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英飞凌推出第三代IKW50N60H3/ K50H603 50A/600V高品质IGBT单管


来源: | 时间:2011年11月29日

英飞凌推出第三代IKW50N60H3/ K50H603 50A/600V高品质IGBT单管
 
IKW50N60H3/ K50H603是英飞凌(INFINEON)第三代50A/600V高开关速度IGBT单管,适用于焊接、UPS等IGBT高频应用领域。
 
IKW50N60H3/ K50H603 特点:
•最高结温度为175℃
•非常低VCEsat
•低开关损耗
•较高的开关坚韧性
根据JEDEC1合格为目标
•无铅引脚电镀符合RoHS标准
•封装:TO247
IKW50N60H3/ K50H603应用范围:
•UPS(不中断电源/不间断电源)
•焊接器
•高开关频率变换器
 
IKW50N60H3/ K50H603最大额定值:
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
VCE
600
V
DC collector current,limited by Tvjmax
TC = 25°C
TC = 100°C
IC
100.0
50.0
A
Pulsed collector current, tplimited by Tvjmax
ICpul s
200.0
Turn off safe operating area VCE600V, Tvj175°C
-
200.0
Diode forward current, limited by Tvjmax
TC = 25°C
TC= 100°C
IF
60.0
30.0
Diode pulsed current, tplimited by Tjmax
IFpul s
200.0
Gate-emitter voltage
VGE
±20
V
Short circuit withstand time
VGE = 15V, VCC400V
Allowed number of short circuits<1000
Time between short circuits:1.0s, Tvj150°C
tSC
5
us
Power dissipation TC= 25°C
Power dissipation TC= 100°C
Pt ot
333.0
167.0
W
Operating
unction temperature
Tvj
-40...+175
°C
Storage  temperature
Tstg
-55...+150
Soldering temperature,
Wave soldering 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
 
260
Mounting torque,M3 screw
Maximum of mounting processes:3
M
0.6
Nm

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