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IXFN200N10P全新现货IXYS代理IXFN200N10P功率MOSFET

来源： | 时间：2011年05月26日

IXFN200N10P全新现货IXYS代理IXFN200N10P功率MOSFET 深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082

IXFN200N10P全新现货IXYS代理IXFN200N10P功率MOSFET 最新批号

IXFN200N10P全新现货IXYS代理IXFN200N10P功率MOSFET 全线代理

IXFN200N10P全新现货IXYS代理IXFN200N10P功率MOSFET 封装DIP

部分编号：IXFN200N10P
描述：极地™HiPerFETs（150V的至300V）与减少的Rds（上）
配置：单
封装形式：采用SOT -至227B
状态：部分
支持文档：数据表

Parameter	IXFN200N10P
VDSS, max, (V)	100
ID(cont), TC=25°C, (A)	200
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)	0.0075
Ciss, typ, (pF)	7600
Qg, typ, (nC)	235
trr, typ, (ns)
trr, max, (ns)	150
PD, (W)	680
RthJC, max, (°C/W)	0.22

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