M25P16-VMF6P串行FLASH存储器芯片相关型号参数

产品型号	位密度	结构	扇区(bit)	页(byte)	接口	工作电压(V)	静态电流(μA)	时钟速率	页写/扇区擦除周期(ms)	擦写寿命(次)	数据保存时间(年)	封装/温度(℃)
M25P16-VMF6P	16M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	50MHz	1.4/1000	100000	20	SO-16/-40~85
M25P16-VMN6TG	16M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	75MHz	1.4/1000	100000	20	SO8N/-40~85
M25P16-VMN6TP	16M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	75MHz	1.4/1000	100000	20	SO8N/-40~85
M25P16-VMW6TG	16M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	75MHz	1.4/1000	100000	20	SO8/-40~85
M25P32-VMF6G	32M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	50MHz	1.4/1000	100000	20	SO-16/-40~85
M25P40-VMN6	4M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	40MHz	1.5/1000	100000	20	SO-8/-40~85
M25P40-VMN6TP	4M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	40MHz	1.5/1000	100000	20	SO-8/-40~85
M25P64-VMF6P	64M	X8	512K	256	SPI	2.7~3.6	20	50MHZ	1.4/1000	100000	20	SO-16L/-40~85
M25P64-VMF6TP	64M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	50MHz	1.4/1000	100000	20	SO-16/-40~85
M25P80-VMW6	8M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	10	40MHz	1.4/1000	100000	20	SO-8/-40~85
M45PE80-VMP6G	8M	×8	512K	256	SPI	2.7~3.6	50	25MHz	1.2/1000	100000	20	MLP-8/-40~85

供应商：深圳市亨力拓电子有限公司