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日本三菱电力电子(Mitsubishi) >> 第5代IGBT模块 >> 第5代IGBT模块


来源： | 时间：2011年05月06日

深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生

深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生

 
三菱A系列IGBT选择表
  
 

   
点击这里下载应用手册
模块
结构
Vces(V)
Ic (A)
100A
150A
200A
300A
400A
600A
一单元
1200V
.
.
.
.
CM400HA-24A
CM600HA-24A
两单元
1200V
CM100DY-24A
CM150DY-24A
CM200DY-24A
CM300DY-24A
CM400DY-24A
CM600DY-24A

  
     
 
 
  
 

特征:
   
  采用最新的CSTBT硅片技术
 
   * 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
* 高短路承受力（不需要RTC）
* 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
   采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻
   比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构
   按IEC747-15标准定义温度和热阻
   
目标:
   
  低成本设计，
适合中、低端变频器产品设计
   

 
     

 

三菱NF系列IGBT选择表

   
点击这里下载应用手册
模块
结构
Vces
(V)
Ic (A)
50A
75A
100A
150A
200A
300A
400A
600A
1400A
 
两
单元
600V
.
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CM150DY-12NF
CM200DY-12NF
CM300DY-12NF
CM400DY-12NF
CM600DY-12NF
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1200V
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CM100DY-24NF
CM150DY-24NF
CM200DY-24NF
CM300DY-24NF
CM400DY-24NF
CM600DU-24NF
CM1400DU-24NF
 
六
单元
600V
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CM75TL-12NF
CM100TL-12NF
CM150TL-12NF
CM200TL-12NF
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1200V
CM50TL-24NF
CM75TL-24NF
CM100TL-24NF
CM150TL-24NF
CM200TL-24NF
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七
单元
600V
.
CM75RL-12NF
CM100RL-12NF
CM150RL-12NF
CM200RL-12NF
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1200V
CM50RL-24NF
CM75RL-24NF
CM100RL-24NF
CM150RL-24NF
CM200RL-24NF
.
.
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.

 
 

特征:
   
  采用最新的CSTBT硅片技术
 
   * 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
* 高短路承受力（不需要RTC）
* 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
   最好的热阻性能， T(j-f)比竞争对手好一个等级
   采用传统的与H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定义
   封装全系列与H系列产品兼容
   
目标:
   
  可直接替换H系列IGBT模块
   高性能的电力变换产品设计
   

 

 

 
三菱NFH系列IGBT选择表
  
 

   
点击这里下载应用手册
模块
结构
Vces(V)
Ic (A)
75A
100A
150A
200A
300A
400A
600A
两单元
600V
.
CM100DUS-12F
CM150DUS-12F
CM200DU-12NFH
CM300DU-12NFH
CM400DU-12NFH
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1200V
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CM100DU-24NFH
CM150DU-24NFH
CM200DU-24NFH
CM300DU-24NFH
CM400DU-24NFH
CM600DU-24NFH
四单元
1200V
CM75BU-24NFH
.
.
.
.
.
.

  
     
 
 
  
 

特征:
 采用快速关断CSTBT硅片，目标开关频率20~ 60KHz
 低电感封装技术
 耐功率循环能力强(High Power Cycle)
 宽范围的额定电流等级: 100A~400A/600V，100A~ 600A / 1200V
 
目标应用:
 医疗仪器，如 CT 和 MRI
 逆变焊机
 电信用UPS
实物照片
 
CM100/150/200/300/400/600DU-24NFH
 


  
     

 

 
三菱A系列IGBT选择表
  
 

   
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模块
结构
Vces(V)
Ic (A)
100A
150A
200A
300A
400A
600A
一单元
1200V
.
.
.
.
CM400HA-24A
CM600HA-24A
两单元
1200V
CM100DY-24A
CM150DY-24A
CM200DY-24A
CM300DY-24A
CM400DY-24A
CM600DY-24A

  
     
 
 
  
 

特征:
   
  采用最新的CSTBT硅片技术
 
   * 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
* 高短路承受力（不需要RTC）
* 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
   采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻
   比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构
   按IEC747-15标准定义温度和热阻
   
目标:
   
  低成本设计，
适合中、低端变频器产品设计
   

 
     

 

三菱NF系列IGBT选择表

   
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模块
结构
Vces
(V)
Ic (A)
50A
75A
100A
150A
200A
300A
400A
600A
1400A
 
两
单元
600V
.
.
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CM150DY-12NF
CM200DY-12NF
CM300DY-12NF
CM400DY-12NF
CM600DY-12NF
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1200V
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CM100DY-24NF
CM150DY-24NF
CM200DY-24NF
CM300DY-24NF
CM400DY-24NF
CM600DU-24NF
CM1400DU-24NF
 
六
单元
600V
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CM75TL-12NF
CM100TL-12NF
CM150TL-12NF
CM200TL-12NF
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1200V
CM50TL-24NF
CM75TL-24NF
CM100TL-24NF
CM150TL-24NF
CM200TL-24NF
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七
单元
600V
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CM75RL-12NF
CM100RL-12NF
CM150RL-12NF
CM200RL-12NF
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1200V
CM50RL-24NF
CM75RL-24NF
CM100RL-24NF
CM150RL-24NF
CM200RL-24NF
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特征:
   
  采用最新的CSTBT硅片技术
 
   * 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
* 高短路承受力（不需要RTC）
* 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
   最好的热阻性能， T(j-f)比竞争对手好一个等级
   采用传统的与H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定义
   封装全系列与H系列产品兼容
   
目标:
   
  可直接替换H系列IGBT模块
   高性能的电力变换产品设计
   

 

 

 
三菱NFH系列IGBT选择表
  
 

   
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模块
结构
Vces(V)
Ic (A)
75A
100A
150A
200A
300A
400A
600A
两单元
600V
.
CM100DUS-12F
CM150DUS-12F
CM200DU-12NFH
CM300DU-12NFH
CM400DU-12NFH
.
1200V
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CM100DU-24NFH
CM150DU-24NFH
CM200DU-24NFH
CM300DU-24NFH
CM400DU-24NFH
CM600DU-24NFH
四单元
1200V
CM75BU-24NFH
.
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特征:
 采用快速关断CSTBT硅片，目标开关频率20~ 60KHz
 低电感封装技术
 耐功率循环能力强(High Power Cycle)
 宽范围的额定电流等级: 100A~400A/600V，100A~ 600A / 1200V
 
目标应用:
 医疗仪器，如 CT 和 MRI
 逆变焊机
 电信用UPS
实物照片
 
CM100/150/200/300/400/600DU-24NFH
 



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