IXFN180N10全新现货IXYS代理IXFN180N10功率NOSFET 深圳市亨力拓电子有限公司货源电话:0755-83293082
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IXFN180N10全新现货IXYS代理IXFN180N10功率NOSFET 封装DIP
部分编号:IXFN180N10
描述:高电压的Q -级HiPerFETs(高达1200V)
配置:单
封装形式:采用SOT -至227B
状态:部分
支持文档:数据表
Parameter | IXFN180N10 |
VDSS, max, (V) | 100 |
ID(cont), TC=25°C, (A) | 180 |
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.008 |
Ciss, typ, (pF) | 9100 |
Qg, typ, (nC) | 360 |
trr, typ, (ns) | |
trr, max, (ns) | 250 |
PD, (W) | 595 |
RthJC, max, (°C/W) | 0.21 |