新到H40T120(IHW40N120T)IGBT单管，价格优惠！
H40T120 基本参数:
型号：IHW40N120T(产品印字H40T120)
电压：1200V
封装：TO-247
阻尼二极管正向压降：2.26V
通态功耗：71.6 W
标称功率：270W
英飞凌的H40T120 单管可用于低成本的变频器方案,成本低,性能稳定,规格40A 1200V
H40T120管的饱和压降：Vce(sat)。如:（H40T120在40A条件下测试 Vce(sat) ≤1.8V）。
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深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的H40T120，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在H40T120 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。H40T120 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。
