IXZH10N50LA/B全新现货IXYS代理IXZH10N50LA/B射频功率MOSFET 深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082
IXZH10N50LA/B全新现货IXYS代理IXZH10N50LA/B射频功率MOSFET 最新批号
IXZH10N50LA/B全新现货IXYS代理IXZH10N50LA/B射频功率MOSFET 全新现货
IXZH10N50LA/B全新现货IXYS代理IXZH10N50LA/B射频功率MOSFET 封装DIP
特点
•艾赛斯射频低电容的的Z - MOSTM
工艺
•非常低的插入电感“”（<2nH）
•无铍氧化物（氧化铍）或其他特征
•艾赛斯射频低电容的Z - MOSTM
工艺
•非常低的插入电感“（<2nH）
•无铍氧化物（氧化铍）或其他
有害物质
优势
•高性能射频的Z - MOSTM
•通用的射频源包
阿=门源漏
乙=漏源门
有害物质
优势
•高性能射频的的Z - MOSTM
•通用的射频源包
阿=门源漏
乙=漏源门
