特点
•低栅极电荷
•国际标准封装
•EpoxymeetUL94V - 0可燃性
分类
•低RDS（ON）HDMOSTM过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•额定雪崩能量和电流
•快速内在整流器
优势
•易于安装
•节省空间
•高功率密度
| Parameter | IXFH60N25Q |
| VDSS, max, (V) | 250 |
| ID(cont), TC=25°C, (A) | 60 |
| RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.047 |
| Ciss, typ, (pF) | 5100 |
| Qg, typ, (nC) | 180 |
| trr, typ, (ns) | |
| trr, max, (ns) | 250 |
| PD, (W) | 357 |
| RthJC, max, (°C/W) | 0.35 |
