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DE275X2-102N06A全新现货供应IXYS代理DE275X2-102N06A纳米开关


来源: | 时间:2011年05月18日

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•绝缘衬底
- 高隔离电压(“2500V型)
- 优秀的热转印
- 提高温度和功率
循环能力
•先进的低Qg过程艾赛斯
•低栅极电荷和电容
- 更容易驾驶
- 更快的开关
•(上)低RDS
•非常低的插入电感“(<2nH)
•无铍氧化物(氧化铍)或其他
有害物质
优势
•高性能推拉射频

•优化的RF和高速
频率切换到> 100MHz的
•易于安装,没有必要绝缘子
•高功率密度
♦普通源推挽配对
♦N沟道增强模式
♦低Qg和Rg
♦高dv / dt
♦纳秒开关
漏极1
SG1的特别职务1
1号门
漏极2
SG2的特别职务2
2号门
该DE275X2 - 102N06A是一种射频功率MOSFET器件匹配的一对
共源配置。该器件经过优化,推拉或并行
在射频发生器和放大器操作在以> 65兆赫频率。
注:所有规格是每各
晶体管,除非另有说明。
(1)热规范的适用
包,而不是每个晶体管



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