IXFN106N20全新现货IXYS代理IXFN106N20功率MOSFET 深圳市亨力拓电子有限公司货源电话:0755-83293082
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IXFN106N20全新现货IXYS代理IXFN106N20功率MOSFET 封装
部分编号:IXFN106N20
描述:高电压的Q -级HiPerFETs(高达1200V)
配置:单
封装形式:采用SOT-至227B
状态:不适用于新设计:时代联系铅厂。
支持文档:数据表
Parameter | IXFN106N20 |
VDSS, max, (V) | 200 |
ID(cont), TC=25°C, (A) | 106 |
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.02 |
Ciss, typ, (pF) | 9000 |
Qg, typ, (nC) | 380 |
trr, typ, (ns) | |
trr, max, (ns) | 200 |
PD, (W) | 521 |
RthJC, max, (°C/W) | 0.24 |