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD2N80K5 - STMicroelectronics STD2N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 4,984 - 立即发货 可供应: 4,984 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
SuperMESH5™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 2A(Tc) 10V 4.5 欧姆 @ 1A,10V 5V @ 100µA 3nC @ 10V 30V 95pF @ 100V
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45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD2N80K5 - STMicroelectronics STD2N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 4,984 - 立即发货 可供应: 4,984 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
SuperMESH5™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 800V 2A(Tc) 10V 4.5 欧姆 @ 1A,10V 5V @ 100µA 3nC @ 10V 30V 95pF @ 100V
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45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SI4100DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 6.8A(Tc) 6V,10V 63 毫欧 @ 4.4A,10V 4.5V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 600pF @ 50V
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2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4100DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC 17,477 - 立即发货 可供应: 17,477 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 6.8A(Tc) 6V,10V 63 毫欧 @ 4.4A,10V 4.5V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 600pF @ 50V
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2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4100DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC 17,477 - 立即发货 可供应: 17,477 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 6.8A(Tc) 6V,10V 63 毫欧 @ 4.4A,10V 4.5V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 600pF @ 50V
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2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Infineon Technologies IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TDSON 20,000 - 立即发货 可供应: 20,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 40A(Tc) 4.5V,10V 2.8 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 30µA 52nC @ 10V ±16V 2800pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerVDFN
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Infineon Technologies IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TDSON 22,771 - 立即发货 可供应: 22,771 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 40A(Tc) 4.5V,10V 2.8 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 30µA 52nC @ 10V ±16V 2800pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerVDFN
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Infineon Technologies IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TDSON 22,771 - 立即发货 可供应: 22,771 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 40A(Tc) 4.5V,10V 2.8 毫欧 @ 20A,10V 2V @ 30µA 52nC @ 10V ±16V 2800pF @ 25V
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71W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TSDSON-8 8-PowerVDFN
IRLR2905TRPBF - Infineon Technologies IRLR2905TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 42A(Tc) 4V,10V 27 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 250µA 48nC @ 5V ±16V 1700pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR2905TRPBF - Infineon Technologies IRLR2905TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 10,512 - 立即发货 可供应: 10,512 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 42A(Tc) 4V,10V 27 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 250µA 48nC @ 5V ±16V 1700pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR2905TRPBF - Infineon Technologies IRLR2905TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 10,512 - 立即发货 可供应: 10,512 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 55V 42A(Tc) 4V,10V 27 毫欧 @ 25A,10V 2V @ 250µA 48nC @ 5V ±16V 1700pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
PSMN1R2-30YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.25 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 78nC @ 10V ±20V 5093pF @ 15V
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215W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN1R2-30YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 19,360 - 立即发货 可供应: 19,360 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.25 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 78nC @ 10V ±20V 5093pF @ 15V
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215W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN1R2-30YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 19,360 - 立即发货 可供应: 19,360 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.25 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 78nC @ 10V ±20V 5093pF @ 15V
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215W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
BSP149H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 1,000 最低订购数量 : 1,000 带卷(TR)?
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SIPMOS® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 660mA(Ta) 0V,10V 1.8 欧姆 @ 660mA,10V 1V @ 400µA 14nC @ 5V ±20V 430pF @ 25V 耗尽模式 1.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-SOT223-4 TO-261-4,TO-261AA
BSP149H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 3,878 - 立即发货 可供应: 3,878 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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SIPMOS® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 660mA(Ta) 0V,10V 1.8 欧姆 @ 660mA,10V 1V @ 400µA 14nC @ 5V ±20V 430pF @ 25V 耗尽模式 1.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-SOT223-4 TO-261-4,TO-261AA
BSP149H6327XTSA1 - Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 3,878 - 立即发货 可供应: 3,878 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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SIPMOS® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 660mA(Ta) 0V,10V 1.8 欧姆 @ 660mA,10V 1V @ 400µA 14nC @ 5V ±20V 430pF @ 25V 耗尽模式 1.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-SOT223-4 TO-261-4,TO-261AA
SQJ459EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 52A(Tc) 4.5V,10V 18 毫欧 @ 3.5A,10V 2.5V @ 250µA 108nC @ 10V ±20V 4586pF @ 30V
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83W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SQJ459EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 11,860 - 立即发货 可供应: 11,860 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 52A(Tc) 4.5V,10V 18 毫欧 @ 3.5A,10V 2.5V @ 250µA 108nC @ 10V ±20V 4586pF @ 30V
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83W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SQJ459EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 11,860 - 立即发货 可供应: 11,860 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 52A(Tc) 4.5V,10V 18 毫欧 @ 3.5A,10V 2.5V @ 250µA 108nC @ 10V ±20V 4586pF @ 30V
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83W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
PSMN2R0-30YLE,115 - Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V LFPAK 0 可供应: 0 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 2 毫欧 @ 25A,10V 2.15V @ 1mA 87nC @ 10V ±20V 5217pF @ 15V
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272W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN2R0-30YLE,115 - Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V LFPAK 1,537 - 立即发货 可供应: 1,537 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 2 毫欧 @ 25A,10V 2.15V @ 1mA 87nC @ 10V ±20V 5217pF @ 15V
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272W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN2R0-30YLE,115 - Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V LFPAK 1,537 - 立即发货 可供应: 1,537 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 2 毫欧 @ 25A,10V 2.15V @ 1mA 87nC @ 10V ±20V 5217pF @ 15V
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272W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
TK33S10N1Z,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 33A DPAK 16,000 - 立即发货 可供应: 16,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
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U-MOSVIII-H 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 33A(Ta) 10V 9.7 毫欧 @ 16.5A,10V 4V @ 500µA 28nC @ 10V ±20V 2050pF @ 10V
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125W(Tc) 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK+ TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
TK33S10N1Z,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 33A DPAK 16,119 - 立即发货 可供应: 16,119 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
U-MOSVIII-H 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 33A(Ta) 10V 9.7 毫欧 @ 16.5A,10V 4V @ 500µA 28nC @ 10V ±20V 2050pF @ 10V
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125W(Tc) 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK+ TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
TK33S10N1Z,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 33A DPAK 16,119 - 立即发货 可供应: 16,119 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
U-MOSVIII-H 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 33A(Ta) 10V 9.7 毫欧 @ 16.5A,10V 4V @ 500µA 28nC @ 10V ±20V 2050pF @ 10V
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125W(Tc) 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK+ TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRF7452TRPBF - Infineon Technologies IRF7452TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC 8,000 - 立即发货 可供应: 8,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 4.5A(Ta) 10V 60 毫欧 @ 2.7A,10V 5.5V @ 250µA 50nC @ 10V ±30V 930pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7452TRPBF - Infineon Technologies IRF7452TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC 8,693 - 立即发货 可供应: 8,693 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 4.5A(Ta) 10V 60 毫欧 @ 2.7A,10V 5.5V @ 250µA 50nC @ 10V ±30V 930pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7452TRPBF - Infineon Technologies IRF7452TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC 8,693 - 立即发货 可供应: 8,693 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 4.5A(Ta) 10V 60 毫欧 @ 2.7A,10V 5.5V @ 250µA 50nC @ 10V ±30V 930pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDFS2P106A - ON Semiconductor FDFS2P106A ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 3A(Ta) 4.5V,10V 110 毫欧 @ 3A,10V 3V @ 250µA 21nC @ 10V ±20V 714pF @ 30V 肖特基二极管(隔离式) 900mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDFS2P106A - ON Semiconductor FDFS2P106A ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC 4,584 - 立即发货 可供应: 4,584 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 3A(Ta) 4.5V,10V 110 毫欧 @ 3A,10V 3V @ 250µA 21nC @ 10V ±20V 714pF @ 30V 肖特基二极管(隔离式) 900mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDFS2P106A - ON Semiconductor FDFS2P106A ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC 4,584 - 立即发货 可供应: 4,584 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 3A(Ta) 4.5V,10V 110 毫欧 @ 3A,10V 3V @ 250µA 21nC @ 10V ±20V 714pF @ 30V 肖特基二极管(隔离式) 900mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PSMN1R2-25YL,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.2 毫欧 @ 15A,10V 2.15V @ 1mA 105nC @ 10V ±20V 6380pF @ 12V
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121W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SOT-1023,4-LFPAK
PSMN1R2-25YL,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 8,950 - 立即发货 可供应: 8,950 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.2 毫欧 @ 15A,10V 2.15V @ 1mA 105nC @ 10V ±20V 6380pF @ 12V
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121W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SOT-1023,4-LFPAK
PSMN1R2-25YL,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 8,950 - 立即发货 可供应: 8,950 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.2 毫欧 @ 15A,10V 2.15V @ 1mA 105nC @ 10V ±20V 6380pF @ 12V
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121W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SOT-1023,4-LFPAK
FDM3622 - ON Semiconductor FDM3622 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 4.4A(Ta) 6V,10V 60 毫欧 @ 4.4A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 1090pF @ 25V
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2.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDM3622 - ON Semiconductor FDM3622 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 10,816 - 立即发货 可供应: 10,816 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 4.4A(Ta) 6V,10V 60 毫欧 @ 4.4A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 1090pF @ 25V
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2.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDM3622 - ON Semiconductor FDM3622 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 10,816 - 立即发货 可供应: 10,816 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 4.4A(Ta) 6V,10V 60 毫欧 @ 4.4A,10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V ±20V 1090pF @ 25V
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2.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDS3672 - ON Semiconductor FDS3672 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7.5A(Ta) 6V,10V 23 毫欧 @ 7.5A,10V 4V @ 250µA 37nC @ 10V ±20V 2015pF @ 25V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS3672 - ON Semiconductor FDS3672 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC 5,876 - 立即发货 可供应: 5,876 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7.5A(Ta) 6V,10V 23 毫欧 @ 7.5A,10V 4V @ 250µA 37nC @ 10V ±20V 2015pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS3672 - ON Semiconductor FDS3672 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC 5,876 - 立即发货 可供应: 5,876 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7.5A(Ta) 6V,10V 23 毫欧 @ 7.5A,10V 4V @ 250µA 37nC @ 10V ±20V 2015pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDMC510P - ON Semiconductor FDMC510P ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 12A(Ta),18A(Tc) 1.5V,4.5V 8 毫欧 @ 12A,4.5V 1V @ 250µA 116nC @ 4.5V ±8V 7860pF @ 10V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC510P - ON Semiconductor FDMC510P ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP 15,680 - 立即发货 可供应: 15,680 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 12A(Ta),18A(Tc) 1.5V,4.5V 8 毫欧 @ 12A,4.5V 1V @ 250µA 116nC @ 4.5V ±8V 7860pF @ 10V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC510P - ON Semiconductor FDMC510P ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP 15,680 - 立即发货 可供应: 15,680 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 12A(Ta),18A(Tc) 1.5V,4.5V 8 毫欧 @ 12A,4.5V 1V @ 250µA 116nC @ 4.5V ±8V 7860pF @ 10V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
SI3440DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.2A(Ta) 6V,10V 375 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
-
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1.14W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3440DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP 14,428 - 立即发货 可供应: 14,428 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.2A(Ta) 6V,10V 375 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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1.14W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3440DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP 14,428 - 立即发货 可供应: 14,428 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.2A(Ta) 6V,10V 375 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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1.14W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3440DV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP 0 可供应: 0
标准提前期 49 周
3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.2A(Ta) 6V,10V 375 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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1.14W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3440DV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP 4,541 - 立即发货 可供应: 4,541 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.2A(Ta) 6V,10V 375 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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1.14W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SI3440DV-T1-E3 - Vishay Siliconix SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP 4,541 - 立即发货 可供应: 4,541 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 1.2A(Ta) 6V,10V 375 毫欧 @ 1.5A,10V 4V @ 250µA 8nC @ 10V ±20V
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1.14W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 6-TSOP SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
IRFR6215TRPBF - Infineon Technologies IRFR6215TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 22,000 - 立即发货 可供应: 22,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 13A(Tc) 10V 295 毫欧 @ 6.6A,10V 4V @ 250µA 66nC @ 10V ±20V 860pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR6215TRPBF - Infineon Technologies IRFR6215TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 23,992 - 立即发货 可供应: 23,992 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 13A(Tc) 10V 295 毫欧 @ 6.6A,10V 4V @ 250µA 66nC @ 10V ±20V 860pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFR6215TRPBF - Infineon Technologies IRFR6215TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 23,992 - 立即发货 可供应: 23,992 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 13A(Tc) 10V 295 毫欧 @ 6.6A,10V 4V @ 250µA 66nC @ 10V ±20V 860pF @ 25V
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110W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
TP5335K1-G - Microchip Technology TP5335K1-G Microchip Technology MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 85mA(Tj) 4.5V,10V 30 欧姆 @ 200mA,10V 2.4V @ 1mA
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±20V 110pF @ 25V
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360mW(Ta) -55°C ~ 150°C 表面贴装 TO-236AB(SOT23) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TP5335K1-G - Microchip Technology TP5335K1-G Microchip Technology MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 6,271 - 立即发货 可供应: 6,271 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 85mA(Tj) 4.5V,10V 30 欧姆 @ 200mA,10V 2.4V @ 1mA
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±20V 110pF @ 25V
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360mW(Ta) -55°C ~ 150°C 表面贴装 TO-236AB(SOT23) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TP5335K1-G - Microchip Technology TP5335K1-G Microchip Technology MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 6,271 - 立即发货 可供应: 6,271 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 350V 85mA(Tj) 4.5V,10V 30 欧姆 @ 200mA,10V 2.4V @ 1mA
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±20V 110pF @ 25V
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360mW(Ta) -55°C ~ 150°C 表面贴装 TO-236AB(SOT23) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
IRLR8743TRPBF - Infineon Technologies IRLR8743TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 160A(Tc) 4.5V,10V 3.1 毫欧 @ 25A,10V 2.35V @ 100µA 59nC @ 4.5V ±20V 4880pF @ 15V
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135W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR8743TRPBF - Infineon Technologies IRLR8743TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 14,185 - 立即发货 可供应: 14,185 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 160A(Tc) 4.5V,10V 3.1 毫欧 @ 25A,10V 2.35V @ 100µA 59nC @ 4.5V ±20V 4880pF @ 15V
-
135W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRLR8743TRPBF - Infineon Technologies IRLR8743TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 14,185 - 立即发货 可供应: 14,185 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 160A(Tc) 4.5V,10V 3.1 毫欧 @ 25A,10V 2.35V @ 100µA 59nC @ 4.5V ±20V 4880pF @ 15V
-
135W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BSP299H6327XUSA1 - Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 14,000 - 立即发货 可供应: 14,000
-
带卷(TR)?
可替代的包装
SIPMOS® 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 500V 400mA(Ta) 10V 4 欧姆 @ 400mA,10V 4V @ 1mA
-
±20V 400pF @ 25V
-
1.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-SOT223-4 TO-261-4,TO-261AA
BSP299H6327XUSA1 - Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 14,347 - 立即发货 可供应: 14,347
-
剪切带(CT)?
可替代的包装
SIPMOS® 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 500V 400mA(Ta) 10V 4 欧姆 @ 400mA,10V 4V @ 1mA
-
±20V 400pF @ 25V
-
1.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-SOT223-4 TO-261-4,TO-261AA
BSP299H6327XUSA1 - Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 14,347 - 立即发货 可供应: 14,347
-
Digi-Reel®?
可替代的包装
SIPMOS® 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 500V 400mA(Ta) 10V 4 欧姆 @ 400mA,10V 4V @ 1mA
-
±20V 400pF @ 25V
-
1.8W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-SOT223-4 TO-261-4,TO-261AA
FDD86102 - ON Semiconductor FDD86102 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 8A DPAK 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 8A(Ta),36A(Tc) 6V,10V 24 毫欧 @ 8A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 1035pF @ 50V
-
3.1W(Ta),62W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD86102 - ON Semiconductor FDD86102 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 8A DPAK 7,450 - 立即发货 可供应: 7,450 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 8A(Ta),36A(Tc) 6V,10V 24 毫欧 @ 8A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 1035pF @ 50V
-
3.1W(Ta),62W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD86102 - ON Semiconductor FDD86102 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 8A DPAK 7,450 - 立即发货 可供应: 7,450 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 8A(Ta),36A(Tc) 6V,10V 24 毫欧 @ 8A,10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V 1035pF @ 50V
-
3.1W(Ta),62W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 D-PAK(TO-252) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
AON6411 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6411 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 47A(Ta),85A(Tc) 2.5V,10V 2.1 毫欧 @ 20A,10V 1.3V @ 250µA 330nC @ 10V ±12V 10290pF @ 10V
-
7.3W(Ta),156W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
AON6411 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6411 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN 5,550 - 立即发货 可供应: 5,550 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 47A(Ta),85A(Tc) 2.5V,10V 2.1 毫欧 @ 20A,10V 1.3V @ 250µA 330nC @ 10V ±12V 10290pF @ 10V
-
7.3W(Ta),156W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
AON6411 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6411 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN 5,550 - 立即发货 可供应: 5,550 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 47A(Ta),85A(Tc) 2.5V,10V 2.1 毫欧 @ 20A,10V 1.3V @ 250µA 330nC @ 10V ±12V 10290pF @ 10V
-
7.3W(Ta),156W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-DFN(5x6) 8-PowerSMD,扁平引线
IRF7470TRPBF - Infineon Technologies IRF7470TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC 36,000 - 立即发货 可供应: 36,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10A(Ta) 2.8V,10V 13 毫欧 @ 10A,10V 2V @ 250µA 44nC @ 4.5V ±12V 3430pF @ 20V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7470TRPBF - Infineon Technologies IRF7470TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC 39,388 - 立即发货 可供应: 39,388 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10A(Ta) 2.8V,10V 13 毫欧 @ 10A,10V 2V @ 250µA 44nC @ 4.5V ±12V 3430pF @ 20V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7470TRPBF - Infineon Technologies IRF7470TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC 39,388 - 立即发货 可供应: 39,388 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 10A(Ta) 2.8V,10V 13 毫欧 @ 10A,10V 2V @ 250µA 44nC @ 4.5V ±12V 3430pF @ 20V
-
2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DMP4015SSSQ-13 - Diodes Incorporated DMP4015SSSQ-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO 15,000 - 立即发货
7,500 - 厂方库存 ?
可供应: 15,000
2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
-
在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 9.1A(Ta) 4.5V,10V 11 毫欧 @ 9.8A,10V 2.5V @ 250µA 47.5nC @ 5V ±25V 4234pF @ 20V
-
1.45W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DMP4015SSSQ-13 - Diodes Incorporated DMP4015SSSQ-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO 15,328 - 立即发货
7,500 - 厂方库存 ?
可供应: 15,328
1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 9.1A(Ta) 4.5V,10V 11 毫欧 @ 9.8A,10V 2.5V @ 250µA 47.5nC @ 5V ±25V 4234pF @ 20V
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1.45W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DMP4015SSSQ-13 - Diodes Incorporated DMP4015SSSQ-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO 15,328 - 立即发货
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 9.1A(Ta) 4.5V,10V 11 毫欧 @ 9.8A,10V 2.5V @ 250µA 47.5nC @ 5V ±25V 4234pF @ 20V
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1.45W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6575 - ON Semiconductor FDS6575 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO 32,500 - 立即发货 可供应: 32,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 10A(Ta) 2.5V,4.5V 13 毫欧 @ 10A,4.5V 1.5V @ 250µA 74nC @ 4.5V ±8V 4951pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6575 - ON Semiconductor FDS6575 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO 33,838 - 立即发货 可供应: 33,838 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 10A(Ta) 2.5V,4.5V 13 毫欧 @ 10A,4.5V 1.5V @ 250µA 74nC @ 4.5V ±8V 4951pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDS6575 - ON Semiconductor FDS6575 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO 33,838 - 立即发货 可供应: 33,838 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 10A(Ta) 2.5V,4.5V 13 毫欧 @ 10A,4.5V 1.5V @ 250µA 74nC @ 4.5V ±8V 4951pF @ 10V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
STD2N95K5 - STMicroelectronics STD2N95K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2A DPAK 2,500 - 立即发货 可供应: 2,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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SuperMESH5™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 950V 2A(Tc) 10V 5 欧姆 @ 1A,10V 5V @ 100µA 10nC @ 10V 30V 105pF @ 100V
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45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD2N95K5 - STMicroelectronics STD2N95K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2A DPAK 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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SuperMESH5™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 950V 2A(Tc) 10V 5 欧姆 @ 1A,10V 5V @ 100µA 10nC @ 10V 30V 105pF @ 100V
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45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STD2N95K5 - STMicroelectronics STD2N95K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2A DPAK 3,456 - 立即发货 可供应: 3,456 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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SuperMESH5™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 950V 2A(Tc) 10V 5 欧姆 @ 1A,10V 5V @ 100µA 10nC @ 10V 30V 105pF @ 100V
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45W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SI7414DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.6A(Ta) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 8.7A,10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7414DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 20,052 - 立即发货 可供应: 20,052 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.6A(Ta) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 8.7A,10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7414DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 20,052 - 立即发货 可供应: 20,052 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 5.6A(Ta) 4.5V,10V 25 毫欧 @ 8.7A,10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7820DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 1.7A(Ta) 6V,10V 240 毫欧 @ 2.6A,10V 4V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7820DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 16,863 - 立即发货 可供应: 16,863 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 1.7A(Ta) 6V,10V 240 毫欧 @ 2.6A,10V 4V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7820DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 16,863 - 立即发货 可供应: 16,863 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 200V 1.7A(Ta) 6V,10V 240 毫欧 @ 2.6A,10V 4V @ 250µA 18nC @ 10V ±20V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 17,500 - 立即发货 可供应: 17,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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SIPMOS® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 30A(Tc) 10V 75 毫欧 @ 21.5A,10V 4V @ 1.7mA 48nC @ 10V ±20V 1535pF @ 25V
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125W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 19,231 - 立即发货 可供应: 19,231 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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SIPMOS® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 30A(Tc) 10V 75 毫欧 @ 21.5A,10V 4V @ 1.7mA 48nC @ 10V ±20V 1535pF @ 25V
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125W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 19,231 - 立即发货 可供应: 19,231 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
SIPMOS® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 30A(Tc) 10V 75 毫欧 @ 21.5A,10V 4V @ 1.7mA 48nC @ 10V ±20V 1535pF @ 25V
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125W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 PG-TO252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BSC014NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 35,000 - 立即发货 可供应: 35,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 33A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 1.4 毫欧 @ 30A,10V 2V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 2700pF @ 12V
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2.5W(Ta),74W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC014NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 33A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 1.4 毫欧 @ 30A,10V 2V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 2700pF @ 12V
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2.5W(Ta),74W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC014NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 40,000 - 立即发货 可供应: 40,000 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 25V 33A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 1.4 毫欧 @ 30A,10V 2V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 2700pF @ 12V
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2.5W(Ta),74W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
CSD17506Q5A - Texas Instruments CSD17506Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000
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带卷(TR)?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 1.8V @ 250µA 11nC @ 4.5V ±20V 1650pF @ 15V
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3.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD17506Q5A - Texas Instruments CSD17506Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 15,705 - 立即发货 可供应: 15,705
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剪切带(CT)?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 1.8V @ 250µA 11nC @ 4.5V ±20V 1650pF @ 15V
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3.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD17506Q5A - Texas Instruments CSD17506Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 15,705 - 立即发货 可供应: 15,705
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Digi-Reel®?
可替代的包装
NexFET™ 不適用於新設計 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 1.8V @ 250µA 11nC @ 4.5V ±20V 1650pF @ 15V
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3.2W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
FDD8870 - ON Semiconductor FDD8870 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 21A(Ta),160A(Tc) 4.5V,10V 3.9 毫欧 @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 118nC @ 10V ±20V 5160pF @ 15V
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160W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8870 - ON Semiconductor FDD8870 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK 16,168 - 立即发货 可供应: 16,168 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 21A(Ta),160A(Tc) 4.5V,10V 3.9 毫欧 @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 118nC @ 10V ±20V 5160pF @ 15V
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160W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD8870 - ON Semiconductor FDD8870 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK 16,168 - 立即发货 可供应: 16,168 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 21A(Ta),160A(Tc) 4.5V,10V 3.9 毫欧 @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 118nC @ 10V ±20V 5160pF @ 15V
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160W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRFH5300TRPBF - Infineon Technologies IRFH5300TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A PQFN 4,000 - 立即发货 可供应: 4,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 40A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 1.4 毫欧 @ 50A,10V 2.35V @ 150µA 120nC @ 10V ±20V 7200pF @ 15V
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3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerVDFN
IRFH5300TRPBF - Infineon Technologies IRFH5300TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A PQFN 4,054 - 立即发货 可供应: 4,054 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 40A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 1.4 毫欧 @ 50A,10V 2.35V @ 150µA 120nC @ 10V ±20V 7200pF @ 15V
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3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerVDFN
IRFH5300TRPBF - Infineon Technologies IRFH5300TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A PQFN 4,054 - 立即发货 可供应: 4,054 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 40A(Ta),100A(Tc) 4.5V,10V 1.4 毫欧 @ 50A,10V 2.35V @ 150µA 120nC @ 10V ±20V 7200pF @ 15V
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3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerVDFN
FDMC86102LZ - ON Semiconductor FDMC86102LZ ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP 33,000 - 立即发货 可供应: 33,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 24 毫欧 @ 6.5A,10V 2.2V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1290pF @ 50V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC86102LZ - ON Semiconductor FDMC86102LZ ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP 33,883 - 立即发货 可供应: 33,883 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 24 毫欧 @ 6.5A,10V 2.2V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1290pF @ 50V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC86102LZ - ON Semiconductor FDMC86102LZ ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP 33,883 - 立即发货 可供应: 33,883 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 24 毫欧 @ 6.5A,10V 2.2V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1290pF @ 50V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
PSMN1R0-30YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 1,500 最低订购数量 : 1,500 带卷(TR)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.15 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 103.5nC @ 10V ±20V 6645pF @ 15V
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272W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN1R0-30YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 19,023 - 立即发货 可供应: 19,023 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.15 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 103.5nC @ 10V ±20V 6645pF @ 15V
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272W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
PSMN1R0-30YLC,115 - Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 19,023 - 立即发货 可供应: 19,023 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 100A(Tc) 4.5V,10V 1.15 毫欧 @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 103.5nC @ 10V ±20V 6645pF @ 15V
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272W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 LFPAK56,Power-SO8 SC-100,SOT-669
FDMC86102L - ON Semiconductor FDMC86102L ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 23 毫欧 @ 7A,10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1330pF @ 50V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC86102L - ON Semiconductor FDMC86102L ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 8,650 - 立即发货 可供应: 8,650 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 23 毫欧 @ 7A,10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1330pF @ 50V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMC86102L - ON Semiconductor FDMC86102L ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 8,650 - 立即发货 可供应: 8,650 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 7A(Ta),18A(Tc) 4.5V,10V 23 毫欧 @ 7A,10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V ±20V 1330pF @ 50V
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2.3W(Ta),41W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN
FDMS86520 - ON Semiconductor FDMS86520 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 14A(Ta),42A(Tc) 8V,10V 7.4 毫欧 @ 14A,10V 4.5V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 2850pF @ 30V
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2.5W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
FDMS86520 - ON Semiconductor FDMS86520 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN 7,416 - 立即发货 可供应: 7,416 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 14A(Ta),42A(Tc) 8V,10V 7.4 毫欧 @ 14A,10V 4.5V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 2850pF @ 30V
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2.5W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
FDMS86520 - ON Semiconductor FDMS86520 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN 7,416 - 立即发货 可供应: 7,416 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 14A(Ta),42A(Tc) 8V,10V 7.4 毫欧 @ 14A,10V 4.5V @ 250µA 40nC @ 10V ±20V 2850pF @ 30V
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2.5W(Ta),69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
ZXMP10A18KTC - Diodes Incorporated ZXMP10A18KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK 130,000 - 立即发货 可供应: 130,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.8A(Ta) 6V,10V 150 毫欧 @ 2.8A,10V 4V @ 250µA 26.9nC @ 10V ±20V 1055pF @ 50V
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2.17W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZXMP10A18KTC - Diodes Incorporated ZXMP10A18KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK 130,658 - 立即发货 可供应: 130,658 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.8A(Ta) 6V,10V 150 毫欧 @ 2.8A,10V 4V @ 250µA 26.9nC @ 10V ±20V 1055pF @ 50V
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2.17W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
ZXMP10A18KTC - Diodes Incorporated ZXMP10A18KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK 130,658 - 立即发货 可供应: 130,658 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 3.8A(Ta) 6V,10V 150 毫欧 @ 2.8A,10V 4V @ 250µA 26.9nC @ 10V ±20V 1055pF @ 50V
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2.17W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SI4459ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC 52,500 - 立即发货 可供应: 52,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 29A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 195nC @ 10V ±20V 6000pF @ 15V
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3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4459ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC 54,085 - 立即发货 可供应: 54,085 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 29A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 195nC @ 10V ±20V 6000pF @ 15V
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3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4459ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC 54,085 - 立即发货 可供应: 54,085 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 29A(Tc) 4.5V,10V 5 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 195nC @ 10V ±20V 6000pF @ 15V
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3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI7322DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 48,000 - 立即发货 可供应: 48,000 3,000 最低订购数量 : 3,000 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 18A(Tc) 10V 58 毫欧 @ 5.5A,10V 4.4V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 750pF @ 50V
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3.8W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7322DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 48,710 - 立即发货 可供应: 48,710 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 18A(Tc) 10V 58 毫欧 @ 5.5A,10V 4.4V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 750pF @ 50V
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3.8W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7322DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 48,710 - 立即发货 可供应: 48,710 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 100V 18A(Tc) 10V 58 毫欧 @ 5.5A,10V 4.4V @ 250µA 20nC @ 10V ±20V 750pF @ 50V
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3.8W(Ta),52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI4463BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC 25,000 - 立即发货 可供应: 25,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 9.8A(Ta) 2.5V,10V 11 毫欧 @ 13.7A,10V 1.4V @ 250µA 56nC @ 4.5V ±12V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4463BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC 25,935 - 立即发货 可供应: 25,935 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 9.8A(Ta) 2.5V,10V 11 毫欧 @ 13.7A,10V 1.4V @ 250µA 56nC @ 4.5V ±12V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4463BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC 25,935 - 立即发货 可供应: 25,935 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 20V 9.8A(Ta) 2.5V,10V 11 毫欧 @ 13.7A,10V 1.4V @ 250µA 56nC @ 4.5V ±12V
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1.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FDD5690 - ON Semiconductor FDD5690 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK 7,500 - 立即发货 可供应: 7,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 30A(Tc) 6V,10V 27 毫欧 @ 9A,10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 1110pF @ 25V
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3.2W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD5690 - ON Semiconductor FDD5690 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK 8,387 - 立即发货 可供应: 8,387 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 30A(Tc) 6V,10V 27 毫欧 @ 9A,10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 1110pF @ 25V
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3.2W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD5690 - ON Semiconductor FDD5690 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK 8,387 - 立即发货 可供应: 8,387 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 30A(Tc) 6V,10V 27 毫欧 @ 9A,10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V ±20V 1110pF @ 25V
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3.2W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
BSC520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 10,000 - 立即发货 可供应: 10,000 5,000 最低订购数量 : 5,000 带卷(TR)?
可替代的包装
OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 21A(Tc) 8V,10V 52 毫欧 @ 18A,10V 4V @ 35µA 12nC @ 10V ±20V 890pF @ 75V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 14,975 - 立即发货 可供应: 14,975 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 21A(Tc) 8V,10V 52 毫欧 @ 18A,10V 4V @ 35µA 12nC @ 10V ±20V 890pF @ 75V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
BSC520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies BSC520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 14,975 - 立即发货 可供应: 14,975 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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OptiMOS™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 150V 21A(Tc) 8V,10V 52 毫欧 @ 18A,10V 4V @ 35µA 12nC @ 10V ±20V 890pF @ 75V
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57W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
IRFH7440TRPBF - Infineon Technologies IRFH7440TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 36,000 - 立即发货 可供应: 36,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET®,StrongIRFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 85A(Tc) 6V,10V 2.4 毫欧 @ 50A,10V 3.9V @ 100µA 138nC @ 10V ±20V 4574pF @ 25V
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104W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
IRFH7440TRPBF - Infineon Technologies IRFH7440TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 37,482 - 立即发货 可供应: 37,482 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET®,StrongIRFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 85A(Tc) 6V,10V 2.4 毫欧 @ 50A,10V 3.9V @ 100µA 138nC @ 10V ±20V 4574pF @ 25V
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104W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
IRFH7440TRPBF - Infineon Technologies IRFH7440TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN 37,482 - 立即发货 可供应: 37,482 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET®,StrongIRFET™ 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 85A(Tc) 6V,10V 2.4 毫欧 @ 50A,10V 3.9V @ 100µA 138nC @ 10V ±20V 4574pF @ 25V
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104W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
FDD13AN06A0 - ON Semiconductor FDD13AN06A0 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK 27,500 - 立即发货 可供应: 27,500 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.9A(Ta),50A(Tc) 6V,10V 13.5 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V ±20V 1350pF @ 25V
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115W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD13AN06A0 - ON Semiconductor FDD13AN06A0 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK 29,195 - 立即发货 可供应: 29,195 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.9A(Ta),50A(Tc) 6V,10V 13.5 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V ±20V 1350pF @ 25V
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115W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FDD13AN06A0 - ON Semiconductor FDD13AN06A0 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK 29,195 - 立即发货 可供应: 29,195 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
PowerTrench® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 60V 9.9A(Ta),50A(Tc) 6V,10V 13.5 毫欧 @ 50A,10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V ±20V 1350pF @ 25V
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115W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 表面贴装 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IRF7832TRPBF - Infineon Technologies IRF7832TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 4,000 最低订购数量 : 4,000 带卷(TR)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Ta) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 2.32V @ 250µA 51nC @ 4.5V ±20V 4310pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 155°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7832TRPBF - Infineon Technologies IRF7832TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC 12,183 - 立即发货 可供应: 12,183 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Ta) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 2.32V @ 250µA 51nC @ 4.5V ±20V 4310pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 155°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7832TRPBF - Infineon Technologies IRF7832TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC 12,183 - 立即发货 可供应: 12,183 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
可替代的包装
HEXFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 30V 20A(Ta) 4.5V,10V 4 毫欧 @ 20A,10V 2.32V @ 250µA 51nC @ 4.5V ±20V 4310pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C ~ 155°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4154DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC 5,000 - 立即发货 可供应: 5,000 2,500 最低订购数量 : 2,500 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 36A(Tc) 4.5V,10V 3.3 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 105nC @ 10V ±20V 4230pF @ 20V
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3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4154DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC 8,250 - 立即发货 可供应: 8,250 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 36A(Tc) 4.5V,10V 3.3 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 105nC @ 10V ±20V 4230pF @ 20V
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3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI4154DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC 8,250 - 立即发货 可供应: 8,250 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel®?
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TrenchFET® 在售 N 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 36A(Tc) 4.5V,10V 3.3 毫欧 @ 15A,10V 2.5V @ 250µA 105nC @ 10V ±20V 4230pF @ 20V
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3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SUD50P04-08-GE3 - Vishay Siliconix SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 50A DPAK 2,000 - 立即发货 可供应: 2,000 2,000 最低订购数量 : 2,000 带卷(TR)?
可替代的包装
TrenchFET® 在售 P 沟道 MOSFET(金属氧化物) 40V 50A(Tc) 4.5V,10V 8.1 毫欧 @ 22A,10V 2.5V @ 250µA 159nC @ 10V ±20V 5380pF @ 20V
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2.5W(Ta),73.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装 TO-252,(D-Pak) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
SUD50P04-08-GE3 - Vishay Siliconix SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 50A DPAK 3,547 - 立即发货 可供应: 3,547 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)? <