无磁芯变压器IGBT驱动2ED020I12-F价格优惠
型号：2ED020I12-F
厂家：INFINEON
封装：SOP
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深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生
无磁心变压器技术目前已成功应用在驱动器2ED020I12-F中,2ED020I12-F在驱动大功率IGBT 或MOSFET方面体现了较强的优越性去年eupec GmbH 开发了IGBT栅极驱动的新系列，称为EICE驱动器。对中等功率的应用 2ED020I12-F是现成可用的。驱动器的内部结构图如 图 5 所示。
具有隔离功能的半桥驱动器可实现高边驱动和2A 的输出电流。低边驱动和输入连同一个通用的比较 器和一个通用的运算放大器一起集成在同一个芯片 里。标准逻辑功能如高低边的欠压锁定也在芯片里。
本文表明放大作用和电平位移是栅极驱动的主要 任务。讨论了多种实现电平位移的技术。介绍了一种 新的解决方案，用无磁芯变压器技术设计具有电隔离 的高边驱动。最后介绍了一款合并了无磁芯变压器技 术的产品 2ED020I12-F。但 2ED020I12-F 的缺点是没 有充分利用无磁芯变压器的隔离能力。(闫晓金 宁武)
