供应英飞凌SKW25N120单管价格优!
型号:SKW25N120
厂家:INFINEON
封装:TO-247
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深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生
电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流
电路将 50/60Hz 的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为
20-40KHz 的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的 磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自 行高速发热，然后再加热器皿内的东西。SKW25N120 PDF文档
一、筒介
458 系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉,接口有 LED 发光二极 管显示模式、LED 数码显示模式、LCD 液晶显示模式、VFD 莹光显示模式机种。操作 功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动 泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热 功率有 700~3000W 的不同机种,功率调节范围为额定功率的 85%,并且在全电压范围内 功率自动恒定。200~240V 机种电压使用范围为 160~260V, 100~120V 机种电压使用范围
为 90~135V。全系列机种均适用于 50、60Hz 的电压频率。使用环境温度为-23℃~45℃。 电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/短路保护、2 小时不按键(忘 记关机) 保护、IGBT 温度限制、IGBT 温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT 测温 传感器开/短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE 抑制、VCE 过高保护、过零 检测、小物检测、锅具材质检测。
458 系列须然机种较多,且功能复杂,但不同的机种其主控电路原理一样,区别只是零件参 数的差异及 CPU 程序不同而己。电路的各项测控主要由一块 8 位 4K 内存的单片机组 成,外围线路简单且零件极少,并设有故障报警功能,故电路可靠性高,维修容易,维修时根 据故障报警指示,对应检修相关单元电路,大部分均可轻易解决。
SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。.SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
二、原理分析
2.1 特殊零件简介
2.1.1 LM339 集成电路
LM339 内置四个翻转电压为 6mV 的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入 端电压高于-入输端电压), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管截止, 此时输出端相当 于开路; 当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压), 置于 LM339 内部控制输出端 的三极管 导通, 将比 较器外部接入输出端的电压拉低,此 时输出端 为
0V。
2.1.2 IGBT
绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称 IGBT,是一种集 BJT 的大电流密 度和 MOSFET 等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工艺制作的 IGBT, 但它们均可被看作是一个 MOSFET 输入跟随一 个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT 有三个电极(见上图), 分别称为栅极 G(也叫控制极或门极) 、集电极 C(亦称漏极)
及发射极 E(也称源极) 。
从 IGBT 的下述特点中可看出, 它克服了功率 MOSFET 的一个致命缺陷, 就是于高压
大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT 的特点:
1.电流密度大, 是 MOSFET 的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和 BVceo 下, 其导通电阻 Rce(on) 不大于 MOSFET 的
Rds(on) 的 10%。
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压 1kV~1.8kV 的约 1.2us、600V 级的约 0.2us, 约为 GTR
的 10%,接近于功率 MOSFET, 开关频率直达 100KHz, 开关损耗仅为 GTR 的 30%。
IGBT 将场控型器件的优点与 GTR 的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高 压半导体功率器件。
目前 458 系列因应不同机种采了不同规格的 IGBT,它们的参数如下:
SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。.SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
