可控硅BTA20-600B/BTA26-600B代理销售ST原厂
型号:BTA20-600B/BTA26-600B
电流:20A/26A
电压:600V以上
控制方式:双向可控硅
极性:三极可控硅
封装形式:TO-220塑封/TO-3P塑封
品牌:ST
产地:马来西亚
ST原厂代理销售,欢迎来电洽淡!
深圳市亨力拓电子有限公司货源电话:0755-83293082 阮先生
晶闸管(可控硅)应用指南
一. | 参数说明 | ||
1. | 参数表中所给出的数据,ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能满足的最小值, Qr、VTM、VTO、rT指元件可满足(不超过)的最大值。 | ||
2. | 通态平均电流额定值ITAV(IFAV) | ||
ITAV(IFAV)指在双面冷却条件下,保证散热器温度55℃时,允许元件流过的最大正弦半波电流平均值。ITAV(IFAV)对应元件额定有效值IRMS=1.57 ITAV。实际使用BTA20-600B/BTA26-600B,若不能保证散热器温度低于55℃或散热器与元件接触热阻远大于规定值,则元件应降额使用。 | |||
3. | 晶闸管通态电流上升率di/dt | ||
参数表中所给的为元件通态电流上升率的临界重复值。其对应不重复测试值为重复值的2倍以上,在使用过程中,必须保证元件导通期任何时候的电流上升率都不能超过其重复值。 | |||
4. | 晶闸管使用频率 | ||
BTA20-600B/BTA26-600B晶闸管可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度tp,关断时间tq以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间tV决定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根据BTA20-600B/BTA26-600B工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq,并留有一定的裕量。随着工作频率的升高,元件正向损耗Epf和反向恢复损耗Epr随之升高,元件通态电流须降额使用。 |
一. | 参数说明 | ||
1. | 参数表中所给出的数据,ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能满足的最小值, Qr、VTM、VTO、rT指元件可满足(不超过)的最大值。 | ||
2. | 通态平均电流额定值ITAV(IFAV) | ||
ITAV(IFAV)指在双面冷却条件下,保证散热器温度55℃时,允许元件流过的最大正弦半波电流平均值。ITAV(IFAV)对应元件额定有效值IRMS=1.57 ITAV。实际使用BTA20-600B/BTA26-600B,若不能保证散热器温度低于55℃或散热器与元件接触热阻远大于规定值,则元件应降额使用。 | |||
3. | 晶闸管通态电流上升率di/dt | ||
参数表中所给的为元件通态电流上升率的临界重复值。其对应不重复测试值为重复值的2倍以上,在使用过程中,必须保证元件导通期任何时候的电流上升率都不能超过其重复值。 | |||
4. | 晶闸管使用频率 | ||
BTA20-600B/BTA26-600B晶闸管可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度tp,关断时间tq以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间tV决定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根据BTA20-600B/BTA26-600B工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq,并留有一定的裕量。随着工作频率的升高,元件正向损耗Epf和反向恢复损耗Epr随之升高,元件通态电流须降额使用。 |