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1200V IGBT 模块(IGBT Modules up to 1200V) |
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型号 |
IC (max) 最大电流 |
VCE(sat) |
Technology |
Packages |
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1.一单元 |
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FD400R12KE3_B5 |
400.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
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FD300R12KS4_B5 |
300.0 A |
1,200.0 V |
IGBT² Fast |
62 mm |
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FZ800R12KF4 |
800.0 A |
2.7 V |
IGBT² Standard |
IHM 130 mm |
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FZ1050R12KF4 |
1,050.0 A |
2.7 V |
IGBT² Standard |
IHM 130 mm |
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FZ1200R12KF4 |
1,200.0 A |
2.7 V |
IGBT² Standard |
IHM 130 mm |
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FZ1600R12KF4 |
1,600.0 A |
2.7 V |
IGBT² Standard |
IHM 130 mm |
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FZ1800R12KF4 |
1,800.0 A |
2.7 V |
IGBT² Standard |
IHM 190 mm |
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FZ2400R12KF4 |
2,400.0 A |
2.7 V |
IGBT² Standard |
IHM 190 mm |
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BSM200GA120DLC |
200.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
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BSM200GA120DLCS |
200.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
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BSM300GA120DLC |
300.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
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BSM300GA120DLCS |
300.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
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BSM400GA120DLC |
400.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
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BSM400GA120DLCS |
400.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
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BSM600GA120DLC |
600.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
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BSM600GA120DLCS |
600.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
62 mm |
|
FZ800R12KL4C |
800.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
IHM 130 mm |
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FZ1200R12KL4C |
1,200.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
IHM 130 mm |
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FZ1600R12KL4C |
1,600.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
IHM 130 mm |
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FZ1800R12KL4C |
1,800.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
IHM 190 mm |
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FZ2400R12KL4C |
2,400.0 A |
2.1 V |
IGBT² Low Loss |
IHM 190 mm |
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FZ400R12KS4 |
400.0 A |
3.2 V |
IGBT² Fast |
62 mm |
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FZ600R12KS4 |
600.0 A |
3.2 V |
IGBT² Fast |
62 mm |
|
FZ800R12KS4_B2 |
800.0 A |
3.2 V |
IGBT² Fast |
IHM 130 mm |
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FZ300R12KE3G |
300.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
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FZ300R12KE3B1G C-SERIE |
300.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
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FZ400R12KE3 |
400.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
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FZ400R12KE3B1 |
400.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
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FZ600R12KE3 |
600.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
|
FZ600R12KE3B1 |
600.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
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FZ800R12KE3 |
800.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
62 mm |
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FZ1200R12KE3 |
1,200.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
IHM 130 mm |
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FZ1600R12KE3 |
1,600.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
IHM 130 mm |
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FZ2400R12KE3 |
2,400.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
IHM 130 mm |
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FZ2400R12KE3_B9 |
2,400.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
IHM 190 mm |
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FZ3600R12KE3 |
3,600.0 A |
1.7 V |
IGBT³ |
IHM 190 mm |
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BSM200GA120DN2 |
200.0 A |
2.5 V |
IGBT² Standard |
62 mm |
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BSM200GA120DN2C |
200.0 A |
2.5 V |
IGBT² Standard |
62 mm |
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BSM200GA120DN2S |
200.0 A |
2.5 V |
IGBT² Standard |
62 mm |
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BSM300GA120DN2 |
300.0 A |
2.5 V |
IGBT² Standard |
62 mm |
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BSM300GA120DN2S |
300.0 A |
2.5 V |
IGBT² Standard |
62 mm |
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BSM400GA120DN2C |
400.0 A |
2.5 V |
IGBT² Standard |
62 mm |
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BSM400GA120DN2S |
400.0 A |
2.5 V |
IGBT² Standard |
62 mm |
随着新型高效逆变器应用的市场日益增长，需要有一些专门优化的功率半导体出现。为此，英飞凌公司推出了新一代结合改进型射极控制二极管的1200V IGBT4系列产品，分别为针对低功率、中等功率和高功率IGBT模块提供了三款优化的芯片。这些IGBT模块是为满足各种不同应用所需的现代逆变器概念设计的。衡量新一代芯片开发是否成功的两个标准当然是看其能否达到较低的静态和动态损耗。但IGBT4技术还有另一个优点，它将芯片的最高允许工作温度提高了25℃，达到Tvjop=150℃。表1对比了新型IGBT4和其上一代IGBT3的电性能。这三款优化的芯片是：Inom=10-300A，具备快速开关性能，可用于低功率模块的IGBT4-T4；Inom=150-1000A具备较好的开关性能和导通特性，可用于中等功率模块的IGBT4-E4； Inom>900A，具备软化开关性能，可用于高功率模块的IGBT4-P4。本文主要介绍低功率和中功率版本的芯片。新一代1200V IGBT4功率半导体的最高工作温度可达Tvjop=150℃，而上一代IGBT3的工作温度最高只能到125℃。150℃的最高工作温度是由英飞凌在其第三代600V功率半导体中首次实现的。允许器件达到这一更高的工作温度，就有可能允许器件在同样的散热条件下通过全温操作达到更高的输出功率。
