英飞凌第三代 G30T60 G50T60 G75T60 IGW30N60T IGW50N60T
IGW75N60T 600V低饱和压降型IGBT优质高速单管 参数说明
品牌：英飞凌 INFINEON
型号：G30T60 G50T60 G75T60 IGW30N60T IGW50N60T IGW75N60T
第三代IGBT单管 特点：
◆TC=25℃ VCE(sat)=1.5V
◆最大工作结温Tjmax≤175℃
◆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
◆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
◆可靠性高，高温性能稳定，特性优异，具有最优的性价比
◆硬开关频率：fK≤20KHz
◆符合RoHS 标准
参数说明：
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Package |
VCE (max) |
IC(max) @ 25° |
IC(max) @ 100° |
Switching Frequency |
PDF |
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IGW30N60T |
TO-247 |
600 |
60 A |
30 A |
20kHz |
下载 |
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IGW50N60T |
TO-247 |
600 V |
100 |
50 A |
20kHz |
下载 |
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IGW75N60T |
TO-247 |
600 V |
150 A |
75 A |
20kHz |
下载 |
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英飞凌全新的600V第三代高速IGBT单管系列经过优化，适用于硬开关和软开关拓扑。该系列树立了IGBT行业开关损耗新标杆，建议应用于开关频率在20kHz以上的拓扑。
极短的拖尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争产品低25%）是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品，最高可使能效提高15%。
该系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技术，不仅具备很低的开关损耗，还拥有极低的通态损耗。 TRENCHSTOP TM 技术特点是本身具备极低的集电极-发射极饱和电压
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