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IXFN170N10全新现货IXYS代理IXFN170N10功率MOSFET

来源： | 时间：2011年05月26日

IXFN170N10全新现货IXYS代理IXFN170N10功率MOSFET 深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082

IXFN170N10全新现货IXYS代理IXFN170N10功率MOSFET 最新批号

IXFN170N10全新现货IXYS代理IXFN170N10功率MOSFET 全线代理

IXFN170N10全新现货IXYS代理IXFN170N10功率MOSFET 封装DIP

部分编号：IXFN170N10
描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）
配置：单
封装形式：采用SOT -至227B
状态：不适用于新设计：时代联系铅厂。
支持文档：数据表

Parameter	IXFN170N10
VDSS, max, (V)	100
ID(cont), TC=25°C, (A)	170
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)	0.01
Ciss, typ, (pF)	10300
Qg, typ, (nC)	515
trr, typ, (ns)
trr, max, (ns)	175
PD, (W)	595
RthJC, max, (°C/W)	0.21

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