特点
•符合的SOT -至227B大纲
•低RDS（ON）HDMOSTM过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关（UIS）的
额定
•低电感封装
•快速内在整流器
•封装环氧树脂符合
符合UL 94 V - 0，易燃性分类
应用
•DC - DC变换器
•电池充电器
•交换模式和谐振模式
电源供应器
•直流斩波器
•温度和照明控制
优势
•易于安装
•节省空间
•高功率密度
| Parameter | IXFE180N20 |
| VDSS, max, (V) | 200 |
| ID(cont), TC=25°C, (A) | 158 |
| RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.012 |
| Ciss, typ, (pF) | 14400 |
| Qg, typ, (nC) | 360 |
| trr, typ, (ns) | |
| trr, max, (ns) | 250 |
| PD, (W) | 500 |
| RthJC, max, (°C/W) | 0.25 |
