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IXFX170N20P功率MOSFET全新现货,全线代理IXYS品牌


来源: | 时间:2011年06月07日

特点
•快速内在二极管
•额定雪崩
•(ON)和低RDS资历组别
•低电感封装
优势
•低栅极电荷的简单结果
驱动要求
•高功率密度
应用
•的DC - DC coverters
•电池充电器
•交换模式和谐振模式
电源供应器
•直流斩波器
•AC和DC电机控制
•不间断电源
•高速功率开关
应用

Parameter   IXFX170N20P  
VDSS, max, (V)   200  
ID(cont), TC=25°C, (A)   170  
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)   0.014  
Ciss, typ, (pF)   11.4  
Qg, typ, (nC)   185  
trr, typ, (ns)     
trr, max, (ns)   200  
PD, (W)   1250  
RthJC, max, (°C/W)   0.12  


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