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M29DW640D70N6E并行FLASH存储器


来源: | 时间:2010年01月13日

产品型号 资料 工作电压(V) 位密度 结构 接口 访问速度(ns) 静态电流(μA) 擦写寿命(次) 数据保存时间(年) 封装/温度(℃)
M29DW640D70N6E 2.7~3.6 64M ×8 并口 70 10 100000 20 TSOP-32/-40~85
M29W400DB55N6E 2.7~3.6 4M ×8 并口 55 10 100000 20 TSOP-28/-40~85

供应商:深圳市亨力拓电子有限公司

网址:www.henlito.com


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