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IXFN180N20功率MOSFET全新现货,全线代理IXYS品牌


来源: | 时间:2011年06月07日

特点
•国际标准封装
•miniBLOC与铝,氮化物
隔离
•低RDS(ON)HDMOSTM过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关(UIS)的
额定
•低电感封装
•快速内在整流器
应用
•DC - DC变换器
•电池充电器
•交换模式和谐振模式
电源供应器
•直流斩波器
•温度和照明控制
优势
•易于安装
•节省空间
•高功率密度

Parameter   IXFN180N20  
VDSS, max, (V)   200  
ID(cont), TC=25°C, (A)   180  
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)   0.01  
Ciss, typ, (pF)   22000  
Qg, typ, (nC)   660  
trr, typ, (ns)     
trr, max, (ns)   250  
PD, (W)   694  
RthJC, max, (°C/W)   0.18  


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