代理销售小功率IGBT单管IHW30N90T价格优惠！
型号:IHW30N90T
厂家:EUPEC (INFINEON )
封装:PG-TO247-3
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RC-IGBT（反向传导）为共振应用（如感应烹饪）设置了全新的IGBT基准。IHW30N90T基于场止技术，甚至可以使 1200V 组件的 IGBT饱和电压降到 1.55V。使用反向传导技术，可以降低功率损耗，使之达到传统技术的水平。这些部件还配有单片体二极管，用于箝拉反向电流。
另外，还提供大家熟知的 DuoPack™ IGBT，其配有优化的反向二极管。DuoPack™ IGBT 有600V、900V、1000V 和 1200V 几种,那IHW30N90T就是900V的一种。DuoPack™ 二极管的正向电压 VF最低达 1.1V。
IGBT的串联
(1)串联IGBT电压均衡
串联IGBT工作的一个重要方面是对由于器件的离散特性与驱动电路的不匹配在器件两端引起的静态和动态不均衡。
静态均衡可以在IGBT的C、E两端并联阻值较大的电阻R4来实现,如图4所示。通过并联电阻的分压,保证在IGBT关断期间每只IGBT两端的电压相等。该电阻必须参考IGBT的漏电流,在此基础上进行合适的选择,要使流过分压电阻的电流比IHW30N90T的最大漏电流大若干倍,同时要注意均压电阻的阻值不能过分小,以免增加功率损耗。
动态均压电路由图4中的D1、R1、C1组成。在IGBT开始关断或开始导通时,由于IGBT导通的离散性,必然有个别IGBT提前导通或提前关断,在迟后导通和提前关断的IGBT两端,必然会产生尖峰电压,在IGBT的两端通过D1并联电容C1,使尖峰电压必须先对C1充电,这样IGBT两端的尖峰电压的上升速度受到C1的限制,并可由并联在每个IGBT两端的C1分压,由C1实现对动态尖峰电压的均衡。在IGBT导通期间,由于D1的单向导电特性, C1通过R1、IHW30N90T将储存的电荷放掉,以便吸收IGBT下次关断时产生的浪涌电压。选择R1时要考虑C1的放电时间常数,确定合适的阻值。
