供应仙童TIP31C/TIP32C达林顿三极管
描述:NPN硅控電晶體
封装:TO-220
Pol NPN
Ic(max):3A
Pc(max):40W
Vceo(max):100V
hfe(min.-max.):10~50
原装仙童,欢迎大家来电洽淡!
深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生
TIP31C极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220）Tstg——贮存温度 -55~150
℃Tj——结温 150℃PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 40W PC——集电极功率耗散（Ta=25℃） 2W
VCBO——集电极—基极电压 100V
VCEO——集电极—发射极电压 100V
VEBO——发射极—基极电压 5V
IC——集电极电流（DC） 3A
IC——集电极电流(脉冲) 5A
IB——基极电流 1A
█ TIP31C电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220）
|
参数符号 |
符 号 说 明 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单 位 |
测 试 条 件 |
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BVCEO(sus) ICEO
ICES IEBO hFE
VCE(sat) VBE(on) fT |
集电极—发射极维持电压*
集电极—发射极截止电流集电极—发射极截止电流发射极—基极截止电流直流电流增益*
集电极—发射极饱和电压* 基极—发射极导通电压* 特征频率 |
100
25
10
3.0 |
|
0.3
200
1
50
1.2
1.8 |
V
mA
µA
mA
V V
MHz |
IC=30mA，IB=0
VCE=60V，IB=0
VCE=100V，VEB=0, VEB=5V，IC=0
VCE=4V，IC=1A VCE=4V，IC=3A IC=3A，IB=375mA VCE=4V，IC=3A VCE=10V，IC=0.5A，f=1MHz |
*脉冲测试：脉宽≤300µs，占空比≤2%。
