IXZ4DF12N100全新现货供应IXYS代理IXZ4DF12N100驱动器/ MOSFET的组合 深圳市亨力拓电子有限公司货源电话:0755-83293082阮先生
IXZ4DF12N100全新现货供应IXYS代理IXZ4DF12N100驱动器/ MOSFET的组合 封装DIP
IXZ4DF12N100全新现货供应IXYS代理IXZ4DF12N100驱动器/ MOSFET的组合 最新批号
IXZ4DF12N100全新现货供应IXYS代理IXZ4DF12N100驱动器/ MOSFET的组合 全线代理
绝缘衬底
- 高隔离电压（“2500V型）
- 优秀的热转印
- 提高温度和功率循环能力
•艾赛斯先进的Z - MOS工艺
•（上）低RDS
•非常低的插入电感“（<2nH）
•无铍氧化物（氧化铍）或其他有害物质
•使用内置的优势和兼容性CMOS和艾赛斯
HDMOS™进程
•锁定保护
•低静态电源电流
优势
•优化的RF和高速
•易于安装，没有必要绝缘子
•高功率密度
•单封装尺寸减小散热面积和
说明
该IXZ4DF12N100是CMOS高速，高电流栅极驱动器和MOSFET的组合而
D类设计，电子，高频，射频应用在高达40MHz，以及其他应用程序。在该IXZ4DF12N100
脉冲模式可提供72A条的峰值电流，同时产生电压的上升和下降时间小于5ns的，并
最小脉冲宽度为8ns的。该驱动器的输入锁存器是完全免疫的整个经营注册
范围。小内部延迟设计，IXZ4DF12N100是适用于需要高功率运行
组合器的使用。它的功能和广泛的工作电压和电源的安全边际使
IXZ4DF12N100在性能和价值无法比拟的。
该IXZ4DF12N100封装射频综合了台达电子的RF设计技术在低电感DEIs
尽量减少开关性能最佳杂散电感领先。该IXZ4DF12N100是表面
贴装设备。
