英飞凌第三代 G08T120 G15T120 G25T120 G40T120 G60T120 1200V低饱和压降型 IGBT优质高速单管 参数说明
品牌：英飞凌 INFINEON
型号：G08T120 G15T120 G25T120 G40T120 G60T120
IGW08T120 IGW15T120 IGW25T120 IGW40T120 IGW60T120
第三代IGBT单管 特点：
◆TC=25℃ VCE(sat)=1.7V
◆正温被系数饱和压降易于并联，具有类MOSFET特性
◆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
◆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
◆参数离散性小，便于批量生产
◆硬开关频率：fK≤20KHz，开关速度快，高频特性好
◆符合RoHS 标准
◆低饱和压降
◆拖尾电流小，且随温度增加不明显增加，高温特性优异
◆无锁定效应，过载能力强，可靠性高
参数说明：
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Package |
VCE (max) |
IC(max) @ 25° |
IC(max) @ 100° |
Switching Frequency |
PDF |
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IGW08T120 |
TO-247 |
1200 V |
16 A |
8 A |
20kHz |
下载 |
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IGW15T120 |
TO-247 |
1200 V |
30 A |
15 A |
20kHz |
下载 |
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IGW25T120 |
TO-247 |
1200 V |
50 A |
25 A |
20kHz |
下载 |
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IGW40T120 |
TO-247 |
600 V |
75 |
40 A |
20kHz |
下载 |
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IGW60T120 |
TO-247 |
600 V |
100 A |
60 A |
20kHz |
下载 |
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英飞凌全新的600V第三代高速IGBT单管系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了IGBT行业开关损耗新标杆，建议应用于开关频率在20kHz以上的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，最高可使能效提高15%。
该系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技术，不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。 TRENCHSTOP TM 技术特点是本身具备极低的集电极-发射极饱和电压
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英飞凌全新的600V第三代高速IGBT单管系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了IGBT行业开关损耗新标杆，建议应用于开关频率在20kHz以上的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，最高可使能效提高15%。
该系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技术，不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。
该系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技术，不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。
TRENCHSTOP TM 技术特点是本身具备极低的集电极-发射极饱和电压
