| check |
Part No. |
MFG |
D/C |
QTY |
Packaging |
Package |
Note |
PDF |
WORD |
|
NCP1654BD200R2G |
ON |
|
4493 |
8-SOIC |
连续导电（CCM） |
PFC（功率因数校正） |
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|
NCS21671DM200R2G |
onsemi |
|
500 |
10-微型 |
电流检测 |
比较器 |
|
|
|
NCS21674DMG200R2G |
onsemi |
|
500 |
8-MSOP |
电流检测 |
比较器 |
|
|
|
SG080200R-48.00 |
Laird |
20+ |
6766 |
|
|
泡沫织物 |
|
|
|
SG060200R-24.00 |
Laird |
20+ |
6766 |
|
|
泡沫织物 |
|
|
|
SG040200R-12 |
Laird |
20+ |
5400 |
|
|
簧片 |
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|
|
SG015200R-48 |
Leader |
20+ |
1100 |
|
|
泡沫薄膜 |
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|
BWA-RXF3S0200RXN |
Banner |
19+ |
1 |
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RF 配件 |
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|
BLA1011S-200R,112 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502B |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
|
|
|
|
BLA1011-200R,112 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502A |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A
|
|
|
|
BLF6G10-200RN,112 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502A |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
|
|
|
|
BLF6G10LS-200R,118 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502B |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V SOT502B
|
|
|
|
BLF6G10LS-200R,112 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502B |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V SOT502B
|
|
|
|
BLA6G1011LS-200RG, |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502C |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C
|
|
|
|
BLA6G1011L-200RG,1 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502D |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
|
|
|
|
BLF6G10LS-200RN:11 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502B |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
|
|
|
|
BLF6G10LS-200RN,11 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
0 |
SOT-502B |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
|
|
|
|
BLA6G1011-200R,112 |
Ampleon USA Inc. |
18+ |
41 |
SOT-502A |
晶体管FETMOSFET 射频 |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
|
|
|
|
GNT0158200R0001 |
ABB |
17+ |
1010 |
|
|
DH 2002
|
|
|
|
GNT0109200R2 |
ABB |
17+ |
1700 |
|
|
PULSE GENERATOR,GH490
|
|
|
|
GNT0164200R0001 |
ABB |
17+ |
1700 |
|
|
SDCS-PG6301 AC380V POWER-INTER
|
|
|
|
GNT0164200R0002 |
ABB |
17+ |
420 |
|
|
SDCS-PG6310 AC380V POWER-INTER
|
|
|
|
GNT0164200R0004 |
ABB |
17+ |
210 |
|
|
PG6330 ; SDCS-PG6330 AC500V POWER-INTER
|
|
|
|
GNT0115200R0001 |
ABB |
17+ |
1700 |
|
|
regulator pcb
|
|
|
|
GNT0164200R0003 |
ABB |
17+ |
1700 |
|
|
PG6320 ; SDCS-PG6320 AC500V POWER-INTER
|
|
|
|
BLA6G1011L-200RG 1 |
NXP |
16+ |
21 |
SOT-502D-3 |
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
|
|
BLA1011S-200R 112 |
NXP |
16+ |
0 |
SOT-502B-3 |
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
|
|
BLA1011-200R 112 |
NXP |
16+ |
95 |
SOT-502A-3 |
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
|
|
BLA6G1011LS-200RG |
NXP |
16+ |
398 |
SOT-502C-3 |
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
|
|
BLA6G1011-200R 112 |
NXP |
16+ |
13 |
SOT-502A-3 |
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
|
